Патенты с меткой «кристалла»

Способ изготовления тел, состоящих из одного кристалла металла с высокой температурой плавления

Загрузка...

Номер патента: 16307

Опубликовано: 31.08.1930

Автор: Анонимное

МПК: H01K 3/02

Метки: температурой, плавления, состоящих, одного, металла, высокой, кристалла, тел

...другим способом, Внутри резервуара 1 помещается чодочка 6, наполненная порошком вольфрама, в случае надобности - с надлежащей примесью.Удалив воздух из резервуара 1 и наполнив его парами хлористого вольфрама, нагревают электрическим током тело 4 (напр., до температуры 1200 - 1400 С), Порошок в лодочке 6 нагревают каким- либо способом, напр., электрическим током, проходящим по сопротивлению 7, напр до 460 - 1000 Ц. При диссоциации йаров хлористого вольфрама метачп осаждается на поверхности тела 4.Освобождающийся прн этом хлор реагирует с нагретым порошком вольфрама, образуя новые количества способного к диссоциации, хлористого вольфрама, при чем помещение лодочки 6 в один резервуар с телом 4 необязательно.В этом случае диссоциирующее...

Держатель для пьезоэлектрического кристалла

Загрузка...

Номер патента: 22759

Опубликовано: 30.09.1931

Автор: Рогунов

МПК: H03H 9/05

Метки: держатель, кристалла, пьезоэлектрического

...ийся те динеи с з посре вижчто дви- ство применеля точно% Е, П,Предлагаемое изобретение касается держателя для пьезо-электрического кристалла с применением подвижного электрода и состоит в особой форме конструктивного его выполнения,Согласно чертежу, электрод 1 соединен с движущим устройством через посредство шарового шарнира 2, при чем для точной его установки применен микрометренный винт 3, с навесенными по окружности его головки делениями.Если требуется установить подвижной электрод точно параллельно грани кристалла 4 и при том на определенном расстоянии от нее, то поступают следующим образом: вращают микрометренный винт до тех пор, пока электрод не придет в соприкосновение с кристаллом. При некотором нажиме электрод становится так,...

Способ относительного перемещения кристалла и счетчика в рентгеновском спектрографе

Загрузка...

Номер патента: 146074

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Богданов, Боровский, Дицман

МПК: H05G 1/02, G01T 1/36, G01N 23/223 ...

Метки: рентгеновском, относительного, спектрографе, перемещения, кристалла, счетчика

...4 н 5 на шлицовый вал б. Косозубая шестерня 7, скользящая по шлицовому валу б совместно с кареткой К кристаллодеркателя, передает вращение на ходовой винт КС посредством косозубой шестерни 8 и сцепления Гука. Каретка С счетчика перемещается от ходового винта КС по направляющим (на схеме не показаны).Угол поворота кристалла и счетчика обеспечивается двумя штангами, закрепленными на одной оси на каретке, скользящей по копиру 9. Последний представляет собой сектор, радиус которого соответствует радиусу круга Роуланда,В описываемом, согласно предложенному способу, устройстве исследование может вестись методом на отражение с микрофокусным источником рентгеновского излучения.Предложенный способ может найти применение при изготовлении...

Оптический преобразователь частоты из пьезоэлектрического кристалла

Загрузка...

Номер патента: 200010

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Жарков, Институт, Ленинградское, Бокуть, Хаук, Овчинников, Шапиро

МПК: H01S 3/10

Метки: кристалла, пьезоэлектрического, частоты, оптический

...волнами основной 20 гармоники излучения и преобразованным излучением второй гармоники (например, для дигидрофосфата калия и длины волны моно- хроматического излучения 1,06 лк срез определяется углами 0=58,5 и р= 0 или 90, 25 где 0 - угол между оптической осью Л кристалла и направлением фазового согласования, а р - угол между осью Х и проекцией направления фазового согласования на плос.кость ХУ). 0 - угол между и направлением - угол между Для расширения частотного диапазона оптических квантовых генераторов используют преобразователи частоты оптического излучения на кристаллах, обладающих нелинейным оптическим эффектом. Известны преобразователи частоты, в которых происходит фазовое согласование входного и преобразованного излучения....

Устройство для регулирования диаметра кристалла

Загрузка...

Номер патента: 209412

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Каморин, Макеев, Чистов, Лагутин, Вольп, Забелышенский, Миттельштейн, Воронов, Щипунов

МПК: C30B 13/30

Метки: кристалла, диаметра

...линейный масштаб.5 Преобразованное изображение проецируется на полупрозрачный проекционный экран 10, за плоскостью которого установлен фогоприемник 11, снабженный приводом 2, вращения его в горизонтальной плоскости, в,на правлении,продольной оси проецируемогоизображения. Скорость вращения фотоприемника должна быть больше скорости вращения кристалла с тем, чтобы изменение скорости вращения кристалла не влияло на точность 15 измерения диаметра.Фотоприемник 11 вырабатывает имгпульсыпрямоугольной формы, длительность которых зависит от изменений размера изображения диаметра расплавленной зоны, соответствую щего заданному диаметру кристалла. Импульсы поступают в преобразователь 13 с время-импульсной схемой измерения, вырабатывающий эталонный...

Способ контроля диаметра кристалла

Загрузка...

Номер патента: 220961

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Белогуров, Радкевич

МПК: C30B 17/00

Метки: диаметра, кристалла

...темвыращ-нимаютысоту и ии после Известный способ контроля диаметра сталла, находящегося в тигле, в процессе ращивания его из расплава заключается сравнении величины поглощения радиоак ного излучения выращиваемым кристалло эталоном.Особенностью описываемого способа явл ся то, что выращиваемый кристалл пери чески поднимают относительно тигля на данную высоту и измеряют уровни расплав тигле до и после подъема. Это позволяет ределить диаметр кристалла в процессе вь щивания без использования сложного об дования. Расплав исходного матери тигле, представляющем собой ческой формы. В процессе ро периодически поднимают отн на небольшую высоту поряд расплава в тигле при подъе. нижается на величину, соот соте подь ем а и ди а м етру кр что...

Способ легирования области кристалла полупроводника

Загрузка...

Номер патента: 236657

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ройзин, Ларионов

МПК: H01L 21/326

Метки: полупроводника, области, легирования, кристалла

...полосОВыс элстроды шириной полосы в пределах 0,1 - 100 к с мироцеодцородцлстыо по краю меньше 0,01 як., З С Г И 3 О 0 Р С Т С И И 5 Способ лсг лУпРОВОДПП 2 О алмаз пмтем Изобретение относится к технологии изготовления полупроводни )хов х приборов.Известные способы изготовления элетродо И ЛСГИРОВЯЦИЯ ИС ПОЗВОЛ 5 ПОТ ПОЛ 51)ИТЬ ПОЛ О- вой электрод в виде прямой приза) с р)Вцо - мерным распределением примесей.Предлагается для легирован)гя полупроводникового матервала перс мещать ряспля.сциый металл под действием тока, а тя 5 с создавать моцокристалличсскис электроды в Ви;е прямой многогранной призхы. Сущное) способа зя)сл)01 яетс 5 В том, )ТО В.01)яв сталлографичсскую ориентацию повсрхост: полупроводника и направление вектора плотности...

Способ защиты поверхности оптической детали из кристалла фтористого лития

Загрузка...

Номер патента: 386362

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G02B 1/10

Метки: поверхности, защиты, оптической, фтористого, лития, детали, кристалла

...настанке для просветления. Скорость вращения детали может быть такой же, как прпнанесении пленки двуокиси кремния,о 280 - т и де Прогрев гетеросило 300 С с в течение 1чается и д ной темпе пленки280 -туре в выклю- омнатИзобрете и нанесения защ ающего действия в тических деталей.Известен способ защиты оптических деталей путем образования на их поверхности покрытий из раствора ортокремневого эфира с гетеросилоксаном.Однако полученная пленка обладает низкой адгезией к поверхности кристалла фтористого лития и не обеспечивает достаточной влагостойкости.Для повышения влагостойкости по предлагаемому,способу перед нанесением покрытия деталь термооорабатывают при температуре 280 - 300 С и ноносят 10% -ный спиртовой раствор этилового эфира...

Устройство для выявления дефектов поверхности кристалла полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 390422

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Амазасп, Григор, Афанасьева

МПК: G01N 21/95, H01L 21/66

Метки: кристалла, поверхности, приборов, выявления, полупроводниковых, дефектов

...изображения с усиленным или ослабленным контрастом.20 Длч получения видимого изображения используется световой сигнал, отраженный от поверхности объекта при сканировании светового зонда и регистрируемый фотоэлектронным умножителем.25 На чертеже изображена блок-схема устройства, где обозначены: 1 - телевизионная проекционная трубка; 2 в объектив; 3 - полупро водниковый прибор; 4 - видеоусилитель фотоответа; 5 в световод; б - фотоэлектронный 30 умнояитель (ФЭУ); 7 - видеоусилитель ФЭУ;390422 Составитель В. Громоедактор Б. Нанкина Техред Е. Борисова ейзерман Царькова рректоры: Ми аказ 30686ЦНИИПИ Изд.1734 Тираж 755 осударственного комитета Совета Минист по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5одписное Типография,...

Способ получения нормального слоя жидкого кристалла

Загрузка...

Номер патента: 429083

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Чист, Шубникова, Иванов, Висти, Горина, Ордена

МПК: C09K 19/52

Метки: жидкого, кристалла, слоя, нормального

...получать нормальный слой путем добавления к жидкому кристаллу такого поверхностного вещества, как ионол, Нормальный слой жпдкого кристалла имеет подвижную структуру и любая внешняя сила (механическая, электрическая, магнитная и т. д.) способна изменить расположение молекул в слое, вызывая просветления его меж ду скрещенными николями. Но как тольковнешнее воздействие снимается, нормальный слой быстро восстанавливается, и жидкий кристалл снова становится темным между скрещенными николями, Время восстановле ния нормального слоя будет зависить от толщины слоя, убывая с уменьшением последнего. Так как в тонких слоях ориентирующее действие подложки с закрепленной на ней мат.рицей из примеси более сильное, то и упругие 15 слои более...

Способ определения блочности кристалла корунда

Загрузка...

Номер патента: 529411

Опубликовано: 25.09.1976

Авторы: Тиман, Литвинов, Коневский, Гринченко

МПК: G01N 27/78

Метки: корунда, блочности, кристалла

...Если полученное соотношениенаходится в пределах 9:8:5 - 9;(6,4):3, то кристаллмалоблочный, если оно меньше 9: (6,4):3 - кристалл блочный. Граница такого разделения являетсяусловной, но с ее помощью можно легко выявить З 1значительные отклонении в ту или другую сторону.Если наблюдается расщепление сателлитных линий, то измеряют расстояние между отдельнымипиками, которое однозначно определяет уголразориентации отдельных блоков. ИУгловой интервал ориентации кристалла выбранисходя из того, что данные ориентации осуществимы для монокристаллов корунда с обычно встречающимся расположением оптической оси подо60 - 90 по отношению к геометрической оси крис- ЗОталла.При углах менее 62 начинается наложение рядаолиний спектра, так что получить...

Способ монтажа кристалла на кристаллодержателе

Загрузка...

Номер патента: 566693

Опубликовано: 30.07.1977

Авторы: Григорьев, Стаховский, Трубин

МПК: B23K 1/00

Метки: кристалла, монтажа, кристаллодержателе

...описываемый способ.Блок-схема содержим вакуумный захват 1, который забирает кристалл 2 и помещает его на площадку припоя 3. Последний покрывает кристаллодержатель 4, удерживается в определенном положении нагревателем 5, Вакуумный захват 1 связан с датчиком 6 давлеш 1 я воздуха.Способ состоит в следующем.Монтаж кристалла 2 на кристаллодержателс 4 осуществляется с помощью вакуумного захвата 1. Кристалл 2 закрывает отверстие вакуумного захвата 1. Создается усилие, прижимающее кристалл 2 к вакуумному захвату 1. Величина этого усилия определяется степенью разрежения воздуха в вакуумном захвате 1. Кристалл 2 забирается вакуумным захватом 1, прижимается к нагретому нагревателем 5 кристаллодержателю 4 с площадкой припоя 3. При нагревании...

Способ крепления кристалла в корпусе инструмента

Загрузка...

Номер патента: 575188

Опубликовано: 05.10.1977

Автор: Антипенко

МПК: B23K 11/10

Метки: кристалла, инструмента, крепления, корпусе

...устаиавдиваюг с зазором 0во вспомогатепьцую втулку, имеюиую наружную кони вескую поверхность и выполненнуюиз материала, сваривоюцегося с материапомкорпуса, затем втулку с кристаллом вставляют в корпус и осуше твпяют нагрев и 35обжатие их в эпектродах контактной сварочной машины,Предлагаемый способ поясняется чертежем.Йпя осуществдения способа предворительно изготавливают вспомагатепьную втулку 1.Йпя этого на токарном (ревопьверном)станке в стальном прутке производят сверпенйе отверстия диаметром, равным 1,2диаметра ипи наибопьшего размера по ширине кристаппа 2 хрупкого твердого материапа, обтачивают наружный диаметр втулки 1 сугпомконуса 3,5-4 и обрезают на дпину, равную1,5 длины кристадпа,Толщина стенки втудки 1 со стороныменьшего...

Способ получения гомеотропного слоя жидкого кристалла в электрооптической ячейке

Загрузка...

Номер патента: 576559

Опубликовано: 15.10.1977

Авторы: Калинина, Рабинович, Гриднев, Клейнман, Чупахин

МПК: G02F 1/13

Метки: электрооптической, ячейке, гомеотропного, кристалла, слоя, жидкого

...получают практически однородный гомеотропно ориентированный слой НЖК (плотность дефектов уменьшается в 10 раз в сравнении с известным способом), с улучшенными электрооптпческимп характеристиками, например контраст в режиме динамического рассеяния возрастает на 15 - 25%, и с высокой стабильностью электрооптическпх характеристик во времени (срок служоы элсктрооптической ячейки до 10000 - 17000 ч). Пример. Ячейка из стекол с токопроводящими прозрачными электродами (слой ЯпО,) е нематнчсскпм жидким кристаллом - и-метоксибензилиден-и-и-бутнланилином (МББА), Толщина слоя 30 мкм. Ячейка герметизирована. В соответствии с предлагаемым способом ячейка нагревается до 65+-5 С и к токопроводящпм электродам подводится постоянное электрическое...

Гониметрическое устройство для резки и шлифовки кристалла

Загрузка...

Номер патента: 602372

Опубликовано: 15.04.1978

Авторы: Третьяков, Кассациер

МПК: B28D 5/00

Метки: шлифовки, кристалла, гониметрическое, резки

...во время резки или шлифовкидля придания устойчивости кристаллу в заданном положении,Правильность конструкции устройства заключается в строго определенном положенииосей поворотных кругов гониометрической системы между собой и в строго определенномположении этих осей относительно оси режуще.го (шлифовального) инструмента. Они расположены следующим образом; ось горизонтального поворотного круга (АА) - в плоскости,строго перпендикулярной оси инструмента (0)и, одновременно, перпендикулярна плоскостямгоризонтальних перемещений стола (Р ) и шпинделя 48 (Р 2) станка (см. фиг. 1); ось, вертикального поворотного круга (А.А) - строгоперпендикулярно оси горизонтального круга(А А,), в одной с ней плоскости и, одновременно, в одной из...

Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лития

Загрузка...

Номер патента: 585753

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Баркан, Пестряков, Ибрагимова, Айрапетян, Маренников

МПК: G03H 1/18

Метки: регистрирующей, голографической, ниобата, кристалла, лития, среды

...сред путем термообработки (11. Голограммы, зарегистрированные на кристаллах ниобата лития, являются нестабильными, что позволяет использовать нх в указанных разработках. 1 ОПри разработке голографического запоминающего устройства (ГЗУ), содержащего в качестве регистрирующей среды монокристалла ниобата лития с концентрацией железа 0,3-1,0 весЛ, было установ лено, что регистрирующая среда обладает свойствами самостирания голограмм; процесс самостирания голограммы подчиняет ся экспоненциальному закону от времени, т, е, дифракционная эффективность запи санной голограммы экспоненциально убывает со временем; характерное время экспоненты T (время самостирания) резко убывает с ростом концентрации железа. Например, для кристалла с...

Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лития

Загрузка...

Номер патента: 586731

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Пестряков, Маренников, Ибрагимова, Баркан, Айрапетян

МПК: G03H 1/18

Метки: среды, ниобата, регистрирующей, кристалла, лития, голографической

...распознавания и передачи информации; устройств пространственно-частотной фильтрации; оптоэлектронных корреляторов и некоторых других специализированных устройств.Известны спосо 5 ы о 5 работки голографических регистрируюших сред путем нагрева или освещения их. Голограммы, записанные на атнх материалах, устойчивы при комнатной и температуре, но легко стираются путем повышения температуры или при приложении магнитного поля 11.Голограммы, аарегистрированные на кристаллах нио 5 ата лития, являются нестабильными, что позволяет применять их в укаэанных разработках, При разработке голографического запоминающего устройства (1,3 У), содержашего в качестве регистрирующей среды монокристалл ниобата лития с концентрацией желева 0 3- 0,1 вес, Ъ...

Способ увеличения оптической прочности кристалла

Загрузка...

Номер патента: 648007

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Галусташвили, Тактакишвили, Паперно, Бархударов, Андроникашвили

МПК: H01S 3/02

Метки: кристалла, увеличения, оптической, прочности

...- повышение пороговой плотности энергии оптического пробоя,Это достигается тем, что по предлагаемому способу кристалл предварительно нагружают.в области пределатекучести и в нагруженном сост ииоблучают потоком-лучей доэо1-210 рад.П р и м е р. Исследуемый кристаллНаС 1 в форме пластины 30 х 20 х 3 юсефподвергают одноосному сжатию вдолькристаллографического направления:(100) и облучают ) -лучами при комнатной температуре. Обработанный таким образом кристалл исследуют на;.пробой лучом импульсного СО - лазера атмосферного давления с двойнымпоперечным разрядом. Импульс излучения имеет сложную форму: за пиком длительностью 100-150 нс следу.ет фхвост продолжительностью 1,52 мкс. Длина волны излучения 10,6мкм. Луч фокусируют на...

Система автоматического регулирования диаметра кристалла, выращиваемого из расплава

Загрузка...

Номер патента: 599403

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Сиваков, Туровский, Шендерович, Максимов, Шубский

МПК: B01J 17/08

Метки: расплава, выращиваемого, кристалла, диаметра

...фильтр 4, Фотоприемник 5, соединенный с формирователем 2 сигнала,который подсоединен к регулятору 6диаметра. Система содержит также регулятор 7 перемещения скорости кристалла, связанный с электроприводом58, датчик 9 температуры, регулятор10 температуры, соединенный с блоком11 управления мощностью нагревателя,регулятор 12 перемещения тигля, связанный с электроприводом 13, вычислитель 14, подключенный на вход регулятора 12, водоохлажденную камеру 15,тигель 16, нагреватель 17, электроприводы 18 выращивания кристалла и тигель 19.После расплавления материала и раз ращивания конусной части кристалла20 оператором осуществляется выход ина заданный диаметр, который сопровождается возникновением световогокольца вокруг. кристалла. На световое...

Способ маркирования участка поверхности полупроводникового кристалла, соответствующего объемному микродефекту

Загрузка...

Номер патента: 728183

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Освенский, Бродская, Вдовин, Мильвидский, Шифрин, Моргулис

МПК: H01L 21/263

Метки: полупроводникового, поверхности, объемному, маркирования, участка, микродефекту, соответствующего, кристалла

...участка из всех отмаркированных участков того же типа.Цель изобретения - обеспечение универсальности способа и защиты микродефекта от воздействия на него при маркировке,Цель достигается тем, что по предлагаемому способу экспонируют электронным пучком участок поверхности кристалла над обнаруженным микродефектом, а затем проводят травление. Экспонирование электронным пучком участка поверхности кристалла проводят при токе электронного пучка 10 6 - 10А, вакууме 5 10- 5 10торр и продолжительности 1 - 1000 с. Травление кристаллов после экспонирования проводят в известном для каждого материала полирующем травителе.При экспонировании электронным пучком поверхности кристалла в точке пересечения ее с электронным пучком осаждается...

Устройство для распиливания кристалла

Загрузка...

Номер патента: 779098

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Турко, Аптекман, Дьяков, Деледивка

МПК: B28D 1/02

Метки: распиливания, кристалла

...9 и посредством кодового винта 10 имеет возможность перемещаться вертикально в направляющей11. 15В центре злектрбмагнита 7 дополнительной нагрузки в изоляционнойчашке 12 установлена немагнитная контактная площадка 13 блока 14 управления током электромагнита дополнительной нагрузки 7 и блока 15 выключения подачи,Блок выключения 15 подачи представляет собой ключевую схему, выключающую электродвигатель 9 привода подвижной опоры 8 в случае отсутствия контакта между опорным винтом б и контактной площадкой 13.Кроме того, устройство содержитраспиловочный диск 16, приводимыйво вращение двигателем 17 посредством ременной передачи 18. На немагнитной площадке 13 укреплен микропе-.реключатель 19.Устройство работает следующим образом....

Способ определения ориентировки кристалла

Загрузка...

Номер патента: 890176

Опубликовано: 15.12.1981

Автор: Красильников

МПК: G01N 23/20

Метки: ориентировки, кристалла

...)где ы - угол поворота между отражающими положениями исследуемого и эталонного кристаллов;Ви 6 - углы дифракции исследуемого и эталонного кристал-лов,На чертеже показаны исследуемыйкристалл 1, эталонный кристалл 2, падающий рентгеновский луч 3, рентгеновский луч 4, отраженный исследуемым кристаллом, рентгеновский луч 5, отраженный эталонным кристаллом; ОА - отражающее положение кристаллографическойплоскости исследуемого кристалла, ОВ -отражающее положение кристаллографической плоскости эталонного кристалла,ОС - положение кристаллографическойплоскости исследуемого кристалла приотражении луча кристаллографическойплоскостью эталонного кристалла, Й 1,- нормали кристаллографической плоскости и плоскости среза исследуемогокристалла, Ч), о -...

Способ контроля диаметра кристалла

Загрузка...

Номер патента: 899740

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Шархатунян, Миняйло

МПК: C30B 15/22

Метки: диаметра, кристалла

...раз 2 .Однако при контроле диаметра кристалла данным способом выручитывать действие сил поверхностногонатяжения и вес гидростатического столба расплава, что усложняет контроль,11 ель изобретения - упрощение и повышение чувствительности контроля диаметра кристалла в процессе вытягивания егоиз сопла по методу Чохральского.Поставленная цель достигается тем,что контроль диаметра кристалла, вытягиваемого из расплава по методу Чохральс 1кого путем измерения параметров процесса, осуществляют измеряя в процессе выращивания момент сопротивления на валупривода и по его изменению судят об изменении диаметра кристалла.15Пример реализации предлагаемого способа изображен на чертеже.Кристалл 1 вращается с постояннойугловой скоростью И и...

Способ изгиба кристалла

Загрузка...

Номер патента: 912521

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Розум, Воробьев

МПК: B28D 5/00

Метки: изгиба, кристалла

...пленки, равномерной по толщине, но имеющей больший (или меньший) коэффициент теплового расширения, на поверхность кристалла в месте контакта его с пленкой действует сжимающее (или растягивающее) усилие, одинаФормула изобретения Составитель Х.ХамидуловТехред М. Надь Корректор А.Ференц Редактор Н.Воловик Заказ 1257/23 Тираж 604 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5, счет неравномерной жесткости кристалла, - в сечении с меньшей толщиной она меньше, в сечении с большейтолщиной - больше, кристалл изгибается также неравномерно, - в местахменьшей толщины радиус изгиба меньше, в местах большей толщины радиусизгиба больше,П р и м е р. Кристалл кремния 1...

Способ определения формы полупроводникового кристалла

Загрузка...

Номер патента: 968595

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Арман, Медвидь, Миезитис, Берзин

МПК: G01B 7/16

Метки: формы, полупроводникового, кристалла

...размещают вэлектростатическом поле, направле 40 ние которого перпендикулярно к направлению вектора напряженности магнитного поля, поворачивают кристаллвокруг оси, параллельной направлениювектора напряженности электростати 45 ческого поля на 360 , получают зависимость силы тока от угла поворота кристалла и по ней определяютформу кристалла.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе50 1, мето , неразруш ,щих испыта11 иний. Под ред. Р.,Шарпа. М., Мир1972, с. 82-83.2. Ягудин Г.Х., Шибаев Л.Л.,Пономаренко О. НБесконтактные ме55 год нераэрушаюцего контроля электрофизических параметров полулроводниковых структур, ЦНИИ "Электроника", М., 1973 (прототип). силы тока 3 от угла поворота длякристалла, имеющего форму прямоугольной...

Модель кристалла

Загрузка...

Номер патента: 987659

Опубликовано: 07.01.1983

Автор: Крохмаль

МПК: G09B 23/00

Метки: кристалла, модель

...вернуть поршень в ис"ходное положениефиг, 2 ). При снятииусилия взаимное расположение шаров неизменяется, т.е. моделируется процесспластической деформации. гзШаровые модели атомов 1 и 2 соеди"нены при помощи пар поршень-цилиндрс другими моделями атомов и в целом моделируют его пространственную структуру,9 фФормула изобретенияМодель кристалла, состоящая изшаровых моделей атомов и элементов,.имитирующих межатомные связи, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с цельюповышения наглядности путем обеспечения возможности моделирования пластической деформации кристалла, она име"ет установленные на каждой модели атома шаровые шарниры, а каждый элемент,имитирующий межатомные связи, состоитиз соедйненных с шарнирами цилиндра,имеющего клапан и...

Устройство для получения и закрепления образца кристалла для исследования физико-механических свойств

Загрузка...

Номер патента: 1021976

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Маринин, Леонтьева, Дацко, Оберемченко

МПК: G01N 1/00

Метки: свойств, закрепления, образца, исследования, кристалла, физико-механических

...зазоров,Целью изобретения является повышение точности результатов, получаемых при исследовании внутреннеготрения в криокристалле с помощьюкрутильного маятника, за счет безлюфтоеого закрепления образца,Цель достигается тем, что .устройство для получения и закрепления 2образца криокристалла для исследования физико-механических свойств, содержащее вакуумную камеру, криостат, размещенную е нем ампулу-кристаллизатор, служащую для выращивания криокристалла, и соосно установленные е ней верхний подвижный и нижний неподвижный вмораживаемые захваты, снабжено стаканом с отверстием в боковой стенке для вывода паров кристаллизующегося газа, установленным в ампуле-кристаллиэаторе дном вверх и охватывающим конец подвижного захвата, а каждый из...

Способ определения отклонения угла ориентации кристаллографических плоскостей от заданного угла относительно поверхности среза кристалла (его варианты)

Загрузка...

Номер патента: 1052956

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Агеев, Казанский, Комяк, Гоганов

МПК: G01N 23/20

Метки: поверхности, плоскостей, его, кристаллографических, ориентации, варианты, угла, отклонения, заданного, кристалла, относительно, среза

...разности измеренных углов 2.5 Наиболее близким кпредлагаемомуявляется способ определения отклонения угла ориентации кристаллографических плоскостей от заданного угла относительно поверхности среза кристалла, включающий облучение поверхности среза исследуемого кристалла пучком рентгеновских лучей и регистрацию отраженных от него лучей с помощью детектора 13Недостаток способа состоит в том,что необходимо поворачивать исследуемый кристалл для лоиска отражения и нахождения углового положения его максимальной интенсивности, что существенно снижает экспрессность анализа. Кроме того, точность определения угла отклонения таким способом зависит от точности изготовления узлов, обеспечивающих поворот и определение углового поло.ения кристалла,...

Способ определения температуры кристалла при импульсном нагреве

Загрузка...

Номер патента: 1031293

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Хайбуллин, Галяутдинов, Саинов, Штырков

МПК: G01J 5/50

Метки: температуры, нагреве, импульсном, кристалла

...воспроизнодимость измеряемой температуры, Цель изобретения - повышение точности и быстродействия способа.Поставленная цель достигается тем, что в способе определения температуры кристалла при импульсном нагреве путем регистрации изменения температурно-зависимого параметра кристалла под действием импульсного нагрева и сравнения с зависимостью изменения этого параметра при непрерывном нагреве 5 10 кристалл облучают пучком электронов с энергией 30 в 1 кэВ и регистрируют изменение интенсивности одного из рефлексов элект 15 ронно-дифракционной картины наотражение.На Фиг, 1 дана схема устройствадля реализации предлагаемого способа, на фиг, 2 приведен график зависимости интенсивности рефлексаб 20 от температуры для монокристалла кр":мния на...

Способ исследования магнитных и электрических свойств кристалла по толщине

Загрузка...

Номер патента: 1025226

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Саркисян, Прокопов, Лабушкин, Коваленко, Селезнев, Саркисов

МПК: G01N 23/20

Метки: магнитных, толщине, свойств, исследования, кристалла, электрических

...плоскостей, параллельных поверхности кристалла. Дифрагировавшее на кристалле излучение регистрируют полупроводниковым блоком детектирования б, Импульсы с предусилителя блока детектирования поступают на спектрометрический прибор 7,затем сформированные и усиленные импульсы с выхода прибора подаются .на вход амплитудного анализатора импульсов 8, с выхода которого сигнал поступает на мессбауэровский спектрометр ЯГРС9. Скорость движенин вибратора задается мессбауэровским спектрометром. Поглощение и излучение у -квантов происходит через определенный ядерный переход,для чего спектрометр, работающий в режиме постоянных скоростей, задает определенную скорость движения штока вибратора. Получают зависимости интенсивности дифрагировавшего...