Способ определения скорости кристаллизации сплавов при литье с кристаллизацией под давлением

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 51 2 Р 18/О ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯН А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛВСТВУ 2 ес йц е о про РОС ПРИ ПОД О 00 ОО 4 й Ж 3 ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Всесоюзный заочный политехниинститут(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СКОТИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ СПЛАВОВЛИТЬЕ С КРИСТАЛЛИЗАЦИЕЙДАВЛЕНИЕМ(57) Изобретение относится к литейному производству, в частности к литью с кристаллизацией под давлением. Цель изобретения - упрощение способа определения скорости роста кристаллов в направлении действия сил прессования. Рабочую поверхность матрицы 5 и торца прессового пуансона 1 покрывают листовым асбестом 2, 6, 7. На торцовых поверхностях пуансона и матрицы в асбесте выполняют отверстия 3, 8, заливают расплав 4 и осуществляют прессование пуансоном , поддерживая давление прессования постоянным. Температуру пуансона и матрицы в зоне отверстий в асбесте перед заливкой также поддерживают постоянной. После кристаллизации и извлечения отливки изготавливают макрошлиф и по величине металлов, выросших в зоне отверстий в асбесте, определяют скорость роста кристаллов. 2 ил.Изобретение относится к лиейному производству, В частности к л)гБю с (ристя)лизацией под дявлеием.Цель изсбретения - определение роста кристаллов в направлении действия сил прессования.На фиг. 1 показана прес: -форма ггеред началом прессования, па ф: ,- схема макроструктуры отливки.Пресс-форма для осу 1 цесаления предлагаемого способа ссстоит из пуансона 1, имеющегс на рабочем торце теплсизолирующее покрытие 2, к участок без покрыггия 3 (строго заданной площади). Расплав 4 заливают в матрицу 5, имеющую теплоизслирующее покрытие на боковой поверхности 6 и на рне 7, а также без сокрытия 8, такой же плс)цади, что к ня поверхности пуансона (фкг. 1) .Величину выросших зерен, и 12 опрепеляют после разрезки и выявления макростРУкт/Ры ссстветстВУюи.,иу)и РеактР 11 Ми.Пример. Рабочу)о поверх )ость матрицы 5 (фиг. 1) к прессующего торца пуансона за 1 цищали слоем листоисгс асбеста (6, 2, 7) толщион 3 мм. В геплсизслиру.Ощих иокрыгиях ия торцовых псв рхостях прессформы (г)О ее оси) Вьигс)лне ы полости диамером 5 мм, что п 03 ВОлит рс 1 сглаву В этих участках после приложения давления соири- КЯСатЬСЯ НЕПОСРЕДСТВЕННО С ТОРЦОМ ПУЯ);СОНЯ и дном ."лятрицы.6 матриц", заливали рас,1:,В 4;ехнического алюми: ия марки А 7 при 730740"С, в)у)деРживалк его дс сспР 1(ссповенк 51 с и;Ян. соом 3 -4 с и затем иод давлеиел, р =- =150 МПа в гечение 2 мииТсмперятуся пуяпссня и у 1 т 1)кц)п В у)0 мент приложения давле) кя была сдииакогой санной 110-+-5 С.Полученный цилиндр;:ский слиток (от лиг)кч) дрЯметрсм 5 о мм 1 Высотой 100 мм разрезали Вдоль Вертикал)пОй Оск н на пс- ЛУЧЕННОМ ТЕМП.)ЕТЕ С ИСПОЛЬЗОБЯНИЕМ И:)БЕСТИЯХ ОЕЯКТИВОВ ВЬ 51 ЬЛЯЛИ лЛЯК 1)сстртктпруу.11 Я фиг. 2 привепена с:(ема макроструктуры ППОпоЛЬНОГС ТЕМПЛЕта ЛИО: И С 1)ГО С."НтКЯ.Д Я " В Е Г, Т В ЯИ Е С 1;1 и )У У( ЧО ",. Г г П Е 1,) СВ гЕМ ЗКТЕ:.:ОГО паВЛ:ю)НЧС) СТОСОНЫ ВЕРХ.ЕГО ТОРЦЯ ОтлиьКИ )ЭИВОРРГ К 6 ОЛЕР ВЬ 1 СОКОй СКОрОСти рОСта 51 Я)лрсу)Я, ЧТО ХараК- тсризуется его сравит.льО большей длисй (11, фиг. 2). Вследствие;Ог"рь ня треие, дявлеие, воздей твующес ня д.с 1 З) рицы (реактив:Ос дзвлеие, и," еет меньвую Ве линуНу и, следсвятелл 1;О, ск)зывяе 50)ес с;Збсе г.)К 5 ие ия скор)с.Ос: Ия;гоп и (1 у, ф И г. 2),у. 1,; я Я Л О М И , . 1:., 1 1 игл1 у п), 1==18 мм, т.е. 11;:1 п 1,Г разя.Способ Обеспечивает Оиредедегие сксрсс ТИ КРИС ТЯЛИЗЯИИ С.ЛЯЯ ИСХОДЯ КЗ С 1,. Ю ЩЕГО.11 рсЯсс затв Ярцев я)-.ия 0", линкииХ 0 ) ИТ Е ТОЛЬКО С Г Т ОР О ". Ь:, В Е Р Х Ч С) 1 Н И )( Ей ЯСТЕй ОГЛНВ ИС И .С тОрсЫ бу:Г-О поверхно.ти матрицы, покрытой асбестовым покрытием.Эксперименты показали, что скорость роста кристаллов со стороны боковой поверхности матрицы практически одинакова по высоте отливки и меньше, чем скорость роста кристаллов со стороны верхнего и ижнего орцов отливки.При встрече. кристаллов, растущих со стороны боковой поверхности матрицы с кристаллами, растущими со стороны верхнего и нижнего торцов отливки, происходит остановка роста последних. При этом остановка роста кристаллов, растущих в направлении действия активных и реактивных сил, происходит одновременно. Разница состоит В том, что кристалл, растущий со стороны верхнего типа отливки (пуансона) имеет большую длину пс сравнению с длиной кристалла, выросшего со стороны нижнего торца отливки (дйа матрицы).Зная время роста кристаллов, растущих со стороны боковой поверхности отливки (т.е. время затвердевания отливки), до их полкой остановки можно определить время роста крисгаллов, выросших со стороны Верхнего и нижего орцов отливки.Время роста кристаллов со стороны боковои псверхности формы до их остановки оиределя) и по общеизвестной формуе7 .).Я 9 р,(Тлр - -Тп)де .1. - теплота кристаллизации сплава;.). - теплопроводность отливки;Ти - температура кристаллизации сплава;Тп -- терлпеуятуря НОВерхнссти Огпивки.Исхо;я из этого, скорость кристаллизации спля а со стороны верхнего и нижнеготорцов Отливки Определяли по формулеРлр =1,/1 я,где 11 пр - Время кристаллизации отливки;1,д,.)гЯ .-ГО КрИСтаЛЛЯ;1 З -- время затвердевания отливки.Сг особ определения скорости кристаллизации сплавов позволяет искл очить измерегКе температурных полей кристаллкзующейся ст.пивки, что значитсльо упрощаетэ,спериментзль:)ые исследоваикя процессалитья с кпсталлизаичей под давлением.Ъор,),уду) л 1;гсоре;и)ццСпособ спреде; еиия скорости кристаллин зяции с)ляпов при литье с крнсталлизаииеи ИОД ДЯВЛЕ 11 КЕМ, ВИЛ ЮЯ 10 ЮИН ВЯЛИ БКУ РЯС пляВЗ В матриц . после." у)Ое,)"0 сгс крис. я;плкза),и о пср, дав.:е:См ире.с юшего 1 ; ЯСОНЯ, СРУГПОИ)уУЙЕЯ ТЕМ, ТО, С лЕЛЬЮ У)У У)Р П аЛ( 11 Л)Ч ( пЮРОСТИ ПОСТЯ К 1) ИСТ ЯЛЛОВ Вя 1 Иик пейгтви 5 си; 1)-,"сОчаг)кя бс1588497 Ц 3 аг А У Соста в и тел Техред А. Крав Тираж 63 ого комитета по изо Москва, Ж - 35,ельский комбинатковую поверхность матрицы теплоизолируют, а прессование осуществляют при одинаковой температуре пуансона и матрицы в зоне их Редактор М. ТовтинЗаказ 2503ВНИИ 1 Р Государственн13035,Производственно.изда контакта с расплавом, при этом давлениево время прессования поддерживают постоянным. ь . Кузнецовац к Корректор М. СамборскаяПодписноебрстеиинм и открятиям ири ГКНТ СССРа, шская нао., д. ,5Патеитъ, г. жгород, ул.агарцин, 101