Способ обработки поверхности магнитной головки

ЭСВ БРЕТЕНИЯМТВУ ОПИСАНИЕ И АВТОРСКОМУ С ИДЕТ СПОСОБ ОБРАБОТКИ ВОВЕРХНОСНОй ГОЛОВКИ путем напыления ремния на поверхность маголовки, о т л и ч а ю щ и ч.что, с целью повьиаения терстойкости магнитной головнапылением интрада кремния т азотирование поверхностиГоловки в тлеющем разрядещж 100-150 С в течение а после напыления.нитрида производят осаждение ннтрида облучении гамма-квантами вностью облучения 5,2 10 м-ф с(71) Московский авиационный техноло-:кию передгический институт ии К Э Циолковс производякого магнитной(56) 1. Ефимов Е.Г. Мавнитные голов- ;. 1-3 мингки. М., "Энергия",. 1967, с, 46, кремния2. Крюков В.С. Магниторезистивные. бора приголовки. - Обзоры по электронной тех- с китежинике, сер. б, вып. 5 (641) 1979, . 8,5110 сс. 22 (прототип).1027768 Составитель Ю.-К,РозенкранцРедактор А. Ворович Техред М,Костик, Корректор С,Шекмар Заказ 4749/56 Тираж 594 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Иосква, Ж, Раушская наб д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к магнитнойзаписи, а именно к способам обработки поверхности магнитной головки,Известен способ обработки поверх-.ности магнитной" головки путем шлиФ 6 вки рабочей поверхности магнитнойголовки на мелкозернистых абразивных элементах, позволяющий получитьвысокую чистоту обработки поверхности магнитной головки 1.Недостаток данного способа состойМ в том, что обработанная в соответствии с ним поверхность магнитнойголовки не обладает высокой химической стойкостью,Известен также способ обработкииоверхности магнитной головки путемнаПыления нитрида кремния на поверхкость магнитной головки, Этот способобеспечивает Формирование тонкойВЖФткой. пленки нитрида кремния наеоаерхностн магнитной головки,чтоаиволяет получить высокую химическую стойкость последней 2.Недостаток данного способа состоВт в том, что обработанная в соответствии с нвм поверхность магнитнойголовки не обладает высокой терьымеской стойкостью. Последнее приводйт к малой термической стойкости.магнитной головки, что ограничиваетмоэможность ее использования в услоЭМях повышенной температуры.Цель изобретения - повышение термической стойкости магнитной головки,укаэанная цель достигается тем,что согласно способу обработки поверхности магнитной головки путемнапыления нитрида кремния на поверхность магнитной головки, перед напылением ынтрида кремния производятаэоткрованне поверхности магнитнойголовки в тлеющем разряде в вакуумепри 100-150 С в течение 1-3 мин, апосле напыления нитрида кремния производят осаждение нитрида бора приоблучении гаье 1 а-квантами с интенсивностью облучения 5,2 10 - 8,5 хх 10 Е см-с ".В предлагаемом способе предварительное аэотирование поверхностимагнитной головки и осаждение нитрнда бора при облучении гамма-квантами обеспечивает значительное повышенне термической стойкости магнитной головки,Предлагаемый способ осуществляютследующим образом. Поверхность магнитной головки,размещенной в вакуумной камере, после дегазации азотируют в вакууме10 -10 мя рт,ст, в парах азота.Азотирование поверхности магнитнойголовки осуществляют при 100-150 С,в течение 1-3 мин, Азотирование притемпературе ниже 100 С приводит кснижению адгезии аэотированногослоя к поверхности магнитной голов 10 ки, а при температуре выше 150 Ск изменению свойств магнитной головки. Азотирование в течение менее1 мин и более 3 мин приводит к неоднородности азотированного слоя,После азотирования производятнапыление нитрида кремния на поверх"ность магнитной головки. Напылениенитрида кремния осуществляют в вакуумной камере высокочастотным распылением мишени из кремния в смесиаргона и азота. НаПыление заканчивают при образовании слоя нитрида кремния, толщиной 10-25 нм,После напыления нитрида кремнияпроизводят осаждение нитрида борав вакуумной камере. Осаждение нитрида бора осуществляют импульснымраспылением мишени из бора в парахазота при облучении с помощью рентЗО геновской трубки гамма-квантами Синтенсивностью облучения 5,2 108,5 10 в см с-", При интенсивностиоблучения ниже 5,210 см с происходит формирование островковых облас 35 тей с незавершенной стехиометриейпокрытия, а при интенсивности облучения выше 8,510 смс - образо"ванне структурных дефектов, Облучение гамма-квантами приводит к то 4 О му, что слой нитрида кремния теряетатомы азота, мигрирующие в глубь поверхности магнитной головки, и всилу большей химической актйвностиперетягивает в себя атомы азота из45 слоя нитрида бора. В результате этого на(поверхности магнитной головкиФормируется пассивирующая пленка,содержащая обедненный азотом слойнитрида бора, служащий надежнымдиффузионным барьером для всякогорода примесей при повышенных температурах.ЪИспользование изобретения по срав"нению с базовым объектом позволяетв значительной степени повысить тер 55 мическую стойкость магнитной головки.