Пополитов

Номер патента: 1692942

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Димитрова, Пополитов, Рез, Ярославский

МПК: C01G 15/00

Метки: галлия, гидротермальной, ортофосфата, перекристаллизации

...давление жидкой фазы поряд- ка 5 атм. Температурный перепад между зонами поддерживают равным 15", время выдержки в стационарном режиме 7 сут, Исходное стекло равномерно растворяется с поверхности, переходит в раствор и за счет конвекции, вызванной температурным перепадом, транспортируется в зону кристаллизации с последующим образованием спонтанных монокристаллов ортофосфата .галлия. Выход кристаллического ортофосфата галлия составляет 97,5 ь от веса исходной загрузки, Спектральный анализ показывает, что сумма примесей в полученных кристаллах составляет 10 - 10, что свидетельствует о их хорошей частоте. Размер монокристаллов находится в пределах 0,2 - 0,3 см.П р и м е р 2. Процесс получения кристаллического ортофосфата галлия...

Номер патента: 1682413

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Абдрафиков, Бичурин, Новоселов, Пополитов

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: германия, диоксида, модификации, тетрагональной

...Чыс: Чн 2 о 2 =-: 9.0; 1,2.Подготовленный к эксперименту реактор герметически закрывают и гюмещают в печь сопротивления с двумя нагревателями. Реактор нагревают до 150 С, вследствие чего внем создается давление порядка 11,2 атм,Температурный перепад между зонами растворения и роста поддерживают равным4 С, время выдержки в стационарном рекиме 8 сут, Процесс протекает аналогичнопримеру 1, Выход монокристаллов = Ое 0292,4%, их размеры находятся в пределах от1,35 до 1,4 мм.П р и м е р 3, Методика и технологияперекристаллизации диоксида германиятетрагональной мсдификации аналогичнапримерам 1 и 2, Физико-химические параметры ведения процесса следующие: концентрация водного раствора ОС) 1,5 мас. и Н 202 2 мас, , температура 160 С, давление...

Номер патента: 1668496

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Адхамов, Дыменко, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: nво, где, монокристаллов

...исходные компоненты ИЬг 05, ЗЬгОз, В 1 гОз, взятые в мольном отношении 1,2:1,4;0,4. В автоклав заливают водные растворы КР кон центрацией 32 мас и НгС 20 а концентрацией 6 мас взятые в объемном соотношении 4,0:1,2, Соотношение объемов жидкой и твердой фазы составляет 4,5:1,3. Заряженный автоклав с размещенной пере городкой герметически закрываю и помещают в печь сопротивления, где его нагревают до 420 С, вследствие чего давление жидкой среды в нем достигает порядка 760 атм. Температурный градиент составля ет 1,5 градсм. При установившемся стационарном режиме происходит синтез монокристаллов твердых растворов (ЗЬ 1-хВ 1 х)ЙЬ 04, выход которых составляет соответственно 90 от веса исходной ших ты, что в среднем в шесть раз превышает...

Номер патента: 1656014

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Бичурин, Бондарева, Дыменко, Ломонов, Пополитов, Телегенов

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов, оn

...р и м е р 2. В автоклав, футерованный фторопластом, помещаютхимические реактивы тетрабората литияи борной кислоты при их массовомсоотношении 2, 0: 1, О, затем заливаютэтанол (98 мас.7) и размещают перегородку для регулирования конвекциидля заданного температурного перепада, Отношение жидкой фазы к твердой3,0:1,0. Автоклав герметически закрывают и помещают в двухзонную печьсопротивления, где его нагревают дотемпературы (Т) 300 С (зона растворения) с температурным перепадом ( Т)о35 С. При данном нагреве давлениежидкой среды составляет 125 атм,20Процесс получения монокристаллов протекает по схеме, описанной в примере 1. Выход монокристаллов 98,1 Е,размеры до 5,7 мм.П р и м е р 3. В автоклав, футеро 25ванный фторопластом, помещают...

Номер патента: 1656013

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Дыменко, Пополитов, Холов, Цейтлин

МПК: C30B 29/12, C30B 7/04

Метки: кристаллического, меди, моноиодида

...трубкой. В свою очередь трубка отведена в кварцевую емкость с водой, Подготовленный реактор помещают в печь сопротивления, где его40 нагревают до 80 С. Температурный пео . репад поддерживают равным 1 , время выдержки в стационарном режиме 4 сут. Исходная шихта растворяется и конвекционным движением раствора, вызванным45 температурным перепадом, тран спортируется в объем раствора. В результате реакции взаимодействия с водным раствором НВг и за счет суммарного действия температурного перепада и испарения растворителя через капилляр и резиновую трубку происходит быстрее пересыщение раствора растворенными формами монойодида меди с последуюющей его кристаллизацией по всему объему реактора. Выход кристалличес кого монойодида составляет 95,8 Е...

Номер патента: 1643633

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Бичурин, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, соединения

...градиента температуры 1,6-2,1 град/см, Получают мснокристаплы в виде удлиненныхксаганальных призм длиной 3-б мм. Выд кристаллов 83 - 90;4 2 табл. клава происходит образование манакристаллав Яс 2 ЯЬ 409. Полученные манокристаплы кристаплизуются в виде удлиненных гексагональных призм, длина которых колеблется от 1 до 3 мм, Указанная область получения манокристаппов Яс 2 ЯЬ 409 ограничена параметрами: ЯЬ 20 з:Яс 20 з= 1.2;1=620 С; Л 1= 1,6 град/см, СсзР = 18 мас.,4.П р и м е р 2. Исходные компоненты шихты ЯЬ 20 з и Яс 20 з, взятые в мапьнам отношении 1,5;2,4, помещают на дно автоклава, устанавливают перегородку и затем заливают водный раствор фтаристага цезия концентрацией 36 мас,0/ Отношение жидкой фазы к твердой составляет б:1. Автоклав...

Номер патента: 1643457

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Телегенов, Черкасов

МПК: C01B 19/00

Метки: оксихлорида, теллура

...примере 1,П р и м е р 3. Процесс получениякристаллического оксихлорида теллураосуществляют по примеру 1. Технологические параметры кристаллизации:температура 90 С,. температурный перепад 25 С, концентрация водных растворов НС 1 и КС 10 17 и 2 мас.Х соответственно соотношение жидкой итвердой фаз 3,0;1, а жидких фазУВц ф 1 кСщ= 45:1, Время выдержкив режиме 5 сут. В результате описанного технологического процесса происходит образование кристаллического оксихлорида теллура, выход кото. рого составляет практически 99,6 Хгот массы загрузки.1В таблице приведены .основные технологические параметры получения кристаллического оксихпорида теллура. Вследствие достаточной величины растворимости диоксида теллура в смешанном водном растворе соляной...

Номер патента: 1641900

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, оксида, сурьмы

...последовательности операций и проведения эксперимента аналогична примеру 1, Основные физико-химические параметры ведения процесса получения монокристаллов ЗЬ 20 з кубической модификации следующие: количество ЯЬС 1 з 40 г, концентрацияводных растворов НМОз и НгОг составляет 14 и 6 мас,;(, соответственно, объемное соотношение Ч нйозЧнгог= 3:1 Ч нио з + н гогЧ эьоз=3,5:1,1. температура 150 С,температурныйперепад 45 С,давление 12 атм. При установившемся стационарном режиме происходит образование монокристаллов оксида сурьмы с выходом 92,5 . Размеры кристаллов составляют 6- 6,5 мм.П р и м е р 3, Методика оформления, последовательности операций и проведение эксперимента аналогична примеру 1, Физико-химические параметры проведения...

Номер патента: 1641899

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: калия, монокристаллов, стибиотанталата

...3,9-4,5 мм,Основные параметры процесса получеиия монокристаллов К БЬТаО представлены в таблице,Определение химического состава и идентификацию монокристаллов осу ществляли методом рентгеноспектрального и рентгеноструктурного анализа.В рентгеноструктурных исследованиях использованы методы Лауэ, Вейсенберга и порошка при СцК 0-излуче нин аУстановлено, что монокристэллы относятся к дитригональнопирамидальному (3 щ) классу тригональной сингонии с параметрами элементарной ячейки: а = 10,653+0,004, с= 11,597++0,005 А (в гексагональной установке).Изучение систематики погасанийрефлексов на вейсенбергограммах,симметрии лауэграмм с учетом изучения пироэффекта позволяет выбрать длямонокристаллов К БЬТа 0 полярнуюпространственную группу...

Номер патента: 1641898

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Телегенов, Черкасов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/04

Метки: кристаллов, оксидно-галогенного, соединения, теллура

...свидетельствует об иххорошей чистоте,П р и м е р 2, В кварцевый реактор емкостью 1 л загружают 350 гТеО, устанавливают кварцевую перегородку с отверстиями и заливают водный раствор НВг концентрацией40 мас.Х. Соотношение жидкой и твердой фаз 4, б: 1, 5. Реактор герметизируют фторопластовым затвором с капилпяром, соединенным с резиновой трубкой, которая отведена в кварцевуюемкость с водой. Подготовленный реактор помещают в печь сопротивления,где его нагревают до 80 С с температурным перепадом 5 С Время выдержкикварцевого реактора в стационарномрежиме составляет 5 сут. Исходнаяшихта при указанных параметрах растворяется и конвекционным движениемЗОпереносится в обьем раствора, гдеза счет температурного перепадаи испарения растворителя...

Номер патента: 1562364

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/02, C30B 7/10

Метки: висмута, выращивания, монокристаллов

...одновремен ным восстановлением и последующей кристаллизацией монокристаллов висмута. Потенциометрическое исследование остаточных растворов показало, что оптимальный выход монокристаллов висмута достигается при величине окислительно-восстановительного потенциала 0,95 эВ. Выход монокристаллов висмута составляет 97,23 от стехиометрицес кого количества висмута, содержащегося в оксиде висмута, Чистота моно- кристаллов по сумме примесей составляет 10- 10 т .Пример .дицеского действия,156236 Й Формула изобретения Составитель Е, ЛебедеваТехред Л.Сердюкова Корректор Э, Лонцаковат Редактор А. Мотыль Заказ 1038 Тираж 3 А ПодписноеВНИИПИ Государственнос о комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. сс/5...

Номер патента: 1562363

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов

...фзы к твердой/= 4:1,1. Автоклав герметически закры вют и помещают в двухзонную печь сопротивления. Температура зоны раст" варения равна 430 С, температурный перепад равен 30 С, При данном нагреве давление жидкой Фазы составляет 530 атм. Процесс получения 1,1 ТаО;, протвкает по схеме, описанной в примере 1. Средний размер монокристаллов 1 1 ТдОз от 3 до 4 мм,Предложенный способ эффективен, прост в техническом оформлении, воспроизводим, не требует дорогостоящей футеровки, позволяет получать цистые монокристаллы ЬаТаОз и увеличивать 25 их размеры при пониженных температурНЫх параметрах процесса, цто необходимо для их практического использования в кацестве рабочих элементов в приборах специального назначения.При этом количество получаемых...

Номер патента: 1557653

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Атрощенко, Кабанков, Пополитов, Юрченко

МПК: H02M 7/48

Метки: высокочастотным, инвертором, преобразованием, промежуточным, цифровое

...перепадом импульсовделителя 8 (фиг,2 л)Импульс блокинг-генератора 15 через элемент И 13 пропускает на дешиФратор 11 определенное количество импульсов задающего генератора 1 (фиг .2 н), по числу которых дешифратор вырабатывает код переключения коэффициента деления управляемого делителя 3 (Фиг.2 н), что определяет рост разности фаз выходных напряжений делителей частоты 2 и 3 (фиг2 б,в). По выходным импульсам делителей 2 и 3 Формирователи 16 и 17 импульсов формируют сигналы управления силовыми ключами высокочастотных инверторов 19 и 20, имеющие прямоугольную формуЦифровое устройство для управления инвертором напряжения с промежуточным высокочастотным преобразованием по авт.св .У 945947, о т л и - ч а ю щ е е с я тем, что, с целью...

Номер патента: 1491809

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Черкасов

МПК: C01B 19/00

Метки: диоксида, перекристаллизации, теллура

...до температуры 80 С с температурным перепадом 10 С.Время выдержки кварцевого реактора в стационарном режиме составляет 3 сут. Исходная шихта при указанных параметрах растворяется и конвекционным движением переносится в объем раствора, где эа счет температурного перепада и испарения растворителя происходит кристаллизация диоксида теллура. Выход диоксида теллура составляет 977. от веса исходнойзагрузки. Чистота кристаллов диоксида теллура аналогична той, что в примере 1.П р и м е р 3. Процесс получения кристаллического диоксида теллура осуществляют аналогично примерам1 и 2. Технологические параметрыкристаллизации: температура 100 С,оо,температурный перепад 20 С, концент 35 40 45 50 55 рация водных растворов НС 1 и Н 0соответственно 6 и...

Номер патента: 1452788

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Дамбекалне, Ливиньш, Литвин, Пополитов, Ярославский

МПК: C01B 25/44

Метки: алюминия, кубического, метафосфата

...изобретения, заключается в следующЕмСкорость отвода испаряющегосяраствора, равная 5-7 от общего первоначального объема раствора в сутки,обеспечивает тем же заданное в системе А 1(ОН)з-Н РО - НО давление1,5-2, 5 атм. С уменьшением скоростиотвода паров менее 5 давление в системе возрастает и превьппает 2,5 .атм,размер кристаллических зерен увеличивается до 1, 1-1,4 мм, причем кристаллы образуют сростки, между которыми остается маточный раствор, чтоуменьшает массовый выход и качест"во кристаллической шихты кубического метафосфата. При снижении скорости отвода паров до 1 ., давление всистеме превьппает 3,5 атм, что способствует к преобладающему образованию другой фазы - ортофосфату алюминия А 1 РОПри увеличении скорости отводапаров...

Номер патента: 1205979

Опубликовано: 23.01.1986

Авторы: Деревянко, Кузьменко, Куликешев, Лыткин, Пополитов, Токарев, Унанян, Шляхин

МПК: B21J 5/10

Метки: глубокой, инструмент, прошивки

...прошивки содержит соосно установленныеапо оси прошивки надставку 1 , полый прошинень 2, подкладное кольцо 3 и вставленный в полый прошивень 2 элемент для направления,выполненный в виде двухступенчатого тела 4, имеющего в поперечномсечении многолучевой профиль, например четырехлучевой (фиг.З) или трех"лучевой (фиг.4), при этом размерыступеней тела 4 равны внутреннемуи наружному размерам полого прошивня 2 соответственно.Инструмент для глубокой прошивкиработает следующим образом,Поковку 5 размещают на подклад"ное кольцо 3, соосно отверстию в подкладном кольце 3 устанавливают полыйпрошивень 2 с вставленным в негоступенчатым телом 4. К полому прошивню 2 прикладывают усилие прошивки. По мере внедрения полого прошивня2 со ступенчатым:...

Номер патента: 1083267

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Булатов, Добкин, Пополитов, Скороходов

МПК: H01R 4/10

Метки: зажимом, провода, соединения, узел, электрическим

...провода, тогда как к датчикам обычно припаиваются многожильные провода.Цель изобретения - повышение надежности путем обеспечения стабильного контакта в условиях вибраций при одновременном повышении удобства эксплуатации.Поставленная цель достигается тем, что в узле соединения провода с электрическим зажимом, содержащем выполненный в виде цилиндра контактный элемент, имеющий на концевом участке паз для размещения провода, и элемент фиксации, охватываю 30 Узел соединения провода с электрической машиной содержит электропроводящий контактный элемент 1, имеющий резьбу 2, наклон витков которой чередуется в пределах каждого шага нарезки с 50 на 90. Направляющие пазы 3 предназначены для З 5 закладки в них электрических проводовтипа МГТФ (не...

Номер патента: 1065337

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Пополитов, Шапиро, Штернберг, Ярославский

МПК: C01B 25/36

Метки: алюминия, ортофосфата, перекристаллизации

...1 Р 04 , а при более высокой - увеличивается вязкость раствора, что приводит к снижению выхода кристаллического продукта, Давление среды при 120-140 С составляет 20 50 атм.Технология способа состоит в следующем.В стандартный автоклав периодического действия, футерованный фторопластом, загружают в виде пластины алюмофосфатное стекло с составом, отвечающим А 1 Р 04, сумма примесей в котором не превышает 10 -10 6, заливают водным раствором Н 504 стаким расчетом, чтобы отношение твердОй и жидкой Фаз было постоянным,затем автоклав герметизируют и помещают в печь сопротивления с двумя нагревателями, с помощью которыхего нагревают до заданной температуры с температурным градиентом,необходимым для создания перенасыщения в зоне кристаллизации,П р...

Номер патента: 1055785

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Мининзон, Никитенко, Пополитов, Стоюхин

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, термообработки

...люминесценции по,площади скола монокристалла, что связано с 65 ухудшением условий диффузии йода на всю глубину монокристацла.Опыт показал, что для монокристаллов объемом 5 мм вполне достаточно термообработки в течение 6-8 ч, При этом достигается равномерность эффекта активации по всей глубине монокристалла. Время термообработки меньше б ч приводит к нестабильным результатам, которые связаны с йеравномерной активацией образцов. Время термообработки больше 8 ч не усиливает эффекта активации экситонной люминесценции. Следователь но,отжиг в течение 6-8 ч является Оптимальным.Увеличение скорости охлаждения монокристалйов после отжига до зна чений, больших 60 град/ч сопровождается появлением в них дислокацийи зачастую, приводит к их...

Номер патента: 1030086

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Алтыкис, Колосков, Пополитов

МПК: B21J 13/02

Метки: боек, кузнечный

...рабочая поверхность которого выполнена с пазом трапецеидального профиля, нри этом большее основание профиля паза расположено на рабочей поверхности бойка 1 Д.Недостатком известного бойка являетсято, что при изготовлении кольцевых заготовок с выступом имеет 15 место повышенный расход металла в зонах перехода выступ - кольцо.Целью изобретения является сокращение расхода металла и повышение точности получаемых прковок.Поставленная цель достйгается тем, что в кузнечном бойке для иэ готовления полых поковок с наружным кольцевым выступом, содержащем корпус, рабочая поверхность которого ,выполнена с пазом трапецеидального профйля, меньшее основание профиля вава расположено на рабочей поверхности бойка, а угол наклона стенок паза к плоскости...

Номер патента: 964987

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Козленко, Левченко, Пополитов, Рыжкова

МПК: H04B 1/10

Метки: адаптивное, поиска, сигнала, широкополосного

...выходной сигнал сблока 10 корреляторов, котбрый сравнивается с порогом в блоке 12, Еслиуровень выходных сигналов корреля.торов ниже порога, то пороговыйблок 12 выдает команду на блок 13. сканирования, по которой он .осуществляет задержку псевдослучайной пос ледовательности, формируемой генератором 16 копий на время пКСо,где К - число корреляторов, С выхода генератора 16 копий псевдослу- .чайная последовательность поступаетна регистр 17 сдвига, на тактовый.вход которого поступает сигнал свыхода делителя 14 частоты с ПКД,значение частоты которого задаетсявыходным сигналом блока 7 дешифраторов, Частота установочных импульсов блока 10 корреляторов задаетсядешифратором 8Дешифраторы 8 .и 9.работают следующим образом. Если . число...

Номер патента: 939961

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Веневцев, Лейченко, Лобачев, Пескин, Пополитов

МПК: G01J 5/20

Метки: излучения, приемник

...трехчасов пластину выдерживают при данной температуре, а затем медленноохлаждают под полем до комнатнойзотемпературы, Монодоменность пластины проверяют измерением пирооткликапри сканиоовании моаулированнрготеплового потока диаметром 50 мкмпо поверхности с равных сторон пластинки. Пироэффект измеряют двумяметодами: динамическим и квазистатицеским. Измерения ведут в вакуумированном бптическом термостате винтервале от -180 до -500 С. Диэлектрическую проницаемость (Е) ипроводимость измеряют на мосте Е 8-2на частоте 1 кГц, При измерении пироэффекта динамическим методом, одиниэ электродов покрывают тонким слоем золотой черни и облучают тепловым потоком постоянной и известноймощности, модулируя обтюратором счастотой 1 кГц,На чертеже...

Номер патента: 836802

Опубликовано: 07.06.1981

Авторы: Козленко, Левченко, Пополитов, Рыжкова

МПК: H04J 1/00

Метки: псевдошумовыхсигналов, уплотнения

...и тактовой частоты 1, генераторы ортогональных псевдослучайных последовательностей 2 и 3, фазовые манипуляторы 4 и 5, перемно836802 фступлении сигнала с выхода счетчикана второй ключевой узел 10 на входсумматора подается колебание несущейчастоты, манипулированное по фазена 90 и 270 по закону выходногоо осигнала фазового манипулятора 4,На выходе сумматора образуется сигнал постоянной амплитуды, манипулированной по фазе на О ,90 О, 180 и 27 Й1 о Таким образом, помехоустойчивостьпередачи информации в усовершенствованном устройстве для уплотненияпсевдошумовых сигналов выше, чем восновном изобретении за счет более15 полного использования мощности передаваемого сигнала. Формула изобретения 3жители 6 и 7, сумматор 8, первый ключевой узел...

Номер патента: 287659

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Бут-Гуссаинов, Григорьев, Ермаков, Мирмильштейн, Пополитов, Прозоров

МПК: B21D 26/02

Метки: заготовок, кольцевых, упрочнения

...встречно посаженных вершинами на оправку 3. Верхняя втулка 1 нагружен:. прессом через шаровую опору 4, обеспечиваюгцую свободный ход, втулки по оправке и компенсирующую перекосы травсрсы пресса. Основания нижней втулки 2 и ОИ 1 эдвки 3 жестко ск 1 епгСН 1, и; И,пГ О.СВозные каналы 6 В оправке и труоопроцод 7 соединяют внутреннюю полость растГи 1,).з 1 ОГО колИд 8 с насосом 9 ВСоког ддв,сц;5 5 Дс)я Оосспсчения ВрмстиздН 11 ПОлости кОГ)ь 1 ц)8ЦДРХКЕ 10 Х П 10 ТЦИТЕ 1 Ь,)ЫМИ МГД,1.И)КИ;И прокладка:)1 и 10, 3 Гдкже дву.1 я с Г 51 ГПВ 1 юиими П О 5) С 3 Х 1 И, 0 С М 1 ЦЕ С Т В,Я Ю 1 Ц И . И П 0.1 П 0 О КО. 1 Ы П 1 К) еГО Вцепип 1 м крохка у 10 пцдв 11. ПГ)едцг 1 зн 1- ченцых для повышения ранцаСрцости дс)Ормапий Г 10 ВысОтс кОл цд Г)ри...

Номер патента: 466190

Опубликовано: 05.04.1975

Авторы: Недилько, Пополитов, Сыч

МПК: C01G 29/00

Метки: висмута, ортостибата

...и прокаливают до температуры 600 - 650 С. 20Прокаливают осажденный продукт ступенчато при температурах 300, 400, 500, 600 и650 С с выдержкой в теечние 4 - 6 час прикаждой температуре.Это повышает чистоту и однородность конечного продукта.П р и м е р. К 100 мл метанольного раствора,содержащего 29,90 г пятихлористой сурьмы,приливают 150 мл солянокислого раствора(РН 0,6 - 0,8), содержащего 31,53 г треххло- зо ристого висмута, тщательно перемешивают водно-метанольную смесь и приливают ее к 6 ОО мл водного раствора, содержащего 70 мл концентрированного раствора аммиака. Образовавшийся осадок выдерживают в течение 1 - 2 суток, фильтруют на вакуум-фильтре и промывают раствором нитрата аммония и ацетоном. Далее шихту высушивают при...

Номер патента: 425255

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Закс, Лобачев, Ордена, Пополитов, Сыркин

МПК: H01L 41/187

Метки: материал, пьезо-сегнетоэлектрический

...основе сульфойодида сурьмы с примесями 5625 з и 56 е 0 з.Однако введение добавок 56 г 5 з, 5620 з в сульфойодид сурьмы размывает фазовый сегнетоэлектрический переход, понижает пьезомодуль, что затрудняет использование легированных образцов сульфойодида.Целью и 1 зобретения являеМся повышение точки Кюри и четкости фазового перехода.Для этого в сульфойодид сурьмы введен оробат сурьмы (56 У 604) при следующем соании исходных компонентов, в мол. %:5651 50 - 95 5 ЬУЬО 5 - 50 работанный материал имеет точку Кю ка 50 - 51 С, значение пьезомодуля 1,2 - 1,8 10 -СГС, что обеспечивает е ущество по сравнению с известным. и м е р. В реактор высокого давлен ованный двумя кварцевыми трубкам ают исходные монокристаллы 5 Ь 51 04, взятые в мольных...

Номер патента: 259348

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Аронов, Гапшин, Мельникова, Пополитов

МПК: B27B 31/00

Метки: досок, накопления, подачи, станок

...Доска 7, передвигаясь по транспортеру б, наталкивается на флажок механизма 8, перемещает его и тем самым переключает рычаг золотника пневхтоцилиндров 9 механцз ма б; поршни пневмоцилиндров поднимаютдоску вверх и заправляют ее в кассету 2, Как только поднимаемая доска освобождает флажок механизма 8, последний возвращается в исходное положение, а механизм б опускается в нижнее положение. Поднятые доски покоятся на защелках 8 кассеты 2.Чтобы;перемещаемая вверх доска 7 не,поднимала конец идущей вслед за нею доски, одновременно с сигналом на ее подъем дается сигнал специальному пневмоприжиму 17, задерживающему доску 7 на период работы механизма подъема. Когда секция кассеты 2 заполнена полностью, она передвигается на один шаг механизмом...