Способ определения температуры и момента начала кристаллизации раствора-расплава
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1543319
Авторы: Абрамов, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков
Текст
щают их в графитовой кассете изолированно друг от друга. Подложку размещают в специально предназначенном гнезде подвижного слайдера так что 5 бы при перемещении ее в сторону ячейки с расплавом она двигалась бы вдоль своей длинной стороны (50 мм). Са помещают в ячейку, имеющую длину 1 мм в направлении перемещения и ширину 5 мм в перпендикулярном направленИи. Всю систему нагревают при помощи печи сопротивления в кварцевом реакторе в,атмосфере водорода до начальнЬй температуры Т = 1000 С. Затем ачинают охлаждать систему со скор 1 остью (по показаниям термопары) Чо= =1 0,7 С/с и одновременно перемещают раствор-расплав по поверхности подложф-кристалла СаАз со скоростью О, 1 мм/с. После охлаждения до комнатцой температуры подложку вынимаютцз ректора и изучают профиль ее по,верхности под микроскопом, так как Щирина раствора-расплава меньше шири Ны подложки, профиль травления имеет йид канавки переменной, вдоль направления движения, глубины, которая определяется, как перепад высот у края канавки. В ряде экспериментов было установлено, что в пределах погрешности микроскопа глубина травления п 1 остоянна по ширине и меняется линеййо по длине канавки от максимальной у края подложки до нулевой в точке Перехода травления в кристаллизацию, Тогда объем растворившегося арсенида галлия можно найти по формуле аЬс 40 2 9где а - ширина канавки, мм;Ь - расстояние от края подложкидо точки перехода травления 45в кристаллизацию, мм;с - глубина канавки у края подложки, мкм.Величина а и Ь измеряют с точностью + О, 1 мкм, а величину С определяют, изучая интерференционную картину на поверхности подложки, с точностью + 0,2 мкм.В данном случае а = 5 мм, Ь= 42 5 мм с = 8 810 мм следоваЬ 9 955тельно, Ч = 0,94 мм.Затем определяют вес растворившейся части по формулеР =7, где- плотность СаАз,= 5,4 г/см = 5,4 мг/мм,Р = 5 4 0 94 = 5,05 м,и пересчитывают его в концентрациюАз по формулеО ХАз 1+2 ХУ - Р, АСа 9где Р - исходный всс Са Р = 500 мг1".4 О 6 а 9А - . атомный вес Са, Аса= 69,72;М - молекулярный вес СаАз5 05 69,72 эХ : г , 9 = 4 9 410 отн.ед500 144, 4 994 9 101+249 10" По равновесной фазовой диаграмме состояний определяют температуру Т = = 680 ОС. Эта температура равна температуре начала кристаллизации раствора-расплава в момент времени определяемый по формуле-- = 425 с.ЬЧХФормула изобретенияСпособ определения температурыи момента начала кристаллизации111раствора-расплава элементов 111(А )и ч(В") групп периодической системы,включающий контакт кристалла соединения А" В" с известным количествомрасплава элемента А, измерение количества соединения А В , перещедшегов расплав с образованием насыщенногораствора, и определение температурыначала кристаллизации раствора-расплава по равновесной фазовой диаграмме, отличающийся тем,что, с целью повьппения эффективностиза счет определения температуры имомента начала кристаллизации в нестационарных условиях при охлаждениираствора-расплава, расплав элементаА охлаждают и одновременно перемещают, начиная с момента-контакта,н чпо поверхности кристалла А В с постоянной скоростью 7, устанавливаемой из условия 0,002 мм/с ч (( 50 мм/с, причем количество соединения, перешедшего в раствор-расплав,определяют по объему растворившегосякристалла Аш В , а момент началакристаллизации рассчитывают, исходяиз скорости перемещения расплава идлины растворенной поверхности кристалла А В",11
СмотретьЗаявка
4381237, 25.02.1988
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Ф. ИОФФЕ
АБРАМОВ АЛЕКСАНДР ВЛАДИМИРОВИЧ, ДОЛГАНОВ АЛЕКСЕЙ ВИТАЛЬЕВИЧ, МИЗЕРОВ МИХАИЛ НИКОЛАЕВИЧ, СЕЛИВЕРСТОВ ОЛЕГ ВАЛЕНТИНОВИЧ, ТРЕТЬЯКОВ ДМИТРИЙ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 25/02
Метки: кристаллизации, момента, начала, раствора-расплава, температуры
Опубликовано: 15.02.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1543319-sposob-opredeleniya-temperatury-i-momenta-nachala-kristallizacii-rastvora-rasplava.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения температуры и момента начала кристаллизации раствора-расплава</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения начальной амплитуды импульсных сигналов ядерного магнитного резонанса
Следующий патент: Способ определения температуры разложения нитритов щелочных металлов
Случайный патент: Зубчатая передача