C23C 11/02 — C23C 11/02

Номер патента: 441359

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Петухов, Поликарпов, Уварова

МПК: C23C 11/02

Метки: поатиновых, покрытий

...детали предварительно очищают и обезжиривают, затем помещают в электрическую печь и нагревают до нето обходимой температуры, После этого детали вводят в рабочее пространство, содержащее пары платиноорганйческого соединения,где в результате термического 15 разложения этого соединения наповерхности нагретой детали образется платиновое покрытие.Например, для получения платинового покрытия на образце из го тефлона последний обезжиривают,затем помещают в электрическуюпечь, где нагревают до 250 С. Вреакционной камере создают ващ-ум с остаточным давлением 1-15 х 5 . мм рт.ст. Испаритель, содержа- Э3щий 0,325 г ацетилацетонаттр тилплатинн, нагревают до ИО С, после чего в реакционную зону вводят образец. Образец выдержи-: вают определенное...

Номер патента: 446565

Опубликовано: 15.10.1974

Автор: Желтов

МПК: C23C 11/02

Метки: металлических, нанесения, покрытий

...газообразные,продукты разложения способствуют повышению количества паров металлоорганического соединения, поступающих к покрываемой поверхности, что интенсифицирует процесс. В этих условиях количество сажистых выделений на стенках испарителя незначительно. Г 1 олучаощееся покрытие отличается хорошей адгезией с подложкой и незначительным содержанием несвязаппого углерода.П р и м е р. Для полу чения хромового покрытия на внутренней поверхности трубки диаметром 6,5 мм последгпою нагревают в вакууме до 450 С. Жидкое хромоорганическое соединениебисэтилбензолхром нагревают до температуры 235 - 245 С, при которой начинается его терморазложение, Образующиеся газообраз ные продукты разложения интенсифицируютиспарение металлоорганического...

Номер патента: 457757

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Белова, Ижванов, Королев, Победаш, Рычагов, Соловьев, Столяров

МПК: C23C 11/02

Метки: компактных, металлов, нанесения, покрытий, тугоплавких

...верхний предел температурного интервала процесса, что способствует повышению скорости осаждения покрытий и эффективности извлечения ценных компонентов из отходящих газов. Кроме того, сочетание указанных условий процесса обуславливает снижение внутренних напряжений в осаждаемых покрытиях.П р и м е р 1, Ниобиевое покрытие наносят пропусканием газообразной смеси, содержащей 42 мол. % КЬ 1.5 и 58 мол, % водорода,457757 ния газообразных фторидов, направляемых вдоль покрываемой поверхности, водородом при повышенной температуре и атмосферном давлении, отличающийся тем, что, с це лью повышения эффективности, процесс осуществляют при содержании водорода на 1 - 55 мол. % меньше стехиометрически требуемого количества и 650 в 22 С,10 2....

Номер патента: 522281

Опубликовано: 25.07.1976

Авторы: Аронштам, Верпуховский, Кирьянов, Мордехай, Перельман, Рывкин, Сыркин

МПК: C23C 11/02

Метки: нанесения, парофазного, покрытий

...камеру, механизм вращения обрабатываемого изделия, индуктор и устройство подачи парс- образного металла2. В такой установке 20 равномерное покрытие получают за счет обеспечения вращения обрабатываемого изделия, однако она характеризуется сложностью и трудностью получения заданной толщины покрытия, так как расход парообраз- З щий отражаю стройстве Изобретение относ кому оборудованию для ческих покрытий, в ч вам для парафазного например образованнь диссопиапии паров тет Аронштам, А, Г. Верпуховскан и Е. Л. Рывкин, подводимого к рабочей камеся фактическим показателемдуктср. 2 и:, установленными в нем форсункамч Э и 3.С, Дапд 5 и 6 установлены амтв=-ст.:.а, в кеоызнжной и подвижной оорск 3." и 3.2, при этом па валу 5 уста;: г ., регстр...

Номер патента: 533672

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Королев, Косухин, Фитисов, Функе, Ямсков

МПК: C23C 11/02

Метки: карбидов, металлов, покрытий, тугоплавких

...частицы окислов, оксцгалогенидов, углерода, являющиеся источником шероховатости поверхности покрытых изделий.После этого очищенную парогазовую смесьподают в зону, где размещены покрываемые 25 изделия.Способ позволяет получать плым содержанием примесей итой поверхности.Снижение скорости образования30 обусловленное обеднением парогазов533672 Формула изобретения Составитель Л. КазаковаРедактор Е. Шепелева Техред В. Рыбакова Корректор Е. Хмелева Заказ 2358/11 Изд х 1 о 144 Тираж 1068 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Лс,-35, Раушская наб., д. 4/5Типография, нр Сапунова, 2 незначительно влияет на производительность процесса, поскольку требуемые толщины покрытия...

Номер патента: 558065

Опубликовано: 15.05.1977

Авторы: Воронин, Дашкевич, Игнатьев, Холмушина, Цирлин

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, нанесения, покрытий, фазы

...до оси обрабатываемого изделия, при этом металлические пластины подключены к источнику питания.На фиг. 1 схематично изображено устройство, общий вид; на фиг. 2 - поперечный разрез по А - А на фиг. 1; на фиг. 3 - принципиальная электрическая схема включения двух зон нагрева обрабатываемого изделия.Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы содержит рабочую камеру с секциями отжига-очистки 1, нанесения покрытия 2, охлаждения 3 и приема обработанного изделия 4, Все секции рабочей камеры отделены друг от друга шлюзовыми приспособлениями 5,В секции 1 отжига-очистки расположены подающая кассета 6 и направляющие ролики 7 и 8, которые образуют между собой зону 9 нагрева. В секции 3 охлаждения расположен направляющий ролик 10, между...

Номер патента: 570658

Опубликовано: 30.08.1977

Авторы: Королев, Соловьев

МПК: C23C 11/02

Метки: вольфрамовых, покрытий

...температуре подложки, р авной 700 - 1000 С, и содержании 30 - 60 мол. % гексафторида вольфрама в тазовой смеси, пропускаемой вдоль подложки. По истечении 1 - 10 мин, не прекращая процесса, температуру поверхности подложки снижают до 400 - 600 С, а содержание гексафторида вольфрама в газовой смеси уменьшают до 5 - 25 мол. %, причем температуру снижают со скоростью 10 - 100 С/мин при уменьшении содержания тексафторида вольфрама 1 - 3 мол. % на каждые 20 С, после чего продолжают процесс до получения покрытия требуемой толщины,П р и м е р. Вольфрамовое покрытие наносят на молибденовую трубку диаметром 20 мм и длиной 700 мм, которая нагревается изнутри нихромовым нагревателем. Вдоль трубки, нагретой до 750 С, пропускают со скоростью 20 моль/ч...

Номер патента: 590370

Опубликовано: 30.01.1978

Авторы: Кишмахов, Королев, Николаев, Рябенко, Соловьев, Янчур

МПК: C23C 11/02

Метки: вольфрамовых, покрытий

...покрытия при сохранении высокой производительности и возможности получения толсгых покрытий предлагается способ, отличительной особенностью которого является проведение осаждения на монокристаллцческую подложку из металла с ОЦК-решеткой и отжцга полученного покрытия при 1600 - 1900 С в течение 30 - 60 ч в вакууме,Согласно предлагаемому способу нанесение вольфрамового покрытия на монокристалличсскую подлохкку осуществляют при атмосферном давлении из смеси водорода ц гексафторида вольфрама с соотношением, равным 0,1 - 9,0 (парциальное давление гексафторцда 0,1 - 0,9 атм) прц температуре подложки 500 - 800 С и любой скорости газового потока, после чего с целью превращения полцкрнсталли- соОЙ стр 1 етрь Покртця в 10 цокрцстллп;акал...

Номер патента: 594210

Опубликовано: 25.02.1978

Авторы: Сенють, Чеканский, Шейндлин

МПК: C23C 11/02

Метки: стальных, цементации

...насыщения,и таким образомпозволяет снизить эффектводородного охрудчивания цементованных. изделий,Кроме того, атмосфера, в .которой 40 осуществляется.десорбция по предлагаемому способу, обладает углеродным по-тенциалом, величина которого соответствует оптимальному содержанию углерода на поверхности (0,9-1,0). Это су шественно повышает качество термообработси. Одновременно сокращается расход инертной атмосферы и в зоне подстуживания,. поскольку в нее поступаетчасть атмосферы из эоны активного на сыщения, что делает процесс более экономичным. Формула изобретения 55Способ цементации стальных дета"лейв контролируемой водородсодержащей атмосфере, включающий нагрев и выдер-.жку сначала в .атмосфере с повышенным ,углеродным потенциалом, а затем...

Номер патента: 598964

Опубликовано: 25.03.1978

Авторы: Домрачев, Жук, Костенков, Крашенинников

МПК: C23C 11/02

Метки: осаждения, паровой, покрытий, фазы

...чего его про вдоль поверхности образца, до температуры Выше минимал ратуры разложения образовав ров рабочего соединения, и, оно проходит через зону быс лаждения с температурой на ниже температуры кОнденсаци тов распада и непрореагиров татков вещества,Температурный градиент между зоной испарения и зоной конденсации, направленный вдоль покрываемой подложки, обуславливает возникновение высокоскоростного потока паров в том же направлении и градиента давления, спо" собствующих обильной подаче паров рабочего вещества в зону реакции и тем саьым повышению скорости осаждения покрытия и его равномерности. Процесс ведут при давлении в системе Ю 100" 10 ми рт.ст.Нагрев зоны испарения осуществляют резистнвным нагревателем, наГреВ Образца -...

Номер патента: 604879

Опубликовано: 30.04.1978

Авторы: Клаус, Райнер

МПК: C23C 11/02

Метки: нанесения, паровой, покрытия, фазы

...или газовыпускным патрубком 15. Газораспределительная или газосборная труба 14 имеет несколько отверстий 16, которые распределены по длине газораспределительной или газо- сборной трубы 14 таким образом, что несмотря на падение давления на концах трубопровода 17 над каждым участком газораспределительной или газосборной трубы 14 может входить или выходить одинаковое количество реакционного газа. Для того чтобы обеспечить интенсивное завихрение, отверстия 16 расположены таким образом, что выходящая газовая струя направлена на дугообразную часть профиля 12. При этом направление отверстий 16 отклонено от радиусов, проходящих через реакционную камеру 2 и вихревые камеры 4 и 5, почти на 45. Для индуцирования другого завихрения на профиле...

Номер патента: 618448

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Ваганов, Вербловский, Вигдорчик, Волков, Габенихтс, Иванов, Ивлев, Красильщик, Курицына, Мнухин, Родионов, Романенков, Стариков

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, лент, металлических, осаждением, фазы

...инер лых букс верстиями азоры, рас- поверхноречный разрез; на фиг. 2 - разрез А-А фиг. 1.В корпусе 1 устройства расположен барабан 2, связанный с приводом вращения 3, узел 4 подачи осаждаемого материала, узел 5 подачи инертного газа и механизм съема ленты 6 с барабана 2, выполненный в виде ножа 7, лезвие 8 которого установлено на рабочей поверхности 9 барабана 2. Нож 7 имеет полость 10 для охлаждения и трубы 11 для подачи и отвода хладагента. Узел 5 подачи инертного геза выполнен в виде полых букс 12 со щтуцерами 13 для подачи и отверстиями 14 для выхода инертного газа в торцовые зазоры 15, образованные15 стенками корпуса 1 и торцами барабана 2, Отверстия 14 расположены на уровне рабочей поверхности 9 барабана 2. Корпус 1 нмеет...

Номер патента: 621801

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Бабушкин, Выдрин, Ермолаев

МПК: C23C 11/02

Метки: металлических, нанесения, покрытий

...МЕТАЛЛИЧЕСКИХРЫТИЙ тилацетонатиих и диеиильв восстановительной атмна нагретой до 250-500изделий 2.5 Недостатками такого спнизкая чистота получаемыхгрязнение металла нокрытипродуктами пиролиза, окисиниями и углеродом достиг10 воопасность процесса, обупользованием водоростановительной атмосЦель изобретения621801 1. Патент США М 24 305 20,кл. 117-35, 1947. 2. Патент США М 3356527,кл. 117-102, 2, 1967. Составитель А, Рычагов Редактор АСоловьева Техред Н. Бабурка Корректор М, ДемчикЗаказ 4991/5 Тираж 1177 Подписное ЦНИИПИ Государственногэ комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП фЦатентф, га Ужгород, ул, Проектная, 4 например, ацетилацетонаты и циклопентадиенилы...

Номер патента: 654694

Опубликовано: 30.03.1979

Авторы: Выдрин, Ермолаев, Князев, Фомичев

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, нанесения, покрытий, фазы

...вращения барабана 4 и ввода 3 парогазовой смеси и наклонены в сторону, противоположную направлению вращения барабана 4, что обеспечивает эффективное перемешивание парогазовой смеси, Ввод 3 парогазовой смеси и пластины б изготовлены из токонепроводящего термостойкого материала, например кварца, что позволяет исключить их нагрев от индуктора 7, смонтированного на крышке 2, благодаря чему исключено разложение парогазовой смеси на вводе 3 и пластинах 6. На стенках камеры 1 равномерно по периметру расположены электромагниты, обмотки 8 которых установлены снаружи камеры, что позволяет уменьшить их нагрев при обработке деталей, а полюсные наконечники 9 расположены на внутренней поверхности стенок камеры 1 по окружности, коаксиальной с барабаном...

Номер патента: 673666

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Бирюков, Домрачев, Костенков, Костерин, Крашенинников, Петров

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, паровой, покрытий, фазы

...перегородка 13,: разделяющаякольцевой зазор между камерами 9и 10 на два последовательнйхканала;:канал 14, в котором происходит испа ренйе химического соединения-,"Й"канал 15 для подогрева пара. Для подачи- химического соединения в-"збну" Йспаре.,ния в крйшке 2 устройства имеетсяпатрубок 16 и выполнены каналы 17. 40В днище 18 расположены патрубок 19для отвода продуктов разложения ипатрубок 20 для сбора неразложившегося химического соединения. В ниж-.нюю Часть корпуса встроен повеРхностный холодильник, включающий перифериййую рубашку 21 и тарельчатый обтекатель 22. Патрубки 23 и 24 служатдля ввода хладагента, а патрубки 25и 26 - для вывода его.50При осаждении покрытий на внутреннк)ю поверхность крупногабарйтных-идлинномерных...

Номер патента: 711167

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Королев, Косачев, Победаш, Рычагов, Соловьев, Столяров

МПК: C23C 11/02

Метки: металлов, осаждения, тугоплавких

...с зернами, имеющими отношениевысоты к ширине менее 2. 35Процесс начинают в условиях образования плотных осадков, затем переводят процесс в область образованиядендритных осадков, затем снова вобласть образования плотных осадкови т.д. в течение всего процесса независимо от его продолжительности,Заканчивается он в условиях образования плотных осадков Минимальное количество изменений условий процессадолжно предусматривать получение 45плотного, дендритного и снова плот-ного осадков. Длительный период осаждения дендритных осадков при формировании слоя толщиной более 0,1 мм приводит к образованию пористых некачественных осадков, а длительный период образования плотных осадков дотолщины более 0,2-0,3 мм снижает ихпрочность,Указанный...

Номер патента: 732408

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Дудник, Поляков, Розен, Сагалович, Халин

МПК: C23C 11/02

Метки: нанесения, покрытий, хромовых

...с низкой температурой покрываемых из 1 елий 550-900 С и давлением 1,0 10 - 1,5 "0 4 торр в зоне разложения обуславливает устранение не достатков, присущих известному способу.П р и м е р. В вакуумную камеру объемом 10 дм помешают плоскую нагреваемую подложку и на расстоянии нес кольких сантиметров перпендикулярно. к на разпоже".пи емтурра- давл енне,С торр с мима г.8 - иост С про10 "45,010 8 6-280 2 250сти покрываемого изделия при понижен,м давлении в системе, причем давлениезоне синтеза превышает давление вне разложения, о т л и ч а ю ш и йя тем, что, с целью повышения скоростиаждения хрома при нагреве изделий до50-900 С, процесс ведут при нагревены синтеза до 700-1100 С, но неже температуры поверхности покрываеи иэделий и давлении в...

Номер патента: 767221

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Кологривова, Корзо, Рысев, Черняев, Юсипов

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, нанесения, покрытий, реактор, фазы

....камеры осаждения установлен.съемный сепаратор 10, содержащийкольцевые секторы 11, разделенные р 5перегородками 12, в которых выполнены отверстия 13 для подачи паровреактива в зону 9 осажденияСистемаподачи газовой смеси(на чертеже непоказана)подключена к камере осаждения эа сепаратором 10. Подложкодержатель 4 жестко связан с виброприводом (на чертеже не показан),служашим для возбуждения колебательных движений в вертикальной плоскости.Устройство работает следующимобразом.Исходные изделия в виде шаров (например, стальных)из магнитного материала загружают в бункер б, включают магнитный затвор 5, и партияшаров поступает в подложкодержатель 4.Так как напряженность магнитногополя, создаваемого в реакторе соленоидом, возрастает к его стенкам...

Номер патента: 767232

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Белый, Каменский, Королев, Орлов, Ребеченков, Рычагов

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, длинномерные, изделия, осаждения, покрытий, фазы

...установка снабжена полыми камерами с печами нагрева и блоками для контактных роликов, герметично установленными с обеих сторон зоны осаждения, причем внутренняя поверхность камер щ выполнена в виде усеченного конуса с концентрический распоЛоженными отверстиями для ввода реагента непосредственно в зону осаждения и вывода газообразных продуктов из нее.Сущность изобретения поясняется на чертеже.Установка состоит из вертикально выполненного реактора 1, включакщего зону 2 осаждения, снабженную смотровыми окнами 3 (могут использоваться так ке для ввода термопар), симметричные полые камеры 4 с печами нагрева 5, штуцерами 6 для продувки газов .и отверстиями 7 для ввода газов в зону осаждения и вывода продуктов из нее, 35 изолирующие втулки...

Номер патента: 783360

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Алексеева, Домрачев, Жук, Чепурнов

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, нанесения, покрытий, фазы

...внутри его с возможностью продольного перемещения подающий 3 иоткачной 4 трубопроводы подачи реагента и откачки продуктов разложения, неподвижно соединенные междусобой посредством перфорированного коллектора 5, внутренняя полость ко-, торого разделена в зоне А реакции глухой перегородкой на две секции Б и В, сообщенные с соответствующими трубопроводами, причем подающий трубопровод 3 жестко связан посредтвом держателя 6 штанги 7 с охватыающим корпус 1 нагревателем 8 и сообщен через эластичную трубку 9, снабженную зажимом-регулятором. 10, с ампулой 11, содержащей реагент.Работа устройства заключается в следующем.Нагреватель 8 устанавливают в крайнее нижнее положение так, чтобы отверстия в стенках секции в перфорированного...

Номер патента: 787490

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Королев, Рычагов, Соловьев, Столяров

МПК: C23C 11/02

Метки: вольфрамовых, осаждения, покрытий

...подложкой и холодными стенками камеры;Т - разность температурподложки и стенок камеры. где Доля газовой Неравсмеси, про- номероць. пущенной ность ь,О с 3,мм мм мольч Выход ,Скорость воль- осаждефрама, ния,мм/ч Пример, М покрысверху снизу тия,0,51 0,30 0,28 0,33 0,29 1,0 40 55 2 60 б 5 2,1 О 1,0 70 65 3 60 15 9,5 2,9 0,6 0,4 10 71 4 100 42 29 1,5 0,7 0,3 15 80 5 120 60 33 1,1 0,8 0,2 20 87 Использование аппаратов с относительно небольшим отношением диаметров реакционной камеры и подложки способствует уменьшению объема реакционной камеры и снижает тем самым взрывоопасность аппаратов, работающих с применением водорода и других горючих газов. Это особенно важно при получении покрытий на длинно- мерных иэделиях диаметром 100 мм и более....

Номер патента: 789632

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Сержантов, Черняев, Четвериков

МПК: C23C 11/02

Метки: осаждения, параметров, пленки, процессе

...условие практически вйполняется всегда при изготовлении датчика-свидетеля с Кф = 1 и длиной контактных площадок примерно в два раза меньшей их ширины.П р и м е р. Проводят контроль поверхностного сопротивления пленок воль- ЗО фрама и молибдена, осаждаемых из газовой фазы термическим разложением соответствующих гексакарбонилов. Датчик- свидетель изготавливают из ситалла СТ-1 с Кф в 1 и помещают рядом с нагреваемой подложкой, на которую осаждается пленка. Измерение сопротивления В 1 и 2 производят двумя ампервольтомметрами Р, с выхода которых сигнал в кодовой форме поступает на ЭВМЭлектроника", и сопротивление датчика-свидетеля, а значит и поверхностноесопротивление пленки (так как Кф з 1)регистрируются на экране Электроника" ....

Номер патента: 823458

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Болотников, Рымашевский, Соколов, Соловьев, Черников

МПК: C23C 11/02

Метки: покрытий, хромовых

...С бодрее 5 ч недопустима иэ-зарезкого увеличения, толщины окисленногослоя, а менее 1 ч - нецелесообразна,так как ухудшается технологичность про-.,цесса.Время отжига хромовых покрытий всухом водороде определяется временемвосстановления тонкой окисной пленки3 ч при 1300 С и 8-10 ч при 1100 С.Количество циклов определяется кактемпературой процесса, так и толщинойпокрытия. Менее чем за 2 цикла обезуглеродить хромовое покрытие до содержания углерода менее 0,1 вес.уо не удается,а более чем 4 цикла проводить нец лесообраэно, .так как за 4 цикла достигаетсяобезуглероживание сравнительно толстыхпокрытий (до 0,3 мм),Как видно из таблицы, циклическое про- ведение процесса отжига позволяет сравнительно за короткое время получить хромовое покрытие с...

Номер патента: 863711

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Дмитриев, Красовский, Радциг, Шаталов

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, нанесения, покрытий, фазы

...Внутри распределителя 13 коаксиально с ним расположен холодильник 16, выполненный в виде теплообменника типа труба в трубе.Реакционную камеру 1 вакуумируют до давления 10 мм рт.ст. Подложки 4 нагревают до 300 - 350 С нагревао телем 5. Затем нагревают порошок карбонила вольфрама 10 до 72 С. Пары карбонила вольфрама поступают в каналы 12 нагревателя 11 парогазовой смеси, где подогреваются до 200 С,о после чего пары поступают в распределитель 13. Температуру холодильника 16 поддерживают равной 70 С.о Температуру стенки 14 распределителя 13 поддерживают равной температуре разложения карбонила вольфрама и составляющей 270 С. Темо пература стенки 15 определяется тепловыми потоками с подложек 4 и холодильника 16.Благодаря высокой разности...

Номер патента: 931803

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Зеленов, Костиков, Кошелев, Непрошин, Телегин, Филимонов, Шипков

МПК: C23C 11/02

Метки: графитовых, защитных, изделиях, покрытий

...металлов 1200"1400 оС выбраны по результатам предварительных исследовайий. Термообработка кристаллизатора ниже 1200 оС не стабилизирует эрозионной стойкости в контакте с расплавами металлов. Увеличение температуры обработки свыше 1400 С практически не влияет на работоспособность и экономически не выгодно,Следует также отметить, что дополнительная термообработка графитовых изделий при 1200-400 фС обеспечивает стабилизацию их свойств за счет удаления свободных - не связанных с граФитом щелочных металлов.Отсутствие дополнительной теряообработки монет привести к взаимодействию несвязанного щелочного металла с атмосферной влагой и к ухудшению качества конечного продукта.Таким образом, технологические параметры в предлагаемом способе...

Номер патента: 954513

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Аникеев, Аникин, Гостев, Климов, Клячко, Лебедев, Мадаев, Минайлов

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, нанесения, покрытий, фазы

...между полками 6 и снабженшайбой 10 с выступами для установкив реакторы 2 и 3. Крышка 4 снабженавинтом 11 для крепления реактора 2 или 3 с каналом 12 для подвода газовой среды и рукояткой 13 для его вращения. Винт 11 установлен в крышке 4 на шарикоподшипниках 14 и уплот нен Фторопластовыми шайбами 15.Установка снабжена шахтной печью 16, установленнЬй на платформе 17, закрепленной на верхнем конце штока 18 гидроцилиндра 19, заканчивающегосяподпружиненным конусом 20 для фиксации его в верхнем положении в замке 21. Платформа 17 установлена с возможностью поворота на 90 ф для последовательного совмещения оси печи 16 с осями реакторов 2 и 3,На крышке 4 закреплен телескопический экран 22 и сопла 23 для подачи охлаждающей среды на...

Номер патента: 992611

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Беликов, Жучкова, Пискунова, Рычагов, Сурков, Сыцко

МПК: C23C 11/02

Метки: аппарат, газовой, нанесения, покрытий, реакционный, фазы

...выводятся аналогично первому варианту через противоположную секцию 7,Предлагаемое выполнение реакционного аппарата обеспечивает исключение условий гомогенного образования твердофазных продуктов. Это достигается прежде всего тем, что как в пространстве между обечайкой и стенками реакционной камеры, так и внутри последней создана возможность регулических средств до полного исключенияУсловий образования твердофазныхпродуктов используется раздельнаяподача исходных реагентов (каждого в свою секцию). В этом случае в относительно низкотемпературных пространствах между обечайкой и стенками камеры находятся чистые пары реагентов,а смесь их формируется лишь в высокотемпературной зоне вблизи подложки,30 При этом в обоих случаях потоки реагентов...

Номер патента: 1002404

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Королев, Ребеченков, Рычагов, Сурков, Сыцко

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, нанесения, покрытий, фазы

...16 установкугерметизируют, продувают инертным газом и газом-восстановителем, после чего с помощью приводных рынков 3 иприемной кассеты 13 подложку 16 перемешают с заданной скоростью, Подачейэлектрического напряжения на клеммыэлектромагнитов 7 задают определенноеприжатие магнитных гранул к подложке,после чего с помощью внешних исгочников (на чертеже не показаны) осудествМ 25 36 35 е4 О 45 50 55 Поставленная йель достигается тем, что в установке для нанесения покрытий из газовой фазы, содержащей вертикально расположенный реактор, систему продувки реагентов, газовые затворы, токоподводы, приемное и отдающее устройства, реактор выполнен из двух колен, герметизированных с обеих сторон соединительными камерами, при атом токоподводы и газовые...

Номер патента: 1030420

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Ванчагова, Зорин, Умилин

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, нанесения, покрытий, фазы

...относительно корпуса, подающий и откачной трубопроводы, жестко соединенные с нагревателем. При этом трубопроводы соединены между собой перфорированным коллектором, размещенным в зоне нагрева коаксиально нагревателю. Часть коллектора, соединенная с откачным трубопроводом, имеет перфорацию (отверстия для подачи МОС ) на границе эоны нагрева.,Такая конструкция устройстваисключает контакт реагента и продуктов его разложения с покрываемой поверхностью вне зоны реакции, позволяет осуществить равномерный отвод продуктов разложения непосредственно из зоны реакции. Благодаря этому снижается количество примесей в покрытии ГЗ 3.1030420 нйе и поднимают температуру испарйтеля 5 до 150-160 С, нагревателя 9 до 200-220 С, а нагревателя 8 до 400-420...

Номер патента: 1092208

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Ляндаев, Нестерова, Софронов

МПК: C23C 11/02

Метки: газовой, нанесения, паровой, покрытий, фазы

...распада паров металлооргаческих соединений на стенкереактора 1 и на в ешней поверхностидата.и 17 в 2-3 раза снижает расходметаллоарганического соединения приполучении покрыпеия на внутреннейповерхасти детали. Кроме того, исключение побочного распада паров металлоорганических соединений приводитк сижеию концентрации продуктовраспада в зоне реакции, которые, накае;ливаясь, загрязняют образующиесяпокрытия в процессе его фармированпяВ результате улучшается качество покрытия. 3, систему подачи паров металлоарганических соединений, состоящую иэ испарителя (не показан), трубопровода 4, жестко соединенного с верхним фланцем 5, конусообразной распределительной воронки б, которая в верхней узкой части имеет небольшой патрубак 7, а нижняя...