Способ изгиба кристалла
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ои 912521(53) УДК 679.8, .02(0888) па делзи изабретений н атхрытнй(72) Авторы изобретения С.А,Воробьев и Е.И.Розум Научно-исследовательский институт ядернойпри Томском политехническом институте им. С зикитп:,1, .(54) СПОСОБ ИЗГИБА КРИСТАЛЛОВ 0 стиц. Изобретение относится к тонкой обработке кристаллов и может быть использовано для изгиба кристаллов, применяемых в качестве дифракционных решеток в кристалл"дифракционных гамма-спектрометрах с изогнутым кристаллом, для отклонения пучков заряженных частиц методом каналирования и для получения электромагнитного излучения пучков отклоняемых чаПо основному авт, св. В 799959 известен способ изгиба кристалла, включающий введение кристалла в кон 1 такт с пластиной и наложение на пластину внешних изгибающих сил, причем введение кристалла в контакт с пластиной осуществляют в вакууме при 200-1200 аС путем напыле 20 ния на одну из поверхностенкристалла слоя материала, коэффициент теплового расширения которого не равен коэффициенту теплового расширения кристалла, а наложение на пластину внешних изгибающих сил осуществляют охлаждением кристалла и пластины до 18-22 С 13 .Цель изобретения - получение кристалла с неравномерным радиусом изгиба.Указанная цель достигается тем, что в способе изгиба кристалла в контакт с пластиной вводят кристалл с переменной толщиной по его длине.Способ осуществляется следунзцим образом.Монокристаллическую пластину предварительно. выполняют неравномерной по толщине, например, в виде клина. При охлаждении такого кристалла и нанесенной на его поверхность пленки, равномерной по толщине, но имеющей больший (или меньший) коэффициент теплового расширения, на поверхность кристалла в месте контакта его с пленкой действует сжимающее (или растягивающее) усилие, одинаФормула изобретения Составитель Х.ХамидуловТехред М. Надь Корректор А.Ференц Редактор Н.Воловик Заказ 1257/23 Тираж 604 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5, счет неравномерной жесткости кристалла, - в сечении с меньшей толщиной она меньше, в сечении с большейтолщиной - больше, кристалл изгибается также неравномерно, - в местахменьшей толщины радиус изгиба меньше, в местах большей толщины радиусизгиба больше,П р и м е р. Кристалл кремния 1 О-будельное сопротивлениер =100 ом/см.предварительно шлифуют и изготавливают в виде клина со следующими размерами: длина 20 мм, ширина 20 мм,толщина у основания 200 мкм, толщиона у вершины 20 мкм, угол - 5 . На отшлифованную и полированную поверхность кристаллической пластины наносят слой 510(коэффициент тепловогорасширения ъ =3 1 О град ) методом катодного распыления в вакууме на установке УВРпри 400 С, Затем кристалл медленно охлаждают до 20 С и извлекают из вакуума. Толщину нанесенного слоя контролируют микроинтерферометром МИМ, Радиус изгиба определяют оптическим методом на установке ОСК, Полученный радиус изгиба изменяется по закону К=А Х где 1 - постоянная, зависящая от упругих свойств 4пленки и кристалла, геометрических размеров кристалла и составляет от К - 800 см у основания клиновидного кристалла до В = 100 см у его вершины. При предварительном изготовлении кристалла другой заданной формы можно получить заданные законы и величины кривизны изогнутых кристаллов.Использование предлагаемого способа изгиба кристалла позволяет создать . неравномерно изогнутые кристаллы, регулировать радиус изгиба кристаллов с возможностью задания закона изменениякривизны кристалла. Это необходимо для регулирования частоты получаемого излучения и поворота изгиба частиц на различные углы. Способ изгиба кристаллов по авт. св. М 799959, о т л и ч а ю щ и й - с я тем, что,. с целью получения кристалла с неравномерным радиусом изгиба, в контакт с пластиной вводят кристалл с переменной толщиной по длине. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРН 799959, кл. В 28 0 5/00, 1977.
СмотретьЗаявка
2888554, 25.02.1980
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЯДЕРНОЙ ФИЗИКИ ПРИ ТОМСКОМ ПОЛИТЕХНИЧЕСКОМ ИНСТИТУТЕ ИМ. С. М. КИРОВА
ВОРОБЬЕВ СЕРГЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, РОЗУМ ЕВГЕНИЙ ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: B28D 5/00
Опубликовано: 15.03.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-912521-sposob-izgiba-kristalla.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изгиба кристалла</a>
Автомат для сортировки пластин слюды по толщине
Номер патента: 940882
Опубликовано: 07.07.1982
Авторы: Быргазова, Дубенский, Овчаренко, Слободкин, Трофимов, Трухин
МПК: B07C 5/04
Метки: автомат, пластин, слюды, сортировки, толщине
...ЗО электроды 23.Автомат работает следующвм образом.Стопированные слюдяные пластины закладываются на столик с кареткой 10 автоматической загрузочной кассеты. Качающийся присос 1 подходит к кассете и на кладывается на слюду. Вакуумный насос создает разрежение в присосе, который присасывает одну слюдяную пластину, Присос 1, совершая качающее движение, подносит пластину слюды на лоток 15, К этому мо менту распределители 4 отключают вакуум, Лоток 15, поворачиваясь, направляет пластину в шахту 18, где она задерживается ловителем 16. Пад действием кулачка 21 упор 17 занимает переднее . нулевое положение, 15 одновременно включается источниквысокочастоткого тока и уходит ловитель 16, освобождая шахту 18, Пластина слюды остается зажатой...
Устройство для контроля неплоскостности и толщины пластин
Номер патента: 1381328
Опубликовано: 15.03.1988
Авторы: Гаврилюк, Ерошин, Купчик, Сацукевич
МПК: G01B 7/287
Метки: неплоскостности, пластин, толщины
...и толщины пластин за счет исключения по, ,решности деформации.На чертеже представлена схема устройст. а.Устройство для контроля неплоскостноститолщины пластин содержит основание 1, етыре датчика 2 и 3 перемещений, лектронный преобразователь 4, включаюий в себя блок 5 измерения толщины, 15 ходы которого соединены с выходами атчиков 2 и 3, блок 6 определения ба. овой плоскости, входы которого соедиены с выходами датчиков 3 и соответтвующими входами блока 5, блок 7 изерения неплоскостности, первый вход кото ого соединен с выходом блока 6, а второй -выходом датчика 2, щупы 8 трех ба. овых датчиков 3, расположенные равноерно по окружности, диаметр которой еньше контролируемой пластины 9, щуп 10 атчика 2 перемещений, расположенный в ентре...
Калориметрический способ измерения толщины пластин
Номер патента: 1441191
Опубликовано: 30.11.1988
Авторы: Ивашура, Коростелев, Попов, Пучинин
МПК: G01B 11/06
Метки: калориметрический, пластин, толщины
...х между датчиками 2,3 расстояниях между датчиком 2 и тепловым лучом 1 и толщина й пластины 4.Способ осуществляется следующим 20 образом.. Осуществляют нагрев поверхности пластины 4 коллимированным тепловым лучом 1 постоянной мощности, измеряют температуру с помощью двух датчиков 25 2,3, которые располагают в одной плоскости с тепловым лучом 1, так, чтобы расстояние между ними равнялось расстоянию от теплового лучадо ближайшего к нему датчика 2, пластину 4 перемещают с постоянной скоростью в направлении от датчиков 2,3 к лучу 1.В качестве коллимированного луча 1 используют лазерный луч. В качестве датчиков 2,3 используются бесконтактные датчики температуры, например радиометры с рабочим диапазоном Я 2- 20 мкм. Толщину й пластины...
Способ изготовления цветной или металлизованной фольги для печатных и типографских работ
Номер патента: 55975
Опубликовано: 01.01.1939
Автор: Попов
МПК: C09D 11/04
Метки: металлизованной, печатных, работ, типографских, фольги, цветной
...пересчете на ХаОНна 100 г казеина должно быть небольше 3,5 г Ха ОН), затем прибавить 200 см воды.При постоянном помешивании приг = 50 - 60 казеин дает светлый коллоидный раствор, Раствор доливаютводой до 600 сми фильтруют черезметаллическое сито. Пластификатором является очищенный глицерин.В 100 см клея добавляют 4 смглицерина. Затем прибавляют 30 смводы на 100 слд клея и размешивают.К пигменту в ступке или смесителедобавляют постепенно клей и смешивают, до образования довольно густоймассы, но годной для перетирания, которое производят на краскотерке. К перетертой краске добавляют нормальный бутиловый, изобутиловый илинормальный пропиловый спирт, Изуказанных трех спиртов надо отдать предпочтение, по увеличению смачиваемости и...
Способ изгиба кристалла
Номер патента: 919248
Опубликовано: 10.02.2000
Авторы: Батурин, Кузьминых, Погребняк, Розум, Чормонов
МПК: B28D 5/00
Способ изгиба кристалла, включающий установку кристалла между оправками, поверхность одной из которых покрывают клеящим составом, нагрев кристалла с оправками и снятие оправок после приобретения кристаллом формы, отличающийся тем, что, с целью обеспечения изгиба кристаллов различных толщин с сохранением структуры кристалла, в качестве оправок используют пластины из мартенситных сплавов, обладающих "эффектом памяти формы", которые перед установкой между ними кристалла предварительно изгибают до заданного радиуса при температуре начала обратного мартенситного превращения, выпрямляют их при комнатной температуре, а нагрев осуществляют до температуры конца обратного мартенситного превращения.
Предыдущий патент: Инструмент для обработки хрупких материалов
Следующий патент: Установка для резки
Случайный патент: Способ получения клеев и лаковых композиций на основе резольных смол и поливинилбутираля