Саинов

Номер патента: 1031293

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Галяутдинов, Саинов, Хайбуллин, Штырков

МПК: G01J 5/50

Метки: импульсном, кристалла, нагреве, температуры

...воспроизнодимость измеряемой температуры, Цель изобретения - повышение точности и быстродействия способа.Поставленная цель достигается тем, что в способе определения температуры кристалла при импульсном нагреве путем регистрации изменения температурно-зависимого параметра кристалла под действием импульсного нагрева и сравнения с зависимостью изменения этого параметра при непрерывном нагреве 5 10 кристалл облучают пучком электронов с энергией 30 в 1 кэВ и регистрируют изменение интенсивности одного из рефлексов элект 15 ронно-дифракционной картины наотражение.На Фиг, 1 дана схема устройствадля реализации предлагаемого способа, на фиг, 2 приведен график зависимости интенсивности рефлексаб 20 от температуры для монокристалла кр":мния на...