Патенты с меткой ««и-или»»

Номер патента: 238599

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Филиппов

МПК: H03K 19/084

Метки: «и-или-не», «и-или», динамический, логический, элемент

...импульсы источника ГИ,. Ответвление тока происходит вследствие того, что положительному импульсу источника ГИ, соответствует по времени смещенный отрицд 30 тельный импульс источника 1 И.,238599 сокий уровень потенциала будет лишь в том случае, если во время действия положительного импульса источника ГИ, на всех входах элемента действует также высокий уровень 5 потенциала. Следовательно, элемент выполняет функцию И. На выходе 24 элемента потенциал во всех случаях имеет значения, противоположные значениям потенциала в точке 28, т. е, с выхода 24 снимается инверсное зня чение реализуемой функции.В элементе возможно подключение (черездиоды) дополнительных схем И ко входу 21. При этом реализуемая им функция приобретает вид И-ИЛИ, И-ИЛИ-НЕ,15...

Номер патента: 260680

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Гриккевич

МПК: H03K 19/088

Метки: «и-или», «и—или—не», логический, элемент

...возможности совмещенной во времени и месте реализации логических функций И - ИЛИ - НЕи И - ИЛИ, что важно для построения логических сетей быстродействующих вычислительных машин,Предложенный логический элемент отличается тем, что коллектор усилительного транзистора через инерционный диод подключен кбазе дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, коллекторкоторого соединен с выходом элемента, Это 30 12 для его надежного застор 14 подключена к шп260680 Предмет изобретения Составитель Ю. Н. Колотовнбицкая Техред А. А. Камышникова Корректор Н. С, Сударенков Редак Подписноеинистров СССР каз 1116/12 Тираж ЬООНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СоветМосква Ж, Раушская наб., д. 4/5 ипография, пр. Сапунова...

Номер патента: 822371

Опубликовано: 15.04.1981

Авторы: Жилкин, Кейзман

МПК: H03K 19/20

Метки: «и-или», логический, элемент

...являющиесявходами логического элемента, а полупроводниковые полосы подключены к выходным контактам, 30 На чертеже схематически приведена конструкция устройства.Между постоянными магнитами 1 размещена.ферритовая пластина 2, на которую нанесен полупроводниковый слой в виде отдельных полос 3; На полосах 3 размещены микрополосковые линии 4, которые являются входами логического элемента. Обратная сторона ферр,.товой пластины покрыта слоем металлизации 5. К боковым граням полупроводниковых полос 3 припаяны выходные омические контакты б.Логический элемент рабющим образом.При подключении к любому из его входов СВЧ - сигнала с частотой, соответствующей частоте ферромагнитного резонанса, на соответствующих выходных контактах б появится постоянная...

Номер патента: 849488

Опубликовано: 23.07.1981

Автор: Бубенников

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-или», быстродействующий, и-или-he, помехоустойчивыйлогический, элемент

...или логическая "1". При подаче логической "1" только на входы эмиттерных повторителей 11 транзистор 2 закры 44т 1вается, на его инверсном выходе образуется положительное напряжение, а на прямом выходе опорного многоэмиттерного транзистора 3 - отрицательное напряжение. Транзистор 44 переключателя тока второй ступени открывается, а на выходе 18 образуется отрицательное напряжение или логическая "1", опорный транзистор 5 закрывается и на выходе 19 появляется положительное напряжение или логический "О". Напряжение на резисторе 11 не изменяется. В зависимости от кодов, поступающих на входы эмиттерных повторитепей на выходе 18 ЛЭ, выполняется логическая функция И-ИЛИ на выходе 19 И-ИЛИ-НЕ, при этом осуществляется парафазное...

Номер патента: 864572

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Абрамов, Игнатенко, Розенталь

МПК: H03K 19/168

Метки: «и-или», логический, элемент

...в момент поступления ЦМД 2 впозицию ГГ-образной аппликации 9 канала 5 в позицию ГГ-образной аппликации 8 канала 4 не поступает ЦМД 2при разновременной подаче ЦМД 2 на 40входы каналов 4 и 5,то ЦМД вертикального выходного канала б беспрепятственно проходит в позицию А горизонтального выходного канала 7 и далее по позициям А, Б, В горизонтального выходного канала 7 поступаетна его выход,Если же в момент поступления ЦМД2 в позицию ГГ-образной аппликации 9горизонтального входного канала 5 в 50позицию ГГ-образной аппликации 8вертикального входного .канала 4 такжепоступает ЦМД 2при одновременнойподаче ЦМД 2 на входы элемента), тов результате магнитостатического отталкивания ЦМД 2 горизонтального входного канала 5 попадает в позицию...

Номер патента: 894869

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Абрамов, Ломов, Розенталь

МПК: H03K 19/168

Метки: «и-или», логический, элемент

...поля Н у последовавательно проходят позиции В, Г, А, поступают в позицию ВГ-образной аппликации 8 и дааее. через позицию В 1-образной аппликации 9 проходят на выход горизонтального вь 1 ходного канала 7ЦМД, поданные на вход горизонтального входного канала 4, в соответствии с вращением вектора управляю" щего поля Ну через позиции В, Г, по" ступают в позицию АГ-образной аппликации 8. Если в момент поступления ЦМД в позьр 1 ию А входного канала 4 в позицию А входного канала 5 не поступает ЦМД ( разновременная подача 9 4ЦМД на входы элемента ) , то ЦМДканала 4 переходит из позиции А кпозиции Б Г-образной аппликации 8 идалее поступает на выход горизонтального выходного канала 7. Еслиже в момент поступления ЦМД в позицию А входного...

Номер патента: 1043826

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Гиль, Нестерук, Потапов

МПК: H03K 19/168

Метки: «и-или», логический, элемент

...(по чертежу,1, через позицию 1 У2-оЬразной Ферромагнитной аппликации.В этот момент времени домен, продвигающийся по первому входному каналупродвижения ЦМД, занимает позиции 1(1,У 1 и Ы 11, поступая на вход первоговыходного канала. При этом оба доменавзаимодействуют друг с другом, находясь под Е -образной Ферромагнитнойаппликацией, магнитостатицеская ловушка под которой имеет максимальную глуЬину в позиции 1 и градиентполя от позиции У к позициии У, Домен, находящийся в позиции 1 У, уменьшает глубину магнитостатической ловушки в этой позиции эа счет сложенияполя, наведенного в Е -образной Ферромагнитной аппликации, и собственногополя ЦИД, вектары которых направленыв противоположные стороны, при этоммаксимум поля в...