Кремлев

Номер патента: 985643

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Алексенко, Коваль, Кремлев, Николаев

МПК: F25B 21/00

Метки: производства, холода

...в оавновесйи с хлорной кислотой. При ультрафиолетовом облучении в интерваледлины волны 1800-2600 А происходитфотохимический распад комплекса сосуществлением эндотермической реакции с получением холодильного эффекта. При отсутствии облучения комплексвновь образуется, что дает возможность осуществлять многократноеоблучение и таким образом непрерывно производить холод.Способ осуществлялся в резервуарецилиндрической формы, в центре которого коаксиально располагается лампаПРК М, имеющая резонансную линию985643 Формула изобретения Составитель Р. ДаниловРедактор М. Рачкулинец Техред М.Коштура Корректор О. Билак Заказ 10150/62 Тираж 543ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, 1-35, Раушская наб., д....

Номер патента: 957909

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Беззубов, Ворошилина, Кокорина, Кремлев, Поспелова, Рахимова, Федосова, Ханина, Чернецкий

МПК: A61K 35/74

Метки: биомассы, бифидумбактерий

...ки в присутствии15-8 сахарозы и 0,8-1,0 желатина.П р и м е р . Культуру бифидумбактерий выращивают в, козеиново-дрожжевой питательной среде ЕДф, содержащей казеиновый гидролизат 350 г,дрожжевой автолизат 650 г, лактозу10 г, хлористый натрий 5 г, Ы-цистин0,1 г, фитин 0,5-1, 0 г, агар-агар7,5 г. В ростовую среду дополнитель но вводят компонент среды суспендирования - крахмал в количестве 0,5"1,0 г. Культивирование ведут при 3738 оС в течение 24-48 ч. В емкость свыращенной культурой стерильно вводят баэальные компоненты среды сус957909 Формула изобретения Составитель С,Малютина Редактор Т.Парфенова Техред М.Надь Корректор Е.РошкоЗаказ 6652/7 Тираж 714 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035,...

Номер патента: 953730

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Кремлев, Стороженко, Струков, Шетинин

МПК: H03K 19/08

Метки: инжекционный, интегральный, логический, элемент

...транзистор 1 насыщен, т.е,на выходе выдается низкий потенциалблизкий к нулю. При этом диоды 11 и12 закрыты, а транзисторы 3-5 открыты и обеспечивают базовый ток выходного транзистора 1. Напряжение на базах транзисторов 3-,5 равно удвоенному прямому падению напряжения на диоде. Если на один из входов 9 или 10,или на оба входа. подается низкий потенциал, близкий к нулю, то диод 11 15или 12, или соответственно оба отрываются и отводят коллекторный токтранзисторов 1 или 5, или 1 и 5 наземлю. В результате базовый ток транзистора 1 уменьшается и он закрывается, что соответствует логической единице на выходе.Таким образом, логический элементвыполняет логическую функцию И-НЕдля логических переменных: "О" - низкий потенциал, "1" - высокий...

Номер патента: 942739

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Альперин, Кремлев, Яшков

МПК: A61F 1/22

Метки: искусственный, клапан, сердца

...то же, вид сверху, на фиг. 3 - то же, вид сбоку, на фиг. Ь - сечение А-А на фиг, 1.Искусственный клапан содержит корпус 1, снабженный выемками 2 запирающий элемент в виде шарика 3 и ограничители тт хода запирающего элемен-. та в виде узких вогнутых стоек. Выеттки,2 размещены .в месте, контакта с шариком 3, а ограничитвли 11 соединейы с корпусом в местах выполнения вы емок 2, форма профиля которых совпа дает с формой профиля поперечного сечения ограничителей.Клапан работает следуоции образом.Под действием прямого кровоюка шарик 3 прижимается к корпусу 1, перекрывая не полностью отверстие в последнеи, так как часть крови про" должает обратно сбрасываться по вогну;9"2739 Формула изобретения СоставиТехред Редактор Е,Лазур Пета ССрытийя...

Номер патента: 931345

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Заглубоцкий, Коваль, Кремлев, Николаев, Тарасенко

МПК: B23P 1/04

Метки: размерной, электрохимической

...30 л/мин электролитаи плотности тока О,ЗА/см 2 от сети переменного тока процесс длится 45 с. Затем, после перекрытия электролита 1, при том же рас931345 Составитель Р. Никматулин Редактор С. Тараненко Техред) А, Бойкас Корректор Л. Бокшан Заказ 3516/12 Тираж 151 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4хоь: прока:.ивают электролит2 в течение 80 с и т.д. Число циклов 6. Растрескива- ния и коррозии не наблюдается, Шероховатость поверхности при этом соответствует К 0,32. Механические и магнитные характеристики поверхности после обработки соответствуют ГОСТУ.Пример 2. Заготовку берут из магнитного сплава 1...

Номер патента: 877088

Опубликовано: 30.10.1981

Авторы: Кремлев, Райский, Шайхетман, Щапин

МПК: F01D 17/20

Метки: теплофикационной, турбоустановки

...тепловую и электричес кую мощность турбоустановки, повысить ее экономичность и экономичность ТЭЦ за счет увеличения теплофикационной выработки электроэнергии.Нагрузка отбора 4 в рассматриваемом режиме удовлетворяются на заданном уровне,а температура воды на выходе из конденсатора 3, оставаясь в пределах допустимой, - повышается при уменьшении нагрузки и наоборот.2-й режим. При достижении темпе ературы воды значения, равного или меньше нижнего предела заданного диапазона изменения температурыводы блок 16 по коман.де блока 4 подключает выходные цепи регулятора 12 температуры к регулирующему органу 18, а выходные цепи регулятора 9 45 давления - к входу блока 4, Одновременно блок 16 отключает выходные цепи регулятора 12 температуры...

Номер патента: 860315

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Казеннов, Кремлев, Стороженко

МПК: H03K 19/091

Метки: инжекционный, интегральный, логический, элемент

...выполнения.Логический элемент содержит выходной и-р-и транзистор 1, эмиттер которого соединен с общей шиной, коллектор - с выходной шиной 2, база подключена к коллектору инжектирующеготранзистора 3 через последовательносоединенные между собой и с транзистором 3 дополнительные транзисторы4 и 5, Базы транзисторов 3-5 соединены с общей шиной, эмиттер транзистора 3 подключен к шине б питания,база транзистора 1 - к входной шине7, эмиттеры транзисторов 4 и 5 - кдополнительным входным шинам 8 и 9соответственно.Логический элемент работает следующим образом.Если на одно ес 1 то низкий потен ю,860315 Формула изобретения Составитель Л, ДарьинаКовальчук Техред М. Голинка Корректор Ю. Макаренк 73/86 Тираж ВНИИПИ Государст по делам изоб 113035,...

Номер патента: 587808

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Ержанов, Кремлев, Стороженко, Щетинин

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральная, схема

...5, являющимся выходнымэлектродом схемы; дополнительныеинжектнрующие области 6 п-типа проводимостй, расположенные междуобластями 2 и 3 и имеющие диодныеструктуры (диоды Шоттки), анодамикоторых являются входные (например,алюминиевые), электроды 7, катодами - области б. Периферия областейБ для улучшения их инжектирующихсвойств может быть более легированной,чем участки, на которых размещены Одиодные структуры, например легированной в одном диффузионном процессес областью 2, Диодные структуры,образованные электродами 7 и областямн б, характеризуются малым (по 15сравнению с р-п-переходами) прямымпадением напряжения.Предложенная интегральная схемаработает следующим образом.Области 1 и 2 через контактные 2 Оэлектроды подключаются...

Номер патента: 848703

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Иванов, Кремлев, Кузьмин, Рабинович, Райский, Щапин

МПК: F01D 17/20

Метки: давленияв, линии, отбора, пара, турбины

...давления, парораспределительные органы 3 и 4, управляемые регулятором 5 давления через исполнительный узел 6, линию 7 отбора, датчики 8 и 9 давления пара в линии отбора и датчик .10 перепача давления на расходомер ом элементе. Выходы датчиков давлеия 9 и перепада давления 10 подключены к входу блока 11 деления, а выход датчика 8 давления подключен ко второму входу электронного регулятора 12, к первому входу которого подключен выход блока 11 деления, Выход электронного регулятора 12 связан с электродвигателем задатчика 13 регулятора 5 давления.Способ осуществляется следующим образом.В установившемся режиме в результате сравнения сигналов от датчиков 10 и 9 на выходе блока 11 деления формируется сигнал, соответствующий данной условной...

Номер патента: 833408

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Гендельман, Кирьяков, Кремлев, Фишбейн

МПК: B23K 35/365

Метки: покрытия, состав, электродного

...покрытие позволяет получить стабильный пресс горения дуги большой мощности, а также обеспечивает надежную защиту места реза (выплавки) от воздействия воздуха, что достигается эа счет углекислого газа, образующегося вследствие диссоциации карбонатов кальция и магния, содержащихся в доломите.Стабильный пресс горения дуги обеспечивается за счет введения в состав покрытия ферросилиция, а также поташа, которые снижают потенциал ионизации дуги. Введение маршалита, содержащего окис-лы щелочноземельиых металлов, также стабилизирует горение дуги. Все это способствует значительному улучшению .поверхности реза и повышению стойкости закаливающихся сталей (особенно больших толшин) против образования трещин.Введение в состав покрытия маршалита...

Номер патента: 825580

Опубликовано: 30.04.1981

Авторы: Бедняк, Блох, Злотченко, Коваленко, Кремлев, Меламед, Сидогин, Хомин, Шакула

МПК: C10C 3/02

Метки: 825580

...вулканизацией смеси прирежиме вулканизации 153 С и 60 мин,приведены в табл. 4.Таким образом, использование продуктов переработки позволяет упростить рецептурный состав резиновыхсмесей (пример 4),Таблица 1 Параметры п цесса.0 2 0 2 3 8255бензолсульфонилхлорамид:вода, равном2-4 ; 1-2 : 2-6.1Термообработку проводят при 90100 С.Получаемые при этом продукты пе 5реработки используют в качестве активных компонентов при синтезе резин,П р и и е р 1. К кислым смолкам, помещенным в фарфоровый стакан, при постоянномперемешивании приливают водный раствор реагентов - гипохлорита натрия(опыты 1,2,3) или натрийбензолсульфонилхлорамида (опыты 4,5,6) . Образующуюся при этом гомогенную смесь нагревают до 90-00 С и выдерживаютпри данной...

Номер патента: 734682

Опубликовано: 15.05.1980

Авторы: Гусев, Иванов, Контарев, Кремлев, Кренгель, Персов, Шагивалеев, Щетинин, Ярмухаметов

МПК: G06F 7/39

Метки: деления

...сдвиговой 14.Тк, например, при комбинации выбранных разрядов остатка 000 очередные два разряда частного будут 00. В этом случае остаток, находящийся на регистре остатка 1, сдвигается влево на два разряда, и этот сдвинутый код является новым остатком. На регистр выбранных разрядов остатка 12 через коммутатор 14 поступают выбранные разряды нового остатка, в дополнительный регистр 13 заносится код 00 и сдвигается влево на два разряда.При комбинации выбранных рзрядов остатка 001 очередные два разряда частного могут быть либо 01, либо 00. В этом случае на первую информационную шину 3 поступает остаток из регистра остатка 1, а на вторую информационную шину 7 поступает делитель из регистра делителя 4, и в сумматоре 8 по сигналу из блока...

Номер патента: 730982

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Кремлев, Райский, Шайхетман, Щапин

МПК: F01D 17/20

Метки: охладительной, редукционно, установки

...РОУ работает следующим образом,При сбросе нагрузки с производственного отбора турбины или при увеличении нагрузки потребителя пара сверх возможностей турбин снижается давление в паропроводе 3, вследствие чего в элементе 11 сравнения происходит рассогласование между сигналом датчика 20 фактического давления редуцированного пара и заданием, скорректированным по сигналу датчика 6 расхода пара. При этом задание для элемента 11 сравнения и регулятора 4 корректируется таким образом, чтобы давление у потребителя было постоянным. Это соответствует увеличению задания по давлению при увеличении расхода пара на величину, компенсирующую увеличение падения давления в паропроводе от теплоэлектроцентрали к потребителю, и снижению задания при...

Номер патента: 681046

Опубликовано: 25.08.1979

Авторы: Кремлев, Фиалков, Ягупольский

МПК: C07C 63/62

Метки: дифторкоричной, замещенных, кислоты, транс

...и минус 90 - 5минус 85 С. Реакционную смесь выливают при размешивании в стакан, содержащий 100 г сухого льда и 100 мл безводного эфира. Через 3 ч кислоту экстрагируют 5-ным раствором соды (5 раэпо 10 мл). Объединенные содовые вы 55тяжки проьеювают эфиром, Фильтруют иподкисляют 35%-ной соляной кислотой.Выпавший осадок отфильтровывают, промывают водой и сушат. Выход транс- с,(Ь-дифторкоричной кислоты 4,4 г (59 е),Ют.пл. 125-126 С, Препарат не дает депрессии температуры плавления в пробесмешения с заведомым образцом.П р и м е р 2. Транс- П-метил- а,Ь-дифторкоричная кислота (Х щ. СН), б 5 4В реактор, описанный в примере 1,помещают 7,55 г И -метил- с(., (3-дифтор- (-хлорстирола н смесь (безводных) 24 мп тетрагндрофурана, б млэФира н 24 мл...

Номер патента: 633395

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Кокин, Кремлев, Лубашевский, Назарьян

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, логическая, схема

...биполярного транзистора в виде р-и-иструктуры, а нагрузочного униполярного тран.зистора п.канальным. Данный вариант интеграль.ной схемы имеет повышенное быстродействиеблагодаря использованию неинжектирующего перехода в качестве коллектора переключательноготранзистора. Другим важным преимуществом дан.ного варианта является возможность формироващя в базовой области р-типа переключательноготранзистора диодов Шоттки (или иных выпрям 46ляющих диОдОВ), Вьполннощих роль входьхэлектродов.Интегральная схема работает следующим образом. Электроды 1 и 2 подсоединяются к поло 4жительному и "земляному" электродам источника питания, Если, по крайней мере, на одномиз входов 9, 9 или 9" имеет место высокийпотенциал - "1", величиной, больше...

Номер патента: 619066

Опубликовано: 15.03.1979

Авторы: Кокин, Кремлев, Манжа, Назарьян

МПК: H03K 19/02

Метки: интегральный, логический, элемент

...транзистор 1 с тремя затворами, биполярный гори зонтальный нагрузочный транзистор 2 с тремя коллекторами, входные шины 10 3, 4, 5, выходную шину 6, соединенную со стоком транзистора 1, плюсовую шину 7 напряжения питания, соединенную с эмиттером транзистора 2, общую шину 8, соединенную с истоком )5 транзистора 1, с базой транзистора 2, с катодами дополнительных вентильных двухполюсников 9.Каждая их входных шин 3, 4, 5 подключена к одному иэ затворов 20 транзистора 1, к одному из коллекторов транзистора 2 и к одному из анодов вентильных двухполюсников 9. Последние должны иметь напряжение открывания (или прямое падение напряжения) меньшее, чем напряжение открывания р-л-переходов, которые образуют затворы транзистора 1 и...

Номер патента: 651341

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Гусев, Иванов, Контарев, Кремлев, Кренгель, Шагивалеев, Щетинин, Ярмухаметов

МПК: G06F 7/39

Метки: умножения

...разрядов регистра множителя 6 выбирают следуюшим образом. Содержимое группы разрядов 7 - 9 регистра множителя 6 через элементы И - НЕ 14 - 16 по сигналу из блока управления 22 5 Опринимается на разряды 18 - 20 буферногорегистра 17. При этом ввиду отсутствия сиг, нала со счетчика 23, свидетельствующего о его нулевом состоянии, в старший разряд651341 6Умножение происходит путем многократ.ного Выполнения действий, приведенных в таблице. Оно состоит из элементарных операций: либо сложения суммы частных произведений, расположенной на сдвиговом регистре 3, и множимого, расположенного на регистре множимого 2, либо вычитания множимого из суммы частных произведений и операцийсдвига результата на двойном сдвигателе, образованном сдвиговым регист...

Номер патента: 648984

Опубликовано: 25.02.1979

Авторы: Гусев, Иванов, Контарев, Кремлев, Кренгель, Поливода, Скворцов, Шагивалеев, Щетинин, Ярмухаметов

МПК: G06F 15/00

Метки: данных, длины, переменной

...Большинство систем команд современных ЭВМуказывают только адреса исходных операндов, определяя адрес записи результата косвенно. Например, в системекоманд ЕС ЭВМ результат долженбыть записан по адресу первого операнда, т.е. занять его место в памятипосле обработки. Поэтому выгодно выравнивать один операнд по другому, например, по первому, чтобы результатоказался автоматически в той позиции,в которой он должен бьггь записан впамять, Как видно из фиг. 2, процессвыравнивания может бьггь осуществленпутем сдвига вправо всех байтов одного операнда до тех пор, пока крайнийправый байт этого операнда не займетпозицию крайнего правого байта другогооперанда при выравнивании по правойгранице или аналогичным процессомсдвига влево при выравнивании...

Номер патента: 591075

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Гусев, Иванов, Контарев, Кремлев, Кренгель, Шагивалиев, Щетинин, Ярмухаметов

МПК: G06F 9/16

Метки: микропрограммное

...выбор горизонтальной линейки триггеров и одновременно подаются микропрнказы на чтениеилн запись. Поскольку первые выходы всехтриггеров регистров 1 - 14 подключены кблоку 2, то по их состоянию можно провестимодификацию адреса следующей за выпол.няемой микрокомандой, а следовательно, ивыбрать путь выполнения микрокоманды в юзависимости от состояния того или иноготриггера, а также совокупности триггеров,находящихся в одной линейке (регистр матрицы). Кроме того, возможно провести переустановку какого-либо триггера, напримеррегистра 11 в соответствии со значениемтриггера, например, регистра 3 путем подачи сигналов чтения на регистр 14 и одновременно сигнала записи по входам ре. гистра 11. Чтение информации на выход устройства позволяет...

Номер патента: 646391

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Кремлев, Лавров, Назарьян

МПК: H01L 29/812

Метки: полевой, транзистор

...проводимости таким, образом, что ее проекцйя полностью перекрывает контакт стоковой области г. подложке.На чертеже изображен полевой транзистор, имеющий область истока 1, омический контакт 2 области стока, затворные области 3, дополнительную область 4 противоположного истоку типа проводимости и область канала 5.В предложенной конструкции область канала 5 перекрывается слоем объемного заряда затвор-исток перехода, выполненного в виде диода Шоттки, когда на затворе имеет место отрицательный или нулевой (по отношению к области ) потенциал, Когда646391 3в области 3 приложен продолжительный потенциал, то область объемного заряда уменьшается и между истоком 1 и стоком 2 имеет место гальваническая связь,Уменьшение длины канала в предложенном...

Номер патента: 602056

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Кокин, Кремлев, Лубашевский, Назарьян

МПК: H01L 27/00

Метки: инвертор, интегральный

...транзисторы имеют каналы 9 и 10 соответственно. 5Инвертор работает следующим образом. К электроду б прикладывается положительное напряжение, величина которого может составлять несколько десятков долей вольта. При этом если электрод б заземлен, то ток источника питания (на чертеже не показан) протекает через сток нагрузочного полевого транзистора к электроду 8. В этом режиме затвор переключательного транзистора находится под потенциалом, 15 равным потенциалу земли и, следовательно, канал 10 переключательного транзистор а перекрыт слоем объемного заряда, При этом переключательный транзистор закрыт для токов по цепи исток 2 - сток 3, 20 Если на электроде б имеется положительный потенциал (или электрод б оборван), то ток...

Номер патента: 529701

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Ержанов, Кокин, Кремлев, Любимов, Манжа

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральный, транзистор

...2 часток .э может оыть открыт или за529701 г з перт расширившимся слоем объемного заряда р - и-перехода подложка 1 - коллекторная область 2.Интегральный транзистор в качестве инвертирующего работает следующим об разом.Подложку 1 и эмиттерную область 4 заземляют; коллекторную область 2 через нагрузочный резистор подключают к источнику питания. При высоком положи тельном напряжении на коллекторной области транзистора соединительный участок Б заперт слоем объемного заряда р - п-перехода подложка 1 - коллекторная область 2. Базовая область 3 не соединяет ся с подложкой 1 транзистора; весь ток является его базовым током.Предлагаемый интегральный транзистор работает так же, как и его аналоги.При понижении напряжения на коллек О торной...

Номер патента: 519102

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Ержанов, Кремлев, Лебедев

МПК: H01L 27/00

Метки: инвертор, интегральный

...р - и - р-транзистора (фиг. 1) подключается к положительному полюсу источника тока питания, базовая область 2 заземляется, Заземляется и отрицательный полюс источника тока питания. Электрод б (вход инвертора) подключается к источнику входного сигнала, электрод 7 (выход инвертора) - ,к цепи нагрузки. Обозначим логическим 0 состояние замыкания данного электрода на землю (низкий положительный потенциал 0 - 0,1 В), логической 1 - состояние отсутствия замыкания данного электрода на землю (высокий положительный потенциал, равный прямому падению напряжения на р - л-переходе, т. е.0,5 - 0,7 В для кремниевого прибора).При подаче сигнала логического 0 на электрод б (вход прибора) на затворной области 3 вертикального переключательного...

Номер патента: 602055

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Кокив, Кремлев, Назарьян

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральный, логический, элемент

...носителями заряда. Эти носители заряда коллектируются затворнымиобластями 6 и 7.В зависимости от напряжения на входах1 и 11 логический элемент может находитьОся в одном из следующих состояций.Если на обоих входах приложено низкоенапряжение, близкое к потенциалу земли",то коллектировднные переходами областей6 и 7 носители заряда стекают на "землю,При этом электрод "выход не имеет гальванической связи с электродом "земля", иесли гальванический элемент нагружен цааналогичный, то на выходе области 5 будает высокое напряжение, равное напряжени 1 о 5 Ооптирования перехода между областями б,7 и подложкой. Нарушение упомянутой гальваническойсвязи происходит вследствие перекрытияучастка подложки, расположенного междуэлектродами...

Номер патента: 624295

Опубликовано: 15.09.1978

Авторы: Гусев, Иванов, Контарев, Кремлев, Кренгель, Шагивалеев, Щетинин, Ярмухаметов

МПК: G11C 11/40

Метки: матричной, однородной, памяти, структуры, ячейка

...этомединичная информация на информационныхшинах 6 остается только в тех разрядах5 Оматрицы, на котооые одновременно считывались " единицы. В разрядах же, накоторые считывалса хотя бы один "нуль;,остаетса",нулевая информация.Операция ИЛИ выполняется одновре 55менной записью в одну ячейку 10 информации с различных информационных шин6. При этом, если хотя бы одна "единяца есть на любой из информационных шин 6, она записывается в данную ячейку 10,Операции перекомпоновки выполняютсяне ячейках 10, различные выходы которых эекоммутированыс информационнымишинами 6 других столбцов матрицы (нафиг. 2 см. нижнюю строку матрицы), Например, операции сдвигов вправо выполняются записью в эту строку по первымвходам ячеек с первой информационнойшины 6,...

Номер патента: 620488

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Кремлев, Мартюшенко

МПК: C07D 333/18

Метки: 4-динитроанилида, тиофенсульфокислоты

...в горячих метвнопе, этанопе уксусной кислоте, хнороформе и бензопе и не растворимое в петропейном и этиповом .эфирах.П р и м е р 1. В колбе растворяют 12 г (0,03 г моль) едкого.натра в 25 мп воды после чего поспедоввтепьно прибавляют 2,52 г (ОРОЗ г моль) рцкарбоната натрия, 4,89 г (0,03 гмопь)о( -тиофенсульфвмида, 6,075 г (0,03 г. моль) 2,4-динитрохпорбензопа и 25 мп воды, Кипятят, 6 ч до образования янтарного раствора и исчезновения маспянистого споя 2,4-динитрохпорбензопа. Реакционную массу подкиспяют сопяной кислотой (1:1), охлаждают и отфильтровывают. Осадок промывают нес колько рвз водой до исчезновения кис620488 Составитель Т. ЛевашоваРедактор Т. Загребельная Техред М. Борисова Корректор С, Гараснняк Заказ, 4592/19 Тираж 559...

Номер патента: 615538

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Гусев, Иванов, Контарев, Кремлев, Кренгель, Шагивалеев, Щетинин, Ярмухаметов

МПК: G06F 12/02, G06F 9/00, G11C 7/00 ...

Метки: блока, выбора, информации, памяти

...4, и сигналы микроприказов с его выходуправляют устройством в течение одного таьта работы, Это могут быть мнкроприказы загрузки констант на счетчики О н 11, пересылки данных по шинам 12 и 13 н т. п, действия по обработке информации, Достаточно сложные микропрограммы, как 1 в правило, имеют общие блоки стандартнойможно выполнять по микропрограмме вычитания, т 1 рервавее выполнение до ветви записи результата. В этом случае решение о прекращении операции принимается по колу команды. Команду умножения полуслов можно выполнять по микропрограмме умножения целых слов, прервав цикл по содержимому счетчиков. Иногда возникает необходимость проанализировать передаваемые по информационным шинам данные для принятия решения с ветвлений, например,...

Номер патента: 615065

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Бородавко, Гонтарь, Дружинина, Кремлев, Мартюшенко, Харченко

МПК: C07C 157/05

Метки: моносульфонилтиомочевин

...едкого натра в 30 мл диметилформвмидв в бО течение 15 мин прибавляют 4,631 г(0,025 смоль), с(, -нафилизотиоцианата,Перемешивание продолжают в течениепоследующих 15 мин до исчезновениящелочной среды по фенолфгалеиновойбумажке (к этому времени реакционнаямасса становится гомогенной), затемвыливают при перемешиввнии в 100 млледянойводы, Выпавший осадок отфильтровывают, промывают водой до отсутствиямути в, пробе фильтрата при подкислениисоляной кислотой, После сушки получают0,2 г вещества , не дающего депрессиитемпературы плавления с сС -нвфтилизотиоцивнвтом,Фильтрвт и.промывные воды объединяют и при наружном охлаждении ледяной водой и перемешиввнии подкисляют 2 Йсоляной кислотой до рН, Выпавшийосадок отфильтровывают, промывают холодной...

Номер патента: 613402

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Гусев, Иванов, Контарев, Кремлев, Кренгель, Шагивалеев, Щетинин, Ярмухаметов

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...1 и 2 памяти и на коммутатор 8.Коммутатор 8 подключает к адресному входу дополнительного блока 2 памяти выход счетчика 7. Таким образом информация записывается одновременно в одноименные регистры обоих блоков 1 и 2 памяти по адресу, определяемому содержимым счетчика 7, Запись следующих операндов проводится аналогично, путем смены адреса записи на счетчике 7 загрузкой в него определенного поля следующей команды загрузки или увеличением содержимого счетчика 7 на единицу при загрузке массива. Продвижение счетчика 7 осуществляется по сигналу из блока 10 управления, После загрузки блоков памяти в обоих блоках одна и та же информация будет расположена в одноименных регистрах запоминающего устройства.В некоторый момент времени процессор ЭВМ, в...

Номер патента: 613401

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Гусев, Иванов, Контарев, Кремлев, Кренгель, Шагивалеев, Щетинин, Ярмухаметов

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...микрокоманд для активизации тех или иных цепей объекта управления.Последовательность ячеек блока памяти может представлять собой какую-либо подпрограмму, к которой обращается ряд программ. При этом вход в данную подпрограмму определяется адресом ее начала и может быть указан в программе, а адрес выхода из подпрограммы в каждом конкретном случае разный и определяется видом программы. Следовательно при входе в подпрограмму необходимо заранее задать адрес выхода,В устройстве возврат осуществляется следующим образом: перед входом в подпрограмму на регистр 7 с регистра 2, а именно с части его разрядов, называемых полем 3 констант, загружается адрес возврата. Каждая подпрограмма в последней своей ячейке содержит приказ приема адреса с регистра...