Способ измерения полей магнитной анизотропии поликристаллических ферритов с гексагональной структурой

(51 У 4 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ТЕЙЬСТ К АВТОРСКОМУ С рение функционал достигается путе магнитной анизот ных возможност измерения пол30ико-техническийКузнецова приенном университ опии поликристаллианизотропией типаПовышение точческих ферритов с "легкая плоскость ается за сч варительн щемся маг Е,П Найден .8)етельство ГССРК 3312 1980.з, 1974, Ч. 45 кстуры 0,.5 мпульсного ят в направм плоскости ние значитель- сталями трудими коля. Способть изме тво кри лени лизк речнос(57) Изобр ке измерен материалов создании п нансных ус диапазона. сится к техниов магнитных ния поля аниполикристал тение от я параме Может и тропии и в слеского гекса е ерр пользоваться при изотропи ось,способисании егкая магнитов, резостройств СВЧретения - расшиции данрафикахил. Примеры поясняю изобрет тоянныхител ейель изо ия. ЬР ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(56) Авторское свид358954, кл. С 013 оигп. Арр 1. РЬр. 3600-36 10. 54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОЛЕЙ МАГНИТОЙ АНИЗОТРОПИИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХЕРРИТОВ С ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ СТРУКТУРОЙ ности измерении дости того, что образец пред текстурируют во враща ном поле до степени т При этом воздействие и магнитного поля провод лении, перпендикулярн текстуры. Текстурирова но увеличивает количес лов в образце с направ ного намагничивания, б направлению внешнего п позволяет увеличить тоИзобретение относится к техникеизмерения параметров магнитных материалов и может быть использованопри создании постоянных магнитов,резонансных устройств СВЧ-диапазонаи др. На практике применяют поликристаллические материалы, трудности при определения величины поляанизотропии Н которых обусловленыФ,самой природой паликристалла: хаотической ориентацией зеренкристаллитов, наличием воздушных пар ивключений посторонних Фаз.Цель изобретения - расширениеФункциональных возможностей путемизмерения поля магнитной анизатропииполикристаллических ферритов с аники 11зотропией типа легкая плоскостьи повышение точности измерений засчет того, что образец предварительно текстурируют до степени текстуры0,5-1,0 и указанное воздействиеимпульсного магнитного паля проводят в направлении, перпендикулярномплоскости текстуры.При текстурировании значительно(в 50-100 раз) увеличивается количество кристаллитов в образце с направлениями трудного намагничивания,близкими к направлению внешнегополя, Это приводит к обострениюаномалии в окрестности особой точки,имеющей Форму резонансного пика навременной зависимости второй производной намагниченности а М/, , чтоприводит к уменьшению доверительного интервала при определении поляанизотропии, т,е. к повышению точности чзмерений,На фиг. 1 изображены временные зависимости второй производной д М/дт для поликристаллического гексаферрита с анизотропией типа "легкая плоскость". полученного по керамической технологии (степень текстуры := 0,10 кривая 1) для текстурированногс образца того же Феррита с= 0,75 при направлениитимпульсного поля перпендикулярно плоскости текстуры (кривая 2) и параллельно ей (кривая 3). Кривой 4 показана временная развертка импульсного магнитного чаля. Использование образца даже с малой степенью текстуры (кривая 1) позволяет зарегистрировать особую тачку на кривой д 1/д 1 и тем самым определить пале анизотропии поликристалличес кого гексаферрита с анизотропиейтипа "легкая плоскость с погрешностью507, что доказывает расширение функциональных возможностей 5 предлагаемого способа измерения НПовышение степени текстуры образцаприводит к обострению пика на кривой д м/,1 в окрестности особойтачки при направлении импульсногомагнитного поля перпендикулярноплоскости текстуры (кривая 2). Приодинаковом доверительном интервалепри измерении Р М /д погрешностьопределения Н на текстурированном415 материале уменьшается до 10-127при степени текстуры 1, - "0,75.На Фиг. 2 приведены зависимостид М д 7 и Н(11 для поликристаллического гексаферрита с анизотропией 20 рипа "легкая ось", при этом кривая- для нетекстурированнаго образца,кривая 2 - для текстурированногообразца с 1,= 0,65 при направлении внешнего поля перпендикулярноплоскости текстуры, кривая 3 - временная развертка поля. Криваяполучена известным способом; погрешность измерения Н в этом случае157. В случае определения поля ЗО анизатрапии предлагаемым способомпогрешность измерения уменьшаетсядо 2-57, (при одинаковом доверитель 2ном интервале измерения дЗ 1 ) . 35 40 45 50 55 При текстурировании создается преимущественное направление осей намагничивания поликристаллического образца и воздействие импульсного магнитного поля проводят в направлении трудного намагничивания.Способ реализуется следующим образом (на примере поликристаллического гексаферрита СоЕ с анизотропией типа "легкая плоскость" ) . Порошок исследуемого образца с эпоксидной смолой в качестве связки текстурируют ва вращающемся магнитном поле, затем помещают в импульсный соленоид так, чтобы плоскость текстуры располагалась перпендикулярно оси соленоида, С помощью измерительных катушек, дифференцирующих и интегрирующих цепей регистрируют зависимости дМ/д и Н 7 на спаде импульса магнитного поля соленоида и строят графики, График зависимости дМ/д имеет Форму пика с максимумом значения этой функции в особой точке т, . Величина маг 1251нитного поля Н(1 в этой точке равна полю анизотропииН =2 К Мгде 1, - первая константа магнитнойанизотропии;М - намагниченность насыщения5образца,Выполнив в соответствии с этимграфические построения, находят величину поля анизотропии исследуемого образца. На фиг. 1 приведенызависимости д Мр 1 для СоЕ со степенью текстуры 1, = О (кривая 3),: 0,1 (кривая 1) и-0,75 (кри; 15т твая 2). При , = 0 погрешность измерения составляет более 1007., приувеличении степени текстуры погрешность измерения Нд уменьшается( О 1,8 (Н; ,-0 75, 208(Н 1 127). Для практических целейддостаточна точность измерения поляанизотропии 207, что соответствуетстепени текстуры 1 0,5. Очевидно,что наиболее точные данные могут 25быть получены на образцах со степеньютекстуры:1,0. Однако получитьтакие образцы сложно. Измеренное предлагаемым способом поле анизотропииферрита Со Е составило (4,7-5,7) кЭ.Кроме того, предлагаемый способ , используют при измерении Нд наполикристаллическом гексаферрите с анизотропией типа "легкая ось" ба 002 4риевом ферроксдюре (ВаРе О, ). Текстура создавалась в данном образцепостоянным магнитным полем, Величинаполя анизотропии, измеренная поизвестному способу, составляет15,2-18,8 кЭ (кривая 1, фиг. 2), а по предлагаемому способу на текстурированном образце с направлениемполя перпендикулярна плоскоститекстуры Н 16,5- 1,5 кЭ,т.е, точность измерения увеличилась в трираза. формула изобретенияСпособ измерения полей магнитной анизотропии .поликристаллических .ферритов с гексагональной структурой, заключающийся .в воздействии импульсного магнитного поля на образец, измерении характеристик намагничивания, по которым определяют величину поля анизотропии, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем измерения поля магнитнойанизотропии поликристаллических ферритов с анизотропией типа "легкая плоскость" и повышения точности измерений, образец предварительно текстурируют по степени текстуры 0,5-1,0 и указанное воздействие импульсного магнитного поля проводят в направлении, перпендикулярном плоскости текстуры.1251002 Составитель Л.Устиноваедактор Л.йчелинская Техред К,Кадар Коррект екмар Заказ 4406/ 728 Подписноедарственного комитета СССРизобретений и открытийква, Ж, Раушская наб., д, 4/5 ТиражНИИПИ Госо делам035, Мо Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,