H03K 19/08 — полупроводниковыми приборами

Номер патента: 729847

Опубликовано: 25.04.1980

Автор: Фурсин

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, элемент

...с полевым транзистором с управляющимр-п-переходом 1 .Недостатком этою элемента является низкое быстродействие.Известен логический элемент, содержаший р-п-р транзистор и многостоковый т 1 -канальный полевой транзистор с р-,зат вором, который соединен с коллектором р-п-р-транзистора и входом схемы, исто полевого транзистора соединен с базой р-п-р-транзистора и с шиной нулевого потенциала, стоки полевого транзистора. соединены с выходами схемы, а эмиттер р-и-р-транзистора - с шиной питания. Такая схема дает воэможность работы при низких напряжениях питания (несколько сотен милливольт) и имеет низкие значения энергии переключения 21. Недостатком указанного элем является невысокое быстродейс (среднее время задержки распро некии сигнала...

Номер патента: 729848

Опубликовано: 25.04.1980

Авторы: Плотников, Потапов, Шакиров

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, логический, элемент

...транзисторов, В предложенном устройстве формирование выходного логического уровня осуществляется последовательными цепочками ключей, в каждой из которых состояние любых двух последовательно соединенных каскадов инверсны, Вследствие этого степень насьпцения транзисторов выходного каскада пропорции-коэффициенту усилия по току и допустимая доза радиации увеличивается в Р раз. Формула изобретения Логический элемент И-НЕ, содержащий элемент И на многоэмиттерномтранзисторе, коллектор которого соединенс базой транзистора усилительного каскада, коллектор которого соединен с базой транзистора эмиттерного повторителяи базой транзистора сложного инверторана дополняющих транзисторах, эмиттерыкоторых соединены и образуют выходустройства, о т л и...

Номер патента: 734877

Опубликовано: 15.05.1980

Автор: Хотянов

МПК: H03K 19/08

Метки: задержки, элемент

...б была в несколько раэбольше времени спада входного сигнала (который йа практике может отличаться от ступенчатого). Потенциалзатвора транзистора 5 спадает за счетемкостной связи до уровня 0 макс.С)по о - (Пб., -П 8.О.);Ц ( нижеуровня Е этот потенциал упасть не моижет, так как за счет прямого смещенияр-п-перехода, соответствующего диффузионной области истока МДП-транзистора б, подключенного к затвору прибора 5, произошло бы ограничЕние потенциала) . После окончания спада входногосигнала (момент С) напряжение назатворе транзистора 5 начинает нара-. " стать за счет перезаряда кондейсатЬра 8 через последовательно соединен" ныетранзисторы б, 2, стремяськ уровню Е - У . При этом до тех пор,-покаэто напряжение остается меньше йорога1) (т. е,...

Номер патента: 736377

Опубликовано: 25.05.1980

Автор: Кармазинский

МПК: H03K 19/08

Метки: коньюктивноинверсный, логический, многофункциональный, элемент

...логическими элементами.Элемент содержит многовходовые логические элементы 1-5, причем образу ющий элемент 1 включен между шиной 6 питания и общей шиной 7, а каждый по" следующий элемент включен между шиной 6 питания и выходом предыдущего элемента. К выходу каждого из алементов 2 - 5 подключен, соответственно,выход одного из управляемых элементов8 - 1 1 восстановления уровня напряжения логической единицы у которых второй вывод подключен к шине питания 6,а выход управления, соответственно, через один из дополнительно введенныхинверторов 12 - 15 - к выходу предыдущего многовходового логического элемента, Выходы элементов 1 - 5 являются одновременно выходами многофункциональчого конъюнктивно-инверсного логического элемента.Устройство...

Номер патента: 738171

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Иванников, Кравцов, Летников

МПК: H03K 19/08

Метки: логическое

...12 - выбора режима), подача сигналовна которые обеспечивает управление состояниями двух выходов (9 - с действующими потенциалами сигналов логического"О" или "1", 5 - с действующими трехуровневыми токовыми сигналами (отсутствие тока, нормированный ток малой величины, нормированный ток большой величины), Это позволяет выходными потенциальными сигналами логического "0"или "1" с выхода 9 управлять режимомработы блоков схемы управления путемразрешения или запрета работы блоков,а токовые выходные сигналы с выхода 5использовать для записи информации вячейки матрицы памяти,Логическое устройство работает следующим образом.Пусть ко входу 12 приложен потенциал логической "1" и по эмиттеру транзисторы 10 действует втекающий ток.От источника...

Номер патента: 743201

Опубликовано: 25.06.1980

Автор: Гутников

МПК: H03K 19/08

Метки: исходное, логических, состояние, установки, элементов

...питания конденсатор 5заряжается через резистор 9 и диод11, напряжение на закрытом стабилитроне 8 растет, при этом транзистор1 закрыт и удерживает в закрытомсостоянии транзистор 14, С резистора6 схемы снимается низкий уровеньнапряжения осуществляющий установкув исходное состояние логических элементов.При дальнейшем увеличении напряжения на конденсаторе 5 стабилитрон8 пробивается, что приводит к протеканию тока через резистор 7 и переход база-эмиттер транзистора 1, Транзистор 1 открывается, ток коллектораего протекает через резисторы 2 и13 и открывает транзистор 14. С резистора 6 снимается высокий уровеньнапряжения, разрещающий работу логических устройств, При включении питающих напряжений напряжение на стабилртроне 8 уменьшается,...

Номер патента: 758523

Опубликовано: 23.08.1980

Авторы: Осипов, Ротнов

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсно-потенциальный, логический, элемент

...транзистора 3. К базе транзистора 5 подключен резистор 6, второй вывод которого соединен с эмиттером транзистора 3 и является тактовым входом Т. Вывод эмиттера транзистора 5 является управляющим входом Я.Элемент работает следующим образом.При фиксации на входе Ь потенциала логической 1 (высокий уровень напряжения) транзистор 5 не влияет на работу схемы. При этом вь логическая функция прототипа Т А; ВС. При фиксации на входе Ь потенциала логического О (низкий уровень напряжения) схема работает в импульсно-потенциальном режиме: при смене напряжения на тактовом входе Т с низкого уровня на высокий и выполнении заданных логических условий на входах А, В и С на выходе схемы реализусно-потенциальная функция Операция,...

Номер патента: 758524

Опубликовано: 23.08.1980

Автор: Ляленков

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, неинвертирующий, элемент

...А. Янов Редактор Л. Лашкова Техред К. Шуфрич Корректор В. Синицкая Заказ 5654/5 Тираж 995 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4и на его эмиттере нулевой потенциал. На базе транзистора 6, включенного по схеме ОБ, положительный уровень напряжения, поступающий с источника опорного напряжения 2, достаточный для поддержания в открытом состоянии транзисторов 5 и 6 (при нулевом уровне напряжения на базе транзистора 6), Напряжение на коллекторе транзистора 5 за счет протекания коллекторного тока достаточно для поддержания нижнего транзистора выходного каскада 3 в открытом состоянии. На коллекторе...

Номер патента: 786006

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Артеменко, Белый-Ткач

МПК: H03K 19/08

Метки: логического, уровня

...логическая единица второго, более высокого уровня. При этом не диод 12 подается обратное смешаюшее напряжение, при этом выходное сопротивление становится равным сопротивлению насыщенного транзистора 10. При поступлении не вход 15 сигнала логическая "единица" с задержкой 7; закрывается транзистор 10, с задержкой Я Я;, открывается транзистор 11; на выходе 16 устанавливается состояние логический нуль", При этом выходное сопротивление становится равным сопротЬлению насыщенного транзистора 11.При случайном замыкании на линии в интервале времени, когда на входе 15 имеет место состояние логической единицы", изменений в состоянии компонентов устройства не происходит.При случайном коротком замыкании на линии в интервале времени, когда на...

Номер патента: 790331

Опубликовано: 23.12.1980

Автор: Шагурин

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-или-не», логический, транзисторно-транзисторный, элемент

...инвертора 2.Если на все М эмиттеров одногоиз К и -р-ь транзисторов 4,5 (К+3)подан высокий потенциал О", то этиэмиттерные переходы запираются, открывается (М+1) -й эмиттерный переход, подключаемый ко входу инвертора 2, через который в инвертор поступает ток 1 = Ао(Ь+)7 о ,. гдеЭо - эмиттерный ток транзистора 3;Ар - коэффицие-т передачи токаэмиттера транзистора 3 в К-ый кол- .лектор, В и В - прямой и инверсныйкоэффициенты усиления тока для соответствующего п-р-п транзистора.Величина тока 3 задается достаточнойдля переключения инвертора 2 в состояние низкого потенциала ОО навыходе, Если хотя бы на одйн из Млогических входов эмиттеров п-р-птранзистора подан низкий потенциалОо, то (М+1) -ый эмиттерный переходэтого транзистора запирается...

Номер патента: 790332

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Аваев, Наумов

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, элемент

...транзисторов3-5, металлические контакты 15 представляют собой металлические коллекторы транзистора 5.Полупроводниковая структура соз- З 0дается на пф подложке 16, являющейсяобщим эмиттером транзисторов 3-5,Высокоомные р-области 13 создаютсяэпитаксией. Область 12 (инжектор)создается двойной диФФуэией донорови акцеиторов,ДифФузия доноров создает области.и-типа 17, которые являются базойтранзистора 1 и изолируют базы транзисторов 3-5. На фиг. 3 дополнительно показан сильнолегированный слой 40р-типа 18, который создается в местеконтакта 19 к базе транизстора 5,20 - контакт к полупроводниковомуколлектору транзистора 5, 21 - пленка Я 0 на поверхности структуры. 4Устройство работает следующим образом.Если на входе 9 переменная Х 3 =О, то...

Номер патента: 790333

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Болдырев, Савотин, Сухопаров, Шкроб

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, интегральный, логический, элемент

...транзистора 1 можно устанавливать отношением резисторов- ф . для кривой 11 он равен 1 дляа1кривой 12 - 0,9 для кривой 130,8.ЗО Из графиков следует, что с помощью величины отношения резисторов-ф можно так же менять порогйвыключения логической схемы, а вместе с тем и ширину петли гистереэиЗ 5 са. При включении транзистора 1ток коллектора за счет цели обратной связи равенЕ -2 Чо, (6)кл, Оо,ьк йТок базы этого транзистора обес 40 печивается током коллектора р п-ртранзистора 8, Поэтому для токабазы р-и-р транзистора 8 можно записатьол, ВьВл(т)45 Ю- (.ргде 9 р - коэффициент усиления р-п-ртранзистора 8,Ток базы Э 4 определяется током5 О коллектора транзистора б, который,в свою очередь, так же, как и токколлектора транзистора 5 фиксируется...

Номер патента: 790334

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Андреев, Жукова

МПК: H03K 19/08

Метки: вентиль, динамической, логический, мдп-транзисторах, нагрузкой

...общей шиной 7, соответствует значению емкости выходного узла. Логический вентиль на 1.ДП транзисторах с динамической нагрузкой работает следующим образом.Тактовый сигнал на шине 4 с амплитудой 0 большей, чем постоянное напряжение Е на шине питания 2 по крайней мере на величину От напряженче отпирания транзисторов) , периодически поступает на затвор тактируемого нагрузочного транЗистора 1 обеспечивая безусловный заряд конденсатора 14 до напряжения равного Е, В этот момент временной интервал 1 на фиг. 2) напряжение инверсного тактовогосигнала на шине 13 равно нулю. Одновременно с предзарядом конденсатора 14 происходит заряд конденсатора 12 дс напряжения Е- От через открытый транзистор 11, управляющий проводимостью дополнительного...

Номер патента: 790335

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Высочина, Сидоренко, Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...до величины потенциала 40и -и, ,(точка а) . При поступлении на вход устройства отрицательного потенциала открываются транзис торы 7,12 и 14. В точках д,е, ж устанавливается нулевойпотенциал, что принс-ит к закрываниютранзистора 3 и установлению на выходе дополнительного инвертора, благо"даря токостабилизирующей нагрузке,отрицательного потенциала равногоБИП, а н точке - потенциала равного -2ип -1) я . Транзистор 9 открыти происходит заряд конденсатора 10в точке г цо потенциала Ф 1)ьП , гдеьП - падение напряжениямежду стоком и истокомтранзистора 559, н результате протекания токаи заряд конденсатора 8 до величиныПя -Б. При подаче на вход устройства положительного перепада напряжения транзисторы 7,12,14 закрываются,щОтрицательный...

Номер патента: 790336

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Потапов, Шакиров

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, логический, элемент

...мало, то на выходе логического элемента И-НЕ при подключенной нагрузке будет присутствовать низкий потенциал,что 5 соответствует состоянию логического йуля. Если один из эмиттеров (Х,Х или оба) многоэмиттерного транзистора 2 схемы И 1 окажется под низким потенциалом, то состояние транзистора ;ф 9 сменится на противоположное рассмотренному выше, на выходе у логического элемента И-НЕ появится потенциал, близкий к напряжению питания) что будет соответствовать состоянию логической единицы. Таким образом с помощью .предлагаемого устройства реализуется функция И-НЕ. В предлагаемом логическом элементе И-НЕ для осуществления автоматической регулировки тока базы инвертирующего транзистора введена регулирующая цепочка 4, которая с ростом...

Номер патента: 792568

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Андреева, Бибяев, Караханьян

МПК: H03K 19/08, H03K 5/00

Метки: динамический, инвертор, однотактный

...входного транзистора 1 подключенк входной шине 3 (узел А), затворвыходного транзистора 2 (узел В) подключен к истоку входного транзистора1, сток входного транзистора 1 подключен к шине 4 питания, сток выходного транзистора 2 - к шине 5 тактовых импульсов, а исток к выходной шине б (узел С).На Фиг. 2 представлены зпюры напряжений сигнала на шине тактовых импульсов и в узлах А, В, С,где Ч - пороговое напряжение;о- напряжение питания;Е - напряжение тактовых импульсов;Ч - напряжение логической "1";Ч - напряжение логического "0";ЕЧо -напряжение на затворе входного транзистора 1.Устройство работает следующим образом,Если на шине 3 (узел А) напряжение Чд = Б - Чо, (ЧА - напряжениевходного сигнала), то в этом случаетранзистор 1, закрыт, а...

Номер патента: 799144

Опубликовано: 23.01.1981

Авторы: Басалаев, Кметь, Михайловский

МПК: H03K 19/08

Метки: десятичный, универсальный, элемент, эсл

...транзисторов дифференциальных пар 5-1 - 5-9 соединены с дополнительной входной шиной б, коллекторы входных транзисторных дифференциальных пар 5-1 - 5-9 и коллектор опорного транзистора дифференциальной пары 5-9 соединены со ответственно с эмиттерами входных транзисторов 3-1 - 3-10 и эмиттерами многоэмиттерного транзистора 3-11, коллектор и база которого соединены соответственно с первым входом и выходом 7 выходного каскада 4, второй вход. которого соединен с коллекторами входных транзисторов 3-1 3-10, базы которых соединены соответственно со входными шинами О.Элемент работает в десятичном алфавите Е ю =-10, 1, 2, 9) Входные и выходные сигналы представляются уровнями постоянного напряжения отрицательной полярности: ключателя 5 тока...

Номер патента: 813788

Опубликовано: 15.03.1981

Автор: Кушнер

МПК: H03K 19/08

Метки: блок, источниковтока, стабилизированных

...тока, содержащие 8 компонент и занимающиечетыре изолированные области в интегральных схемах, одним многоколлекторным транзистором, не требукщимизолированной области. Это поэволя 5 10 15 20 25 30 35 40 подается на один вход элемента 5 сраннения, На другой вход элемента 5 сравнения подается напряжение с резистора б нагрузки, Вследствие изменения коэффициента усиления по току% многоколлекторных транзисторов1-1, ,1-п, изменения температуры,напряжения питания, напряжение на резисторе б нагрузки изменяется, т,е. становится меньше или больше напряжения эталонного источника 4 напряжения, при этом на выходе элемента 5 сравнения появляется усиленный раз -ностный сигнал, который подается на базы многоколлекторных транзисторов 1-1,1-п, изменяя...

Номер патента: 813790

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Безбородников, Векшина, Трайнис, Фурсин

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, вентиль, многовыходной

...-и-йереходеП- Р-о-транзистора и диодах Шоттки.Разный закон изменения падений напряжения на них при изменении температуры приводит к очень узкому температурному диапазону работы известных вентилей, вследствие чего логический перепад не является постоянным, что приводит к различному времени переключения отдельных вентилей в сложном устройстве и резкому ухудшению его помехоустойчивости, В предлагаемом устройстве логический перепад определяется разностью падений напряжения на шунтирующем и одном входном и одном выходном развязывающих диодах Шоттки и не зависит от изменения температуры, Одновременно жестко фиксируется величина логического перепада, что в сочетании с правильным выбором металлов для диодов Шоттки обеспечивает работоспособность...

Номер патента: 832725

Опубликовано: 23.05.1981

Автор: Бубенников

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, микромощный, элементи-илии-или-he

...Величина опорного смещения на транзисторе 5 выбирается равной приблизительно половине логического перепада и зада.ет напряжение переключения входных и переключающих транзисторов, соответственно,11- 11, 3 и 21- гя 4. Вследствие практически ступенчатой г 5 4коллектором 5 базой подключены к источнику 6 опорного смещения, а своими эмиттерами - к эмиттерам соответствующих входных и переключающих транзисторов и генераторов 7 и 8 тока К коллекторным. резисторам 9 и 10 входных транзисторов подключены базы транзисторов 11 и 12 переключателя тока второй ступени. К коллекторному резистору переключающих транзисторов 3 и 4 подключена база транзистора 14. .Выходные сигналы формируются на коллекторных резисторах 13, 15 и 16 от прохождения по...

Номер патента: 836797

Опубликовано: 07.06.1981

Автор: Русидзе

МПК: H03K 19/08

Метки: моп-ттл, транслятор

...транзисторе подключен к входуэмиттерного повторителя.В устройстве в отличие от прототина осуществлены развязка по шинампитания и связь полевой и биполярнойструктур, что обеспечивает высокуюнадежность и хорошие метрологическиехарактеристики.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема МОП-ТТЛ транслятора,Входомустройства является затвор 25полевого МОП транзистора 1, сток которого соединен с затвором полевогор-и транзистора 2, а через резистор3 - с источником питания - Е . Выводподложки транзистора 1 соединен с 30источником питания + Е , который через резистор 4 соединен со стокомтранзистора 2 и с базой транзистора5, эмиттер которого непосредственноподключен к источнику + Е.Коллектор транзистора 5, являю" щийся выходом...

Номер патента: 841119

Опубликовано: 23.06.1981

Автор: Кононплянко

МПК: H03K 19/08

Метки: инжекционноготипа, информации, логическийэлемент, многозначный, промежуточным, пространственнымпреобразованием, универсальный

...8 и 9соединены с вторым коллектором вторых дополнительных транзисторов 11и 12 первого и второго каналов исоответствующими входами выходногомноговходового сумматора 13, причембазы транзисторов 11 и 12 соединенысоответственно с третьими коллекторами транзисторов 9 и 10.Устройство функционирует следующим образом.На вход поступает входной ток, взависимости от его величины срабатывает тот из дикриминаторов, длякоторого выполняется условие з=20где з -входной ток, пк- ток,задаваемый источником тока, определяющимпорог срабатывания. При этом в базупервого дополнительного транзисторавтекает ток, равный базисному току,задаваемому выходным током дискриминатора. Коллекторный ток этого транзистора открывает второй дополнительный транзистор, благодаря...

Номер патента: 849488

Опубликовано: 23.07.1981

Автор: Бубенников

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-или», быстродействующий, и-или-he, помехоустойчивыйлогический, элемент

...или логическая "1". При подаче логической "1" только на входы эмиттерных повторителей 11 транзистор 2 закры 44т 1вается, на его инверсном выходе образуется положительное напряжение, а на прямом выходе опорного многоэмиттерного транзистора 3 - отрицательное напряжение. Транзистор 44 переключателя тока второй ступени открывается, а на выходе 18 образуется отрицательное напряжение или логическая "1", опорный транзистор 5 закрывается и на выходе 19 появляется положительное напряжение или логический "О". Напряжение на резисторе 11 не изменяется. В зависимости от кодов, поступающих на входы эмиттерных повторитепей на выходе 18 ЛЭ, выполняется логическая функция И-ИЛИ на выходе 19 И-ИЛИ-НЕ, при этом осуществляется парафазное...

Номер патента: 849489

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Гладков, Мызгин, Нестеров

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, переключающийэлемент

...дешифраторов запоминающих устройств. Формула изобретения 3тельный переключатель тока, база входного транзистора которого подкл чена к входу элемента, коллектор, - к шине питания, а эмиттер - к дополнительному источнику тока и эмиттеру опорного транзистора, база которого подключена к дополнительному источни ку опорного напряжения, а коллектор- через резистор к шине питания и базе дополнительного транзистора, коллектор и эмиттер которого соответственно подключены к шине питания и базе многоколлекторного транзистора.На чертеже представлена принципиальная схема устройства.Устройство содержит многоэмиттерный транзистор Т 4, база и коллектор которого через резистор Й подключены к шине питания + Ч и к базеЕвходного транзистора Т...

Номер патента: 860314

Опубликовано: 30.08.1981

Автор: Синеокий

МПК: H03K 19/08

Метки: интегральная, логическая, схема

...катоду полупроводникового диода 10 (фиг,1) либок дополнительному эмиттеру входноготранзистора 1 (фиг, 2),Интегральная логическая схема работает следующим образом,Если на один из входов транзистора 1 (или на все) подан низкий уровень напряжения логического "0", 3 Отранзистор 4 будет закрыт, следовательно, закрыты транзисторы 5 и 7,так как в их базы не будет течь ток,а источник 8 опорного напряхения схе"мы или транзистор б формирует высокий 35уровень напряжения логической "1"на выходе схемы,Если на входы транзистора 1 поданвысокий уровень напряжения логической "1", то транзистор 4 током че Ореэ резистор 2 от источника 3 литания открывается и через него потечетток в базы транзисторов 5 и 7 и шунтирующий элемент 11, При этом процесс...

Номер патента: 894868

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Бобров, Григорьев, Журкин

МПК: H03K 19/08

Метки: многозначный, одновходовый, универсальный, элемент

...на один из двух входов устройства 6 формирования реализуемой производной функции, другой вход которой является настроечным входом 9 и формирует значение этой функции, соответствующее сочетанию значения сигнала в квантованных диапазонахи 1 , выбранное значение/фнастроечного входа подается на выход 8 элемента.Конкретная электрическая схема (Фиг.2) Функционирует следующим образом. Входной сигнал на первом транзисто ре разветвляется на два канала, одиниз которых подсоединен на и-дешифратор с дискретным значением А .и вцпол ненный по ОИ технологии по известной схеме. По одному коллектору средфних транзисторов и-дешифратора выведены и подсоединены к устройству 3 формирования квантованного сигнала. Сумма токов транзисторов на выходе...

Номер патента: 900454

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Березенко, Вальков, Марков, Струков

МПК: H03K 19/08

Метки: выходе, интегральная, полупроводниковая, состояниями, схема, тремя, цифровая

...5, входной уп равляющий каскад на транзисторе 6, двухэмиттерном транзисторе 7 и резисторе 8, выходной двухтактный каскад на транзисторах 9 -11 и резисторе 12, фазоинвертирующий каскад на транзисторах 3 и 14 и резисторах 15 и 16. 25Цифровая схема с тремя состояниями на выходе работает следующим образом.Если на управляющий вход 4 подать высокий потенциал (И Ъ 2,4),то тран-Зв эистор 7 будет закрыт и схема будет выполнять функцию инвертирующего буфера с информационным входом 3: при подаче нв вход. 3 высокого напряжения, соответствующего логической единице (И в Ъ 2,4 в),на выходе возникает низкое напряжение логического нуля (Иь с 0,3 в) и наоборот, Если теперь на управляющий вход 4 подать низкий потенциал, например 0,3 в, то на базах...

Номер патента: 906005

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Гайворонский, Левонюк, Самойлов

МПК: H03K 19/08

Метки: динамический, интегральный, элемент

...1 и 4 за- . крыты по эмиттерам, Однако уровни напряжения на коллекторах трвнзис" торов различны. Диод 5 Фиксации ограничивает напряжение на коллекторах транзисторов 2 и 3. Образуются пути токов: шина 13, резистор 6, база транзистора 2 диод 5, шина 14, а также шина 13, резистор В база, коллектор транзистора 3, диод 5 шина 14. Данные токи создают в базах транзисторов 2 и 3 неравновесный избыточ-ный заряд и при окончании действия импульса на шине 15 данные транзис" торы открываются, что приводит к удержанию многоэмиттерных транзисторов 1 и 4 в закрытом состоянии. На выходах устройства устанавливаются логическая на выходе 11 и логический "0" на выходе 12. 4Если при наличии высокого уровня напряжения (импульса) на шине 5 хотя бы на одном из...

Номер патента: 907804

Опубликовано: 23.02.1982

Авторы: Трусилов, Файзулаев

МПК: H03K 19/08

Метки: бис, логический, матричной, элемент

...многоэмиттерного транзис" тора 7 к базам транзисторов транзисторных сборок 1 , 1 1, 1 2, 1 логических элементов матричной БИС, а также подключением каждого из эмиттеров многоэмиттерного транзистора 7 к общей коллекторной нагрузке 6,61,62,6 транзисторных сборок соответственно каждого из логических элементов матричной БИС. Такое подключение эмиттеров многоэмиттерного транзистора к транзисторам транзисторных сборок позволяет застабилизировать коллекторные токи транзисторов элементов. Объясняется это тем, что например, транзистор 2 с подключенными к его базе базами транзисторов 5 . 1,других.1 .транзисторных сборок оСразуют схему "токового зеркала", в результате чего через эти транзисторы протекают коллекторные токи 1 к, пропорциональные...

Номер патента: 944110

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Зуб, Семенович

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, усилитель-формирователь

...устройств и через конденсатор 10 подключен к точке соединения транзисторов 2 иистоки первого 11 и второго 1240 вспомогательных транзисторов подключены к затвору транзистора 2, стоки транзисторов 11 и 2 и затвор транзистора 1 соединены со входом 13 устройства и со входом инвертора 14,45 выход которого соединен с затвором транзистора 12 и со входом 8 входного инвертора, шину питания 15 и общую шину питания 16.На фиг, 2 показаны временные диаграммы: б - импульсов на вход 1350 устройства; д- на выходе 8 инвертора; 4 - на затворе нагрузочного 2 транзистора; Я - на прямом входе 7 парафазного инвертора; д - на выходе 9 устройства, Временные диаграммы поясняют принцип работы предлагаемого усилителя-формирователя для случая применения...