Способ контроля процесса кристаллизации
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 1 5 / ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ атон иг. 1 показан графикизменения частоты Й (производной Г (крив ависиивая а я б) от ой ю процессов крис ции, измельчения матическому контр ьно изменения частотыкристаллизации; на фигиальная схема установквления предлагаемогоновка содержит техноларат 1, ультразвуковой носит начал осле 2аллизации, гра может быть исп льзовано в химичеси.ния является повыпринципосущес и дляпо соб а,гичеси промьпиленно Целью изобре ости определения момен шение ий ап дисперсностий фазы,достигается пуения ультразвунцентраций заультразвуково начала кристаллизации ельный ойстчик 2, ультразвукоприбор 3 и вычисливо 4,изме онцентрацииПоставленнаяувеличенияв области мад вер ьн погл ых ко режим я реа счет изменени го прозвучива ционнои массы,разо ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(71) Ленинградский технологический институт им. Ленсовета(53) 539.215.4:66.063.52(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР В 895478, кл, С 01 Б 15/02, 1982,Авторское свидетельство СССР Р 286951, кл, С 01 1 Я 15/02, 1987. (54),СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ(57) Изобретение относится к области автоматического контроля процессов химической технологии. Цель изобретения - повышение точности определения момента начала кристаллизации,Изобретение относится к химичесй технологии, в частности к автодисперсности и концентрации твердой фазы, Для этого реакционную массу прозвучивают двумя последовательно следующими импульсами: основным с частотой 1,0-10 МГц и дополнительным с частотой 0,1-0,8 МГц, измеряют частоту прошедшего через реакционную массу основного импульса и по величине первой производной относительно изменения частоты прошедшего основного импульса по достижению ею своего экстремума определяют начало процесса кристаллизации, по величинеЪпоглощения дополнительного импульса определяют по тарировочной зависимости концентрацию твердой фазы, а по разности поглощений в реакционной массе основного и дополнительного импульсов определяют дисперсность твердой фазы, 2 ил. Способ осуществляют следующйм об509 4Таким образом, использование предлагаемого способа позволяет повысить 5 10 з 1497В технологическом аппарате 1 находится реакционная масса, в которой образуются кристаллы. Реакционную массу прозвучивают двумя последовательно следующими импульсами, подаваемыми с ультразвукового датчика 2:основным с частотой 1,0- 10 МГц и дополнительным с частотой 0,1-0,8 МГц.При прохождении ультразвука черезсреду, в которой начинается росткристаллов, происходит относительноеизменение частоты основного импульса(фиг. 1 кривая а), Начало этого изменения, которое можно выдели ь поэкстремуму первой производной (кривая б), соответствует началу кристаллизации. Ультразвуковым измерительным прибором 3 измеряют поглощение и частоту прошедшего через реакционную массу основного импульса и по величинепервой производной относительного изменения частоты этого импульса,рассчитываемой вычислительным уст -ройством 4 при достижении ею своегоэкстремального значения, определяютначало процесса кристаллизации.Ультразвуковым йзмерительным прибором 3 измеряют величину поглощения дополнительного импульса,В зависимости от величины погло щения дополнительного импульса опрелеляют по тарировочной зависимости концентрацию твердой фазы, а по разности поглощений основного и дополнительного импульса, прошедших через реакционную массу, вычислительное устройство 4 рассчитывает дисперсность твердой фазы,15 20 25 30 35 40 точность определения момента началакристаллизации (менее 5 мин) и повысить точность определения дисперсности и концентрации твердой фазы (погрешность не более 5-77), а также автоматизировать процесс измерения иобеспечить его непрерывность. Формула изобретения Способ контроля процесса кристаллизации путем прозвучивания реакционной массы ультразвуковыми импульсами и определения дисперсности твердой фазы по измеряемой величине поглощения ультразвука в суспензии, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности определения момента начала кристаллизации, дисперсности и концентрации твердой фазы, реакционную массу прозвучивают двумя последовательно следующими импульсами, основным импульсом с частотой 1,0-10 МГц и дополнительным с частотой 0,1-0,8 МГц, измеряют частоту прошедшего через реакционную массу основного импульса и по величине первой производной относительного изменения частоты прошедшего основного импульса по достижению ею своего экстремума определяют начало процесса кристаллизации, изме- . ряют величину поглощения дополнитель - ного импульса, по которой определяют по тарировочной зависимости копцентрацию твердой фазы, а по разности поглощений в реакционной массе основного и дополнительного, импульсов определяют дисперсность твердой фазы.1497509 аЛ 1 ияагии ЧРЕВО тор Т,Малец,К ЗаКаз 4436/44 ирзж 7 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,10 Составитель М.Рогачеактор Ю. Середа Техред М,Дидык ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям 113035, Москва, Ж, Раушская нодписное открытиям при ГКНТ СС д. 4/5
СмотретьЗаявка
4343578, 14.12.1987
ЛЕНИНГРАДСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. ЛЕНСОВЕТА
ЛОБАНОВ НИКОЛАЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, ПЛАТОНОВ ВАЛЕРИЙ ВАЛЕНТИНОВИЧ, СУМАРОКОВ ГЕННАДИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, ТРЕТЬЯКОВ АЛЕКСАНДР СЕРГЕЕВИЧ, ЗУБАРЕВ ПОЛИКАРП САВВОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 15/02
Метки: кристаллизации, процесса
Опубликовано: 30.07.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1497509-sposob-kontrolya-processa-kristallizacii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля процесса кристаллизации</a>
Предыдущий патент: Способ контроля дробления материалов
Следующий патент: Устройство для измерения концентрации дисперсной фазы аэрозоля
Случайный патент: 402868