Логический элемент
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 219623
Авторы: Ленинградский, Марков
Текст
2 Э 623 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республикриоритет публиковано 14.Ъ.1968, Бюллетень19Дата опубликования описания 4.Х.1968 Комитет по делам зобретений и открытий при Совете Министрое СССРАвтортзобретения 1 О, В. Марко Заявител ский электротехнический институт связимени проф. М, А, Бонч-Бруевича ен ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ й цепью соединяется последовательно ром транзистора, включенного по схе ей базой. В результате обеспечиваетя связь между ТД и транзистором, и ор не участвует в процессах переклю, а только передает перепад тока ТД ку коллекторной цепи.ртеже приведена принципиальная схеента.нт содержит 1 Д 1, времязадающую 2 и 3, резистор смещения 4, транзисключенный по схеме с общей базой, и тор б, через который подаются запуили синхронизирующие импульсы. т элемента может быть одностабильстабильным и астабильным,задающе с эмитте ме с общ ся слаба гранзист чения ТД в нагруз На че ма элем Элеме К 1.-цепь тор 5, в конденса скающие Режих ным, двуредмет изобретен и Логический элемент, содержащный диод с параллельно включендающей К 1.-цепью и транзистор,по схеме с общей базой, от,гичачто, с целью повышения быстродетуннельного диода через резисторк источнику смещения и через кок источнику пусковых импульсов,эмиттеру транзистора. ий туннельой времязавключенныиюигийся тем тствия анод подсоединен нденсатор - а катод - к с присоединением заявки Известны логические элементы, содержащие туннельный диод с параллельно включенной времязадающей К 1.-цепью и транзистор, включенный по схеме с общей базой.Известные элементы, выполненные на туннельном диоде (ТД) и транзисторе, позволяют получить сравнительно большое быстродействие за счет ТД и однонаправленность действия за счет транзистора. Но так как транзисторы более инерционны, чем ТД, то при сильной связи между ТД и транзистором, быстродействие переключения ТД не используется полностью. Быстродействие схемы ухудшается в результате подключения входного импеданса транзистора к 1 Д, а также использования области отсечки и насыщения транзистора.Предложенный элемент отличается тем, что анод туннельного диода через резистор подсоединен к источнику смещения и через конденсатор - к источнику пусковых импульсов, а катод - к эмиттеру транзистора, Это позволяет повысить быстродействие.Цель изобретения заключается в увеличении скорости переключения логического элемента, выполненного на ТД и транзисторе, при сохранении усилительных свойств ячейки.В предлагаемом элементе эта цель достигаЮтся благодаря тому, что ТД вместе с времятгмгаст ь .тт 1 г .тВий ФЬЮЗаказ 2842/9 Тираж 530 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д, 4 Типография, пр, Сапунова, 2
СмотретьЗаявка
1164362
Ю. В. Марков, Ленинградский электротехнический институт имени проф М. А. Бонч Бруевича
МПК / Метки
МПК: H03K 19/10
Метки: логический, элемент
Опубликовано: 01.01.1968
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-219623-logicheskijj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Логический элемент</a>
Логический импульсно-потенциальный элемент «вентиль-запрет»
Номер патента: 262170
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Артюх, Вычислительной, Загурский, Латвийской
МПК: H03K 19/08
Метки: «вентиль-запрет», импульсно-потенциальный, логический, элемент
...полярности.25 Поскольку при этом обращенный диод смещен на диффузионную ветвь, то вследствиенелинейности его вольтамперной характеристики напряжения в точках 9 и 10 оказываются малозависимыми от изменения величины30 источника смещения +Е, Под воздействием262170 Предмет изобретения оставитель А. Федорова Техред Л. Я. Левина Корректор В. В. Комаров Редакт Ди бобе аказ .1296/6 Тираж 500 Подписно 11 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова,3установившихся напряжений в точках 9 и 1 О диод 4 смещается в обратном, а диод б - в прямом направлениях. При протекании тока через прямосмещенныи переход диода б в его базе накапливается заряд неосновных...
Способ формирования источника базы при изготовлении транзисторных структур
Номер патента: 653647
Опубликовано: 25.03.1979
МПК: H01L 21/02
Метки: базы, изготовлении, источника, структур, транзисторных, формирования
...второго регулирующего слоя. На подготовленную таким образом пластину наносят слой фоторезистора 6, формируют защитный рельеф требуемого рисунка, после чего травят второй маскирующий слой 5, например молибден, в травителе, состоящем из 14 об. ч. концентрированной ортофосфорной кислоты, 7 об. ч. ледяной уксусной кислоты и 1 об. ч. деионизованной воды. Маскирующий слой 4 и экранируюший слой 3 травят примерно с одинаковыми скоростями до легируюшего слоя, например в О-травителе, состоящем из 1 об. ч. концентрированной фтористоводородной кислоты, 3 об.ч, ледяной уксусной кислоты и 25 об. ч 1%-ного водного раствора щавелевой кислоты. Получают структуру, показанную на фиг. 4. В дальнейшем поперечным травлением доводят размеры регулирующего...
Способ изготовления изоляции элементов интегральных схем
Номер патента: 1111634
Опубликовано: 10.04.1996
Авторы: Кокин, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев
МПК: H01L 21/76
Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и части подложки канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение слоя поликристаллического кремния, удаление его с изолируемых областей и канавок, окисление поликристаллического кремния в канавках, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем за счет улучшения планарности, на маскирующих пленках дополнительно осаждают пленку фосфоро- или боросиликатного...
Способ изготовления изоляции элементов интегральных схем
Номер патента: 1340500
Опубликовано: 20.04.1996
Авторы: Даниелян, Евдокимов, Зайдлин, Манжа, Фишель
МПК: H01L 21/76
Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и в исходной подложке канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение двуокиси кремния, удаление двуокиси кремния с изолирующих областей и частично с канавок, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления изоляции элементов за счет снижения требований к профилю канавок и повышения выхода годных интегральных схем путем устранения пустот в канавках, осаждение двуокиси...
Способ изоляции элементов интегральной схемы
Номер патента: 426602
Опубликовано: 05.07.1977
МПК: H01L 27/00
Метки: изоляции, интегральной, схемы, элементов
...кремния; исключит" образование кристаллитов на незащищенныхокислом участках поверхности монокристаллической подножки. Выполнение этих условийсущественно ограничивает технологические воз.можности, затрудняет получение воспроизводимыхрезультатов и отрицательно влияет на качествоизоляции, что снижает процент выхода годныхинтегральных схем и, соответственно, увеличиваетих себестоимость,Цель изобретения . повышение воспроизводимости параметров приборов,Цель достигается тем, что по предлагаемомуспособу на поверхности оклсной пленки до выращивания слоя кремния создают промежуточныйслой из тугоплавкого материала, температураобразования эвтектики которого с кремнием нижете мпературы энитаксиальноговыращиваниякремния. Для создания...
Предыдущий патент: Схема совпадения
Следующий патент: Устройство для коммутации импульсных токов
Случайный патент: Способ производства ленты из дисперсионнотвердеющих сталей