Архив за 1968 год

Номер патента: 219618

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Тулупов

МПК: B60L 7/08

Метки: тормозной

...при данном токе возбуждения. Сигнал выхода элемента сравнения 17, являющийся сигналом управления воз будителя 10, равен нулю при Г 1 т(Г 1 фп и рас.5 10 15 20 25 Зо 35 тет пропорционально их разности в противном случае,Возбудитель 10 имеет два органа управления. На один из них подается напряжение элемента включения 21, которое линейно растет до максимальной величины после включения торможения. Напряжение включения возбудителя 10 направлено таким образом, что при его росте растет напряжение С определяющее ток возбуждения, а сигнал элемента сравнения 17 направлен в сторону уменьшения напряжения выхода возбудителя 10. Таким образом, при нулевом сигнале элемента включения 21 ток 1, минимален. При этом напряжение функционального...

Номер патента: 219619

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Вавилов, Ивакин, Розенгаль, Ройзен

МПК: H01H 50/30

Метки: 219619

...две катушки 1 проходит ссрдс шик 2, Якорьи подвижные контактные пружины 4 закреплены на трубке 5, изолированной от якоря. Трубка б проходит через цоколь 7 реле, от которого она изолирована. Внутри трубок находится гибкий элемент 8, напримср проволочная струна, Один его конец приварен цлц прцпаян к верхнему концу труокц б, а ца другом, выступающем из этой трубки, закрсп. лс 11 я трубка 5 с якорек ц контактной пружиной. Зазор аежд трбамц достаточен длл качания якоря, Величина зазора опрелсллстсл диаметром трубок, Зазор между гибким элсмецтом и внутренними стаканами трубок должсц быть достаточным ллл прогиба гибко. го элсмсцтз. Величину этого зазора можно регулировать кл 1 НьМц 9. Клинья зякцз 1 яют гибкий элемент в местах его...

Номер патента: 219620

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Лавров

МПК: H03K 19/16

Метки: логический, элемент«и»

...трансформаторов Тр Тр и Тр во время такта В, например, шунтированием их управляющих обмоток, аналогично тому, как трап. зисторы входных ячеек логического элемента шунтируют управляющие обмотки выходных ячеек, то транзисторы ПП ПП и ППне от. крываются во время такта В, сердечник трансформатора Три г не перемагничивается. Транзистор ПП, г откроется во время такта В, выдавая выходной сигнал на выход 1.На остальных выходах сигналы образуются аналогично.Полярность включения управляющих обмо29620 Предмет изобретения Составитель Л. В. Скобелевактор Л, А. Утехина Техреду А. А. Камышникова Корректор О. Б. Тн)рина аказ 2373/8 Тираж 330 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР Москва, Центр, пр....

Номер патента: 219621

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Арнит, Артюх, Вычислительной, Институт

МПК: G06K 1/00, H03K 3/315

Метки: входом, счетным, триггер

...7 смещен в сторону открывания. Если диод полупроводниковый с достаточно крутым изломом прямой ветви вольтамперной характеристики, то величина смещения транзистора 7 незначительно зависит от величины прямого тока.Прп повторном воздействии входного импульса величина сигнала на входе усилителядискримпнатора превышает его порог и на импульсном выходе б появляется сигнал перепаса. Под его воздействием транзистор 11, выполняющий функцию сброса в О, открывается и перебрасывает диод 1 в нулевое состояние, За счет задержки импульса вентилем и транзистором П шунтирующее действие транзистора 11 несколько задерживается по сравнению с действием входного сигнала по входу установки 1, что достаточно для надежной установки состояния О.Высокий...

Номер патента: 219622

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Дейнеко, Научно, Попов, Сомкин

МПК: H03K 19/21

Метки: совпадения, схема

...ветви характеристики.При поступлении отрицательного входногосигнала только на вход 15 туннельный диод 5 переключается в состояние 1. Однако вслед ствие того, что туннельный диод 7 продолжает оставаться в высоковольтном состоянии, транзистор 1 остается запертым, поскольку в его базе и эмиттере действуют одинаковые напряжения.20 При поступлении отрицательного входногосигнала только на вход 1 б туннельный диод б переключается в состояние 1, транзистор 2 открывается, в трансформаторе 4 формируется положительный импульс, поступающий через 25 диод 17 на туннельный диод 7, переключаяего на участок туннельной ветви характеристики (в низковольтное состояние). Однако транзистор 1 продолжает оставаться запертым, поскольку в его базе...

Номер патента: 219623

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Ленинградский, Марков

МПК: H03K 19/10

Метки: логический, элемент

...ным, двуредмет изобретен и Логический элемент, содержащный диод с параллельно включендающей К 1.-цепью и транзистор,по схеме с общей базой, от,гичачто, с целью повышения быстродетуннельного диода через резисторк источнику смещения и через кок источнику пусковых импульсов,эмиттеру транзистора. ий туннельой времязавключенныиюигийся тем тствия анод подсоединен нденсатор - а катод - к с присоединением заявки Известны логические элементы, содержащие туннельный диод с параллельно включенной времязадающей К 1.-цепью и транзистор, включенный по схеме с общей базой.Известные элементы, выполненные на туннельном диоде (ТД) и транзисторе, позволяют получить сравнительно большое быстродействие за счет ТД и однонаправленность действия за счет...

Номер патента: 219624

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Лашевский, Свердлов, Хавкин, Шевцов

МПК: G11C 11/34

Метки: импульсных, коммутации, токов

...металлизированные площадки, на которых установлены коллекто ры полупроводниковых элементов, причем эмиттеры (или коллекторы) каждого элемента присоединены к нанесенной на подложку общей шине, имеющей вывод из корпуса устройства. 2 дмет изобретен Устройство для коммутации импульсных токов, например, адресных токов запоминающих устройств, содержащее группу полупроводниковых элементов типа р - гг - р или и - р - и, отличающееся тем, что, с целью уменьшения габаритов и увеличения допустимой рассеиваемой мощности, на одной плоскости тепло- проводящей изоляционной подложки, выполненной, например, из бериллиевой керамики, нанесено сплошное металлическое покрытие, присоединенное, например, посредством пайки к основанию общего...

Номер патента: 219625

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Берг, Вальков, Петров, Старое

МПК: G11B 3/70, H03M 1/24

Метки: барабанов, вал-код, контактных, преобразователей, типа

...способы получения кодовых шкал осаждением на изоляционное основание тонкого проводящего слоя с последующим применением фотопечати и травления.Отличием описываемого способа является сборка кодового барабана в виде пакета разрядовых дисков с предварительно выполненными центральным и базовыми отверстиями и пазами, относительные размеры которых подобны весам разрядов, запрессовка оси и 1 штифтов соответственно в центральное и базовые отверстия, заливка компаундом в вакууме и доводка поверхности с установкой оси в центрах.Это упрощает процесс изготовления и по вышает срок службы барабана. Способ изготовления барабанов для контактных преобразователей типа вал-код, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления и повышения срока...

Номер патента: 219626

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Красик, Кулаков, Раппопорт, Шапошник

МПК: H03K 23/76

Метки: кольцевой, реверсивный, счетчик

...тиристоре. Анодное напряжение тиристоров создает также обратное смещение на диодах 8, присоединенных к анодам через резисторы 5. Только диоды в вснтильных схемах запертых тиристоров, находящихся по обе стороны от активного тиристора, могут пропускать входные импульсы, Когда на вход шин сложения или вычитания подается импульс, открывается со. седний тиристор с соответствующей стороны активного тиристора. Так емкость 12, включенная между анодами этих двух тиристоров, разряжается через проводящий тиристор и, создавая на аноде последнего обратное смещение, запирает его - происходит, сдвиг счетчика на одно положение.Перемагничивание соответствующих сердеч. ников запоминающих и компенсирующих элементов не вызывает появления сигналов на...

Номер патента: 219627

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Перекатов

МПК: G11C 11/10

Метки: 219627

...ИМПУЛЬСОМ 1 зап 2 ПодаЮТ ПО проводам разрядный импульс 1 р(при записи 1) или 1 ро" (при записи О). Им пульсы тока 1 р и 1 р,с поступают тольков один из разрядных проводников, так как между точками 8 и 9 включена первичная обмотка трансформатора, обладающая значительным индуктивным сопротивлением.массы поштучно захватывают рыбу и вносятСОВМЕСТНОЕ дЕйетВИЕ ИМПУЛЬСОВ 1 зап 2 И 1 рприводит к тому, что часть силовых линий замыкается одновременно вокруг числового провода записи и левого разрядного провода (при 30 ЗаИСИ О, когда ДЕЙСТВ ЮТ ТОКИ 1 зап 2 И 1 р,оф219627 2 вокруг числового провода записи и правого разрядного провода),Подача импульса считывания 1, по числовому проводу считывания образует магнитный поток Ф замкнутый вокруг этого...

Номер патента: 219628

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Свердлов

МПК: G11C 11/06, G11C 11/14

Метки: запоминающее

...прокладки.Это позволит увеличить устойчивость работы и быстродейстьис устройства.На чертеже изображен куб памяти запоминающего устройства.Он содержит многоотверстные феррнтовые пластины 1 с печатным проводом и металлические прокладки 2, соединенные шиной 3.При соединении шины с землей устройства (с нулевым потенциалом) все металлические прокладки также оказываются под нулевым потенциалом, Разрядный провод в этом случае имеет параметры, близкие к параметрам ндеальнои былинной линии. Малое волновое сопротивление разрядного провода уменьшает напряжение на нем, возникающее при прохождении разрядного тока, Это ослабляет влияние числовых проводов, проходящих сквозь отверстия пластин (на чертказаны), на волновые параметрыпровода. Металлические...

Номер патента: 219629

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Фельдман

МПК: G11C 11/06, G11C 11/14

Метки: запоминающее

...пзобретснг 11 звестны запоминающие устройства, содер. жащие ферритовый накопитель и накопитель на тонких магнитных пленках.Описываемое устройство отличается тем, что, с целью сокращения времени передачи информации, поступающей с фсрритового накопителя в накопитель на тонких магнитных пленках, ферритовый накопитель разбит на зоны, а одноименные сердечники всех зон ферритового накопитсля связаны общим проводом с соответствующими элементами накопителя на тонюгх магнитных пленках.На чертеже схематически изображено запоминающее устройство.Устройство содержит ферритовый накопитель 1 и накопитель 2 на тонких магнитных пленках. Ферритовый накопительразбит на зоны. Запоминающее устройство, содержащееферритовыЙ ггакопггтсль гг ггакопггтсль гга...

Номер патента: 219630

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Москаленко, Немков

МПК: G11B 15/00, G11B 5/00

Метки: лентеинформации, магнитной, накопитель, старт-стопный, цифровой

...ленты в виде двух шаговых двигателей таким образом, что вал одного двигателя с жестко закрепленным статором соединен посредством пары безлюфтовых шестерен с поворотным статором другого шагового двигателя, несущего на своем валу ведущий ролик.Это позволяет повысить скорость считывания информации и изменять длину шагового перемещения.На чертеже показана конструктивная схема блока привода ленты.Предложенный накопитель содержит блок привода ленты, блок магнитных головок, блок записи, блок считывания, контрольный блок, блок управления приводом ленты при записи и блок настройки длины шагового перемещения ленты.Блок приводас жестко закреп торого жестко посажена безлюфтовая шестерня 2.На валу двигателя 8 с поворотным стато. ром жестко...

Номер патента: 219631

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Ветошкин, Жаврид, Корженевский, Надененко, Русаков, Токарев

МПК: G11B 5/54

Метки: головок, дискам, еханизм, магнитным, магнитных, отвода-подвода, плавающих

...ДЛЯ ОТВОД МАГНИТНЫХ ГОЛОВОК Известные устройства перемещения плавающих магнитных головок в накопителях информации на магнитной поверхности содержат рычаги с регулируемыми пружинными подвесками головок, закрепленные на общем приводном валу, и узел подъема с приводным электромагнитом,Предложенный механизм отличается от известных тем, что в нем узел подъема содержит тягу с регулируемыми зажимами, соединенными с помощью тросиков с пружинными подвесками головок, и перемещаемый электромагнитом толкатель с возвратной пружиной, в кольцевую выточку которого входит тарельчатый конец тяги.Это упрощает конструкцию и вышает надежность работы устройства.На чертеже показана конструктивная схема устройства.Устройство содержит рычаг 1, плавающую...

Номер патента: 219632

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Андреещев, Трусевич

МПК: G11C 11/38

Метки: памяти, ячейка

...т пульсов.Это позволяет повысить помехоу нагрузочную способ ость генерато импульссв и уменьшить потребля ность. На чертеже приведена прин ма предлагаемой ячейки пам Ячейка состоит из транзис ного диода 2, нагрузочного со дифференцирующей цепи 4, 5. Транзистор 1, включенный щим эмиттером, используется вязывающего элемента между ти и как усили гель сигнала з щего в его базовую цепь. Туннельный диод 2 и сопр разуют элемент памяти ячейкиНаличие сигнала в базе транзистора 1 приводит и его отпиранию и перебросу коллекторным током транзистора туннельного диода из состояния О (низковольтное состояние 5 туннельного диода 2) в состояние 1 (высоковольтное состояние туннельного диода 2), т. е. происходит запись 1 и ее хранение до прихода...

Номер патента: 219633

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Лашевский, Старое

МПК: G11C 11/06

Метки: многоотверстная, пластина, ферритовая

...нескольких слоев исключает возможность совпадения дефектов во всех слоях в области, принадлежащей одному запоминающему элементу.Таким образом обеспечивается значительное увеличение однородности многоотверстных ферритовых пластин. Это снизит брак при их производстве, а также увеличит устойчивость и стабильность устройств памяти. Описыв она соде раополо Это по ва пласт аемая ржитженные зволя ины. пластина отл отдельные фвплотную др т повысигь ичается тем, чтерритовые слог к другу.агнитные свойс 1 а чертеже изображена о сываема тина состоит из несколь Слои изготавливаютсялитья или свободного щей прокаткой, Нескольскладываются и обж ствующем давлении, В образуется монолитна ра. С помощью ультраз т изобретен ких слоев ферметодом пресполива...

Номер патента: 219634

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Гродзенский, Гуральник, Росницкий, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, ячейка

...током в адресной обмотке, и полем, размагничивания, которое возникает 10 при повороте намагниченности к осевому направлению и замыкании магнитного потока, обусловленного этой намагниченностью вне ЦТМП.Обмотка считывания должна быть узкой, 15 чтобы поле размагничивания было велико, аистинное поле возбуждения адресного тока считывания б было меньше минимального поля анизотропии ЦТЯП во всех точках запоминающей ячейки, благодаря чему величина 20 остаточной намагниченности не будет уменьшаться при сколь угодно большом числе возбуждений (обращений к ячейке). Это происходит в том случае, если угол поворота намагниченности не превышает некоторой критиче ской величины, при которой он полностью обратим.Поле размагничивания возникает...

Номер патента: 219635

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Мильчаков

МПК: G06F 7/08, H03K 21/16

Метки: записи, совмещения, считывания

...содройствои 1 ееся тедействиялельно,соединенвыходны ство совмещ ержащее два и устройство м, что, с цел в нем рег а выходы ус ы с вышеупо м устройствоения записи и с регистра, выход распределения, о ью увеличения истры включены тройства распре мянутыми регист и,читываое уст- личаю- быстро- паралделения рами и оступлении2 устройствись лишь вегистр 1. Пр сла на вх распредел дин из реги этом одно ды,3 регистния 7 разрестров, напри ременно раз ш М тз , в Известны устр содсржашие два во и устройство р П р едлоукенное что в нем регист выходы устройст с вышеупомянут устройством. Это поз схемы. Схема предложенн иа чертеже. Схема состоитвходы 3 которых и б этих регистро соединены с выхо ления 7. При и ров 1 иОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Опубликовано...

Номер патента: 219636

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Лавриненко, Некрасов, Плахотный

МПК: G11C 11/22

Метки: памяти, пьезоэлектрический, элемент

...и под тивлеццс кИзвестны пьезоэлектрические элементы памяти, выполненные в виде двух соприкасающихся сегнетоэлектрических пластин возбуждения и генсратора,Предложенный элемент отличается тем, что для увеличения напряжения на нагрузке и улучшения развязки источников в него введена сегнетоэлектрическая пластина управления, помещенная между пластинами возбуждения и генератора и подключенная через реактивное сопротивление к генератору управления.Элемент памяти изображен на чертеже.Элемент памяти представляет собой склеен. ные, покрытые электродами пьезоэлектрические пластины. Генсраторная секция 1 и секция 2 возбуждения жестко поляризованы.При подключении на вход генератора синусоидальных колебаний в образце устанавливаются упругие...

Номер патента: 219637

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Институт, Телемеханики

МПК: G11C 11/06, G11C 27/00

Метки: 219637

...Пр Необходимости электроды 2 3 ъогут быть нс замкнутыми, а нанесены лишь на часть поверхности. 30 В полупроводниковых элементах Холла увеличение толщины элемента для получения большей мощности выходного сигнала обычно ведет к увеличению воздушного зазора ц, следовательно, к увеличению размягнцчцвающего фактора, Это заставляет уменьшать толщину полупроводИкогого элемента, а требуемую мощность сигнала получать с позощыо дополнительных усилителей.В прсдложенном устройстве увеличение пло,цади входных и выходных электродов 2 и 3 не имеет таких ограничений. Это позволяет получить более высокую мощность сигнала на выходе и лучший коэффициент использования магнитного материала сердечника 1.Принцип работы устройства закгночается в следующем.На...

Номер патента: 219638

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Алленов, Бчиков, Двойников, Дондыш, Кожевников, Минаева, Пашвыкин, Ремизов, Старостин, Сучков, Терехов

МПК: G06K 15/14

Метки: печатающее, электрографическое

...1, электродвигатель 2 и кривошипно-шатунную передачу 3, сообщающую валику возвратно-поступательное движение в осевом направлении. Предмет изобретенияЭлектрографическое печатающее уво, содержащее транспортирующий меузел смачивания, регсордср, нагревателустановки теллурового валика, от.гссчсгтем, что, с целью повышения срокаустройства, узел установки теллуровогка содержит электродвигатель с крившатунной передачей, сообщающейвозвратно-поступательное движение внаправлении. Известны электрографические печатающие устройства, содержащие транспортирующий механизм, узел смачивания, рекордер, нагреватель и узел установки теллурового валика, который не имеет возможности перемещаться Б в осевом направлении.Предложенное устройство отличается тем,...

Номер патента: 219639

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Всесоюзный, Минаков, Средств

МПК: H04N 5/14

Метки: приборам, радиотехническим, усилитель

...детекые превыоси 1 гитнапримерсодержащгулировктем, что,ности, втектор, ппомех, кся с уситора, прошают ур ровД,иД ого сигнала его без отетку лампы 25 ния. Детеком, что прое по уровню лы с детекг Л 2 с боль- Зо енин на входе детекто состоящего из полезн тектор Д, пропускаетна управляющую с коэффициентом усиле аивается таким образ ко те сигналы, которы яжения помех. Сигна ются на сетку лампь ояв напряже и помех сечки пЛ, с ма тор Д н пускает больше гора Д,омех лым астр толь гапр пода Известные усилители к ультразвуковым дефектоскопам, содержащие видеоусилитель идетектор с регулировкой чувствительности, необеспечивают высокой чувствительностиобнаружении мелких дефектов в контролмых изделиях.Г 1 редлагаемый усилитель отличается от...

Номер патента: 219640

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Гаспаров, Завь

МПК: H03K 9/06

Метки: селектор, частотный

...находящийся в состоянии - В при этом на выходе появится положительный сигнал в виде одиночного импульса. При достаточно малых рассогласованиях частот (Т, ( 2 Тр) этот сигнал будет идти с частотой биений В=А =- =р -При больших рассогласованиях будет возникать не одиночный импульс, а серия из нескольких положительных импульсов.Допустим, что рабочая частота стала ниже эталонной (" р (,; т. е, Тр) Т,), тогда им. пульсы рабочей частоты будут смещаться относительно импульсов эталонной частоты и сторону увеличения угла а, Так как 7 р ) 7то между импульсами рабочей частоты всегда будет находиться хотя бы один импульс эталонной частоты (фиг. 2, ы).Следовательно, положительная часть рабочего импульса всегда будет подаваться на сердечник,...

Номер патента: 219641

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Козленке, Резв

МПК: G01R 19/10

Метки: измеритель, процессов, случайных, уровня

...уровня случайных процессов, содержащие усилитель, аттенюаторы, частотновзвешивающий фильтр, выпрямитель-интегратор и индикатор, временная характеристика которых может изменяться в определенных пределах. Однако в известных схемах эта характеристика определяется постоянными времени зарядно-разрядной цепи одного интегрирующего конденсатора, и ее закономерность одинакова ча всех участках.Предлагаемый измеритель отличается тем, что выпрямитель-интегратор выполнен в виде параллельно соединенных звеньев, каждое из которых содержит включенные последовательно выпрямитель, интегрирующую цепь и потенциометры, причем выходы всех звеньев подключены по входу сумматора, а его выход - к индикатору.Сложение выходных напряжений с различными...

Номер патента: 219642

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Моносов, Электроники

МПК: H01P 1/16

Метки: возбуждения, колебаний, кристалле, спиновых, ферромагнитном

...ЭффСКТИВЦОСТЬ ВОЗОУ)КДСЦИ 51.Г 1 ри кол соаци 5 и рсшстки кристалла с ах 1. плтудой б ца частоте О в крРСталле появляется ьнутрсцнее магнитное поле Н, той жечастоты, неоднородное в пространстве и раьное где у 0 - константа магнитострикцип;Ч, - намагниченность насыщения кристалла;10 1 - размер образца.Для иттрисвого фсррита-граната, например,4 л Ч= 1750 э, у, = 10- и, полагая отцосител ьнос смсщсцпе кристалла, типичное для маг 15нптострикцпонных излучателей, - "-10по 1лучаем (Н/ 1 э, совпадающее по порядку величины с шириной гцщии поглощеш 1 я (2 ЛН) феррита и поэтому при фсрромагни 1- ном резонансе существенно влияюцсс ца свой ства сппновых колебашй в кристалле,Таким образом, если в кристалле возбуждены электромагнитные колебания (при...

Номер патента: 219646

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Воррнин, Либин, Специальное, Шиндеров

МПК: H01L 35/34

Метки: блочной, прессовки, термоэлементов

...труда и не поддается автоматизации.Предложенный способ отличается от изве. 10 стного тем, что для упрощения технологии коммутации и возможности автоматизации процесса сборки термобатарей блок прессуют пакетом, который собирают из трех предварительно сбрикетированных в холодной пресс форме пластин (одной сурьмяноцинковой и двух сурьмяных) и константановых скоб (по числу элементов в блоке и+1), полки которых вставлены между пластинами.Кроме того, для получения скоммутирован. 20 ного блока из последовательно соединенных элементов производят и - 1 резов на толщину Хп ЬЬ,На чертеже представлен готовый блок тер. 25 моэлементов,Он содержит брикеты 1 из Хп ЯЬ и брикеты 2 из ЪЬ и константановые скобы 3. Способ имеет следующую последовательность...

Номер патента: 219648

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Абдуллаев, Кочкарев, Кулиев, Наки, Насиров, Эпштейн

МПК: H01L 35/16, H01L 35/18

Метки: ветви, материал, положительной, термоэлемента

...8,9 и теллура 56,1.Кварцевую ампулу откачивают до вакуума10-а, заполняют сплавом и запаивают.Синтез ведут методом сплавления компонентов сплава. Для этого печь разогревают до1200 С и в нее вставляют ампулу. Осуществляют синтез в течение 2 час с периодическимвзбалтыванием сплава,После синтеза слиток дробят в ступке сфарфоровым пестиком до крупинок размером0,25 лм и прессуют в разъемной прессформес подогревом в брикеты. Температура прессования 200 С, давление 7 т/сл-, время выдержки под давлением 5 мин, Размер полученныхбрикетов ЗОХ 10 Х 10 мл.После прессовки брикеты подвергают 40 часовому отжигу в вакууме при температуре300 С.Полученные по указанной технологии термоэлементы имеют следующие термоэлектрические параметры:при комнатной...

Номер патента: 219649

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Гантц, Мещанов, Пешков

МПК: H01B 13/10

Метки: изоляцией, кабельных, фторопластовой

...к иром случае - от жилы 3 кслучаях максимальной верхности изоляции является максимально допустимая температура для ориентированной пленки, т. е. 360 в 3 С. Если учесть также, что теплопрогодность фторопласта низка и что для толщины 0,5 - 1 лл перепад темпсратур в изоляции может составлять 20 - 40 С, получим температуру внутренних слоев пленки у жилы в первом случае 320 - 340 С, а во втором 380 - 410 С.Следовательно, при нагреве со стороны жилы все слои пленки находятся под давлением и имеют 1 емпературу, достаточную для качественного спекания изоляции, а при на греве снаружи все слои пленки, хотя и нахо. дятся под давлением, имеют температуру, не достаточную для удовлетворительного сваривания внутренних слоев.Г 1 ри нагреве снаружи...

Номер патента: 219650

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Архангельский, Каетанович, Карасев, Ковалев, Крылов, Проектно, Смирнов, Чудин

МПК: H02G 7/20

Метки: токоведущий, шлейф

...шлейф для перехода через траверсу опоры высоковольтной линии электропередачи известен.,Предлагаемый шлейф 1 отличается тем, что он размещен на арке, например решетчатой, укрепленной на платформах-коромыслах, удерживаемых натяжными гирляндами изоляторов, закрепленных на опоре,Решетка арки может быть выполнена из алюминиевых трубок, являющихся токоведушими.Эти отличия позволяют уменьшить вес и габариты опоры, а также повысить эксплуатационную надежность линии.На чертеже изображен предлагаемый шлейф.Арка представляет собой гибкую конструкцию, состоящую, например, из токоведущих алюминиевых трубок 1, трехлучевых распорок 2 и растяжек 3. Арка представляет собой треугольник, площадь сечения которого увеличивается по мере приближения...

Номер патента: 219651

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Гутцейт, Морогин, Ненадкевич, Рижский, Чикалов

МПК: H01R 13/11

Метки: гнездо, штепсельное

...быстро изнашиваются в результате кинематических усилий и неравномерного обгорания контактов, работающих на сжатие.В предложенном штепсельном гнезде, с целью повышения надежности контактирования и уменьшения усилия сочленения, гофрированные контактные лепестки выполнены с прорезями в направлении перемещения кон. тактного штыря, имеют в средней части вспомогательный ламельный контакт, выступающий над вершинами гофр, и закреплены в верхней части корпуса. нтак ретения едмет и 15 Штепсельное,гн ванные контактны двух сторон плоск представляющие с деталь, отличающ 20 шения надежност щения усилия с контактные лепес в направлении пер ря, имеют в сред 25 ламельный контак нами гофр, и зак корпуса.здо,лепийбою ски изображено опиездо.азмещены...