Микромощный логический элементи-илии-или-he

М. Кл.Н 03 К 19/О 1 ввударстаелыЯ камктет СССР дф делам кзобрвтанкЯвткрытк ата опубликования описания 25.05. 8(71) Заявител М вский ордена Трудовогтехнический институт сно 54) МИКРОМОЩНЬЙ ЛО И-ИЛИ/И-ИЛИЕСКИЙ НТ тройстники,ентам Изобретение относится к усвам импульсной и цифровой техв частности к логическим элемЛЭ) .ЭВМ,Известны ЛЭ И-ИЛИ/И-ИЛИ-НЕ, в которых с целью получения воэможностиуправлять величиной запаса помехоустойчивости инверсные выходы переключателей тока первой ступени подключены к базам входных транзисторопереключателя тока второй ступени,а прямые выходы переключателя токапервой ступени подключены к базеопорного транзистора переключателятока второй ступени 1 1 и 2 устройств, потребляе- больших х а о пр а т кже невыс мехоустой с ению величины сти к величи гнческого перепада Недостатками изве являются большая вели мой мощности, особенн логических перепадах кий относительный зап чивости, равный отнош запаса помехоустойчи Цель изобретения - снижение потребляемой мощности, увеличение отн сительного запаса помехоустойчивос и быстродействия. Поставленная цель достигается тем что в ЛЭ, содержащий переключатели тока первой и второй ступени, инверс ные выходы переключателей тока перво ступени подключены к базам входных транзисторов переключателей тока вто рой ступени, прямые выходы переключа теля тока первой ступени подключены к базе опорного транзистора переключателя тока второй ступени, введен многоэмиттерный опорный транзистор, коллектор которого подключен к общей шине, база которого соединена с источником опорного смещения, эмиттеры с соответствующими эмиттерами входных и переключающих транзисторов и генераторов тока, базы переключаю" щих транзисторов переключателей тока первой ступени соединены с соответ8327 ствующими коллекторами входных транзисторов.Кроме того, между общей шиной и коллекторными резисторами переключателя тока первой ступени, а. также коллектором многоэмиттерного опорного транзистора может быть включен резистор обратной связи, соединеннай с базой опорного многоэмиттерного лючателя тока первой ступени включен 10 ному резистору переключающих транзисторов переключателя тока первой ступени включен диод Шоттки,На фиг. приведена схема ЛЭ на фиг.2 - схема ЛЭ с диодом Шоттки.ЛЭ содержит серии объединенных по эмиттерам и коллекторам входных транзисторов 1 - 1 и 2 -2 переключателей тока первой ступени, Соот-ветствующие каждой серии входных 20 транзисторов переключающие транзисторы 3 и 4 своими эмиттерами подключены к эмиттерам, а базами - к коллекторам входных транзисторов. Опорные многоэммитерные транзисторы с общим 25 9 О 4 О46 аК 0 0 0 1 1 1 1 О 0 01 00 О 0 1 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 О 0 1 1 0 1 1 0 40 передаточной характеристики из-заположительной обратной связи переклю" чателей тока первой ступени, возмож-45 жение величины логического перепада позволяет значительно уменьшить пот ребляемую.мощность, а также несколько уменьшить время задержки выполнеТаким образом, на резисторах 13и 16 реализуется логическая функцияИ-ИЛИ, на резисторе 15 - функцияИ-ИЖ-НЕ. На резисторах 15 и 16 формируются Функции И-ИЛИ(И-ИЛИ-НЕ с одинаковой задержкой при парафазном управлении по базам транзисторов 11, 12 и 14, переключение тока второй ступени, функция И-ИЛИ на резисторе 13 реализуется с меньшей задержкой. Величина опорного смещения на транзисторе 5 выбирается равной приблизительно половине логического перепада и зада.ет напряжение переключения входных и переключающих транзисторов, соответственно,11- 11, 3 и 21- гя 4. Вследствие практически ступенчатой г 5 4коллектором 5 базой подключены к источнику 6 опорного смещения, а своими эмиттерами - к эмиттерам соответствующих входных и переключающих транзисторов и генераторов 7 и 8 тока К коллекторным. резисторам 9 и 10 входных транзисторов подключены базы транзисторов 11 и 12 переключателя тока второй ступени. К коллекторному резистору переключающих транзисторов 3 и 4 подключена база транзистора 14. .Выходные сигналы формируются на коллекторных резисторах 13, 15 и 16 от прохождения по ннм токов генераторов .7,8 и 17 тока, соответственно.Дополнительно в ЛЭ может быть введен диод 18 Шотткч и резистор 19 обратной связи (Фиг.г)а Работа устройства (в отрицательной логике) поясняется таблицей логичес-ких Функций на резисторах 9,10,13,15, 16: С 9, С С 4, С и С . В зависимости от комбинации сигналов на входахК,24, г-а,а, г-,в, в,но снижение входных сигналов до величин порядка 150 мВ при сохранении достаточно большой величины относительного запаса помехоустойчивостии высокой скорости .переключения. Снииия логики И-ИЛИ на резисторе 13. Парафазное управление переключателятока второй ступени также способствует сокращению времени задержкипри выполнении логики на резисторах15 и 16 при достаточно высоком запасе помехоустойЧивости.32725 Формула изобретения При работе в достаточно широком диапазоне рабочих температур напряжений питания, а также при разбросе номиналов параметров схемы используют ЛЭ, содержащий резистор обратной связи и диод Шоттке, который не требует дополнительных источников смещения, так как вследствие отрицательной обратной связи происходит стабилизация напряжения на базе транзистора 5, а также предотвращает возможность захода опорного много.эмиттерного транзистора 5 в режим .насыщения для множества серий входных транзисторов и способствует повышению надежности работы схемы, Предлагаемый ЛЭ характеризуется высокими быстродействием, надежностью, относительным запасом помехоустойчивости, малой величиной потребляемой ,мощности, компенсацией величин логи- . ческого перепада и опорного смещения в режимном и температурном диапазонах. 1, Логический элемент И-ИЛИ/И-БЛИНЕ, содержащий переключатели тока первой и второй ступени, инверсные выходы переключателей тока первой ступени подключены к базам входных транзисторов переключателя тока второй ступени, прямые выходы переключа-. теля тока первой ступени подключены к базе опорного транзистора переклюбчателя тока второй ступени, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюснижения потребляемой мощности, увеличения относительного запаса помехоустойчивости и быстродействия, введенмногоэмиттерный опорный транзистор,коллектор которого подключен к общейшине, база соединена с источникомопорного смещения, а эмиттеры с соот О ветствующими эмиттерами входных и пе-реключающих транзисторов и генераторами токов, а базы переключающих транзисторов переключателя тока первойступени соединены с соответствующими 13 коллекторами входных, транзисторов. 2. Элемент по п.1, о т л и ч а -ю ш и й с я тем, что между общей шиной и коллекторньви резисторами перек лючателя тока первой ступени, а также коллектором многоэмиттерного опор,ного транзистора включен резистор обратной связи, соединенный с базой опорного многоэмиттерного транзисто ра, параллельно коллекторному резистору переключающих транзисторов переключателя тока. первой ступени включен диод Боттки 30Источники информации,юпринятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССРВ 501482, кл. Н 03 К 9/02, 1973.2. Патент США В 3942033,35кл. 307-215, 1976 (прототип).832725 Составитель А. Яноведактор Г. Кацалап Техред Н.Ковалева Корректор М. Коста одпи сноСР П Патент . г.ужгород, ул. Лроектна л аказ 3481/53 ВНИИПИ Г по дел 113035, ударственнизобретенисква, Ж988 Пго комитета ССй и открытийРаушская наб., д. 4