Патенты с меткой «микромощный»

Номер патента: 359742

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Автоматики, Громов, Игумнов, Изъюрова, Электроники

МПК: H03F 3/16

Метки: микромощный, усилительпл

...униполярного транзистора достаточно велико, поэтому он практически не шунтирует выходной сигнал, поступающий с биполярного транзистора, работающего без коллекторного питания в режиме малых токов базы.Работает усилитель следующим образом.В отсутствие управляющего сигнала на вход биполярного транзистора 1 задается смещение, обеспечивающее необходимый ток базы(фиг, 2, точка А). Это соответствует выходному напряжению биполярного транзистора иливходному напряжению униполярного транзистора У Через униполярный транзистор проБ текает ток стока 1 соответствующий напряжению стока-истока 1 и(Е) и напряжению затвора (1 З(У.),Г 1 ри подаче управляющего сигнала рабочаяточка биполярного транзистора перемещается10 из точки А в точку Б либо в...

Номер патента: 624369

Опубликовано: 15.09.1978

Автор: Бубенников

МПК: H03K 19/02

Метки: быстродействующий, и-илии, или-не, логический, микромощный, элемент

...с соответствующим эмиттером транзистора 2, Резистор 3 в коллекторной цепи транзистора 2 может быть зашунтирован диодом 4 Шоттки для цредотврвщения режима насыщения при большом числе М, Вторая ступень, необходимая для реализации йогической функции И-ИЛИ-НЕ, имеет переключатель тока на двух транзисторах 8 и 6, на фазу опорного транзистора 8, связанную с базой транзистора 2 первой ступени, подает ся опорнсе напряжение источника 7, а база транзистора 6 подключена к коплектсьру транзистора 2, В коллекторную цепь транзистора 6 включен нагрузочньй резистор 8, а коллектор транзистора 8-заземлен, Для некоторых применений ЛЗ целесообразнее использовать в коллекторной цепи транзистора 8 нвгруэочный резистор.Для анализа работы ЛЭ используется...

Номер патента: 832725

Опубликовано: 23.05.1981

Автор: Бубенников

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, микромощный, элементи-илии-или-he

...Величина опорного смещения на транзисторе 5 выбирается равной приблизительно половине логического перепада и зада.ет напряжение переключения входных и переключающих транзисторов, соответственно,11- 11, 3 и 21- гя 4. Вследствие практически ступенчатой г 5 4коллектором 5 базой подключены к источнику 6 опорного смещения, а своими эмиттерами - к эмиттерам соответствующих входных и переключающих транзисторов и генераторов 7 и 8 тока К коллекторным. резисторам 9 и 10 входных транзисторов подключены базы транзисторов 11 и 12 переключателя тока второй ступени. К коллекторному резистору переключающих транзисторов 3 и 4 подключена база транзистора 14. .Выходные сигналы формируются на коллекторных резисторах 13, 15 и 16 от прохождения по...

Номер патента: 898620

Опубликовано: 15.01.1982

Автор: Якимаха

МПК: H03K 19/40

Метки: дополняющих, инвертор, мдп-транзисторах, микромощный

....упро 2 Ощенным выражением при ЧрЪ 4 Чт( Мг - температурный потенциал)р=оехр (ЧР-Чт) /и т)где 1 - ток стока;1 о - тепловой ток стока;25Ч,- напряжение затвор-исток;Ч - пороговое напряжение в микрорежиме;и - фактор, учитывающий рекомбинационные процессы на позоверхности полупроводникаподложки (1 а(3),Основным недостатком микрорежимаМДП-транзистора является сильнаятемпературная зависимость почтиЗ 5 всех параметров, входящих в формулуно включенные р-канальный МДП-транзистор 7 в резистивном включении и и-канальный МДП-транзистор.8 микро- мощного повторителя напряжения включены между шинами 4 и 2. Между первой шиной 9 смещения и шиной 4 питания включен первый преобразователь уровня напряжения образованный последовательно включенными...

Номер патента: 1320896

Опубликовано: 30.06.1987

Автор: Якимаха

МПК: H03K 19/08

Метки: инвертор, микромощный

...транзистор 2, На выходе 8 устройства - высокий уровень напряжения "1", несколько меньший по величине, чем первый. Причем это состояние по этому выходу током не обеспечивается, так как через транзистор 5 протекает значительно меньший ток, чем через транзистор 2,При поступлении уровня "1" на вход 6, транзисторы 4 и 1 находятся в открытом состоянии, а транзисторы 5 и 2 - в закрытом. Тогда на допол - нительном выходе 8 устройства - низлингтона с транзисторами 1 и 2, т.е,45 50 55 5 10 15 20 25 30 кий уровень напряжения "0", обеспе-, ченный протеканием тока через транзистор 1, На первом выходе 7 устройства - низкий уровень напряжения "0", несколько больший (на величину напряжения эмиттер-база транзистора 1), чем предыдущий, Причем это...

Номер патента: 1365352

Опубликовано: 07.01.1988

Автор: Якимаха

МПК: H03K 19/08

Метки: инвертор, логический, микромощный

...Тогда на выходе 13 устройства будет низкий уровень напряжения логического О, обеспеченный током открытого транзистора 4, а на выходе 14 также будет низкий уровень напряжения логического О, несколько высший первого и уже не обеспеченный током, поскольку ток коллектора транзистора 1 значительно меньше, чем ток коллектора транзистора 2 В этом состоянии по входу 11 нет необходимости в обеспечении его током, .в то время как по входу 9 такое обеспечение необходимо для нормальной работы транзисторов 1 и 2.Таким образом, в предлагаемом устройстве реализована функция расщепления входов и выходов по их обеспеченности токами для различных логических уровней напряжений. Так, например, к выходу 14 необходимо под. ключать базу транзистора...