Патенты с меткой ««и-не»

Номер патента: 360481

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Вайсер, Касимов, Ордена, Скворцов, Телемеханики

МПК: F15C 1/08, G06D 1/08

Метки: «и-не, логический, модуль, струйный

...элемент типа К; 2 - струйный усилитель; 3 - средний выход элемента К;4, 5 - его боковые выходы; б - противоположный канал управления усилителя 2; Х, и Х входные каналы модуля; Л, и 2, - выход. ные каналы модуля,Устройство работает следующим образом. Пассивный элемент К реализует по выходному каналу операцию конъюнкции Х Хе, а по боковым выходам 4 и 5 операции запрет Х, . Х, и Х, . Х, - соответственно, При начальном состоянии схемы, т, е. при Х,=Х,=О на выходах модуля сохраняется состояние 2,= - 1, Я,=О. При подаче одного из входных сигналов Х, или Х в каналах 4 или 5 образуется избыточное давление, которое, поступая в канал б усилителя 2, дополнительно стабилизирует струю питания, повышая помехоустойчивость усилителя. При...

Номер патента: 456365

Опубликовано: 05.01.1975

Авторы: Барбасов, Белов, Неустроев, Соловьев

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, транзисторно-транзисторный, элемент

...и базой инвертирующего транзистора 7, База транзистора 7 через резистор 9 подключена к общей шине. База транзистора 1 и коллектор транзистора 3 соединены с шиной питания соответственно через резисторы 10 и 11.При подаче на эмиттер входного многоэмиттерного транзистора 1 высокого уровня напряжения (превышающего три падения напряжения У на открытом переходе транзистора) ток, определяемый резистором 10, переключается в базу транзистора 2, который открывается и насыщается, При этом нагрузочный резистор 3 закрывается, а инвертирующий транзистор 7 открывается. Напряжение на выходе схемы уменьшается и на уровне примерно Уфиксируется благодаря отрицательной обратной связи, создаваемой с помощью дополнительного транзистора 8....

Номер патента: 466620

Опубликовано: 05.04.1975

Авторы: Наумов, Щебаров

МПК: H03K 19/36

Метки: «и-не, логический, элемент

...транзистора 2. Следовательно, транзистор 6 нахо- О дится в режиме насыщения, и высокий уровень напряжения на выходе схемы отличается от напряжения источника питания на величину напряжения насыщения этого транзистора.5 Если на всех входах схемы повышать напряжение, пропорционально повышается напряжение на базе транзистора 7, При некоторой его величине этот транзистор открывается, и через резистор 11 начинает течь ток, ко- О торый создает на нем падение напряжения,достаточное для насыщения транзистора 8.Насыщенный транзистор, шунтируя переход база-эмиттер транзистора 6, закрывает его.При дальнейшем повышении входного на пряжения транзистор 5 открывается и переходит в режим насыщения, обеспечивая на выходе схемы низкий уровень...

Номер патента: 472461

Опубликовано: 30.05.1975

Авторы: Грехнев, Останков

МПК: H03K 23/02

Метки: «и-не, быстродействующий, реверсивный, счетчик, элементах

...со счетным входом. В режиме работы Сложение ца входы схем И - НЕ 9 управления сложением каждого разряда счетчика подается управляющий сигнал, равный единице, а ца входы схем И - НЕ 8 управления вычитанием каждого разряда счетчика - сигнал, равный нулю. В этом случае на выходах схем И - НЕ 8 управления вычитанием каждого разряда счетчика сигнал равен единице, и срабатывание второго разряда счетчика осуществляется лишь при наличии сигнала переноса со схемы И - НЕ 9 управления сложением первого разряда, что указывает на наличие в пем единицы. Аналогично, срабатывание третьего разряда происходит лишь при наличии сигнала переноса со схемы И - НЕ 9 управления сложением второго разряда, что указывает на запись во втором разряде едшпщы и ца...

Номер патента: 525250

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Анурьев, Грибок, Дивин, Донской, Лазаренко

МПК: H03K 23/02

Метки: «и-не, делитель, или-не, импульсов, потенциальных, пять, частоты, элементах

...этого на всех входах элемента И - НЕ/ИЛИ - НЕ 14 и третьего элемента И - НЕ/ИЛИ - НЕ 6, не входящих в какой-либо триггер, оказываются единичные уровни напряжения, вследствие чего на их выходах формируются нулевые сигналы. Сигнал с выхода элемента И - НЕ/ /ИЛИ - НЕ 14 переводит потенциал на выходе элемента И - НЕ/ИЛИ - НЕ 17 в состояние 1. Других изменений сигналов на выходах схем в момент 4 не произойдет, и в нем окажется содержимое 010,С приходом третьего положительного импульса (момент 15) на всех входах первого элемента И - НЕ/ИЛИ - НЕ 4 оказываются все высокие сигналы, что вызывает появление на его выходе низкого сигнала, Он подтверждает наличие высокого сигнала на выходе второго элемента И - НЕ/ИЛИ - НЕ 5 и попадает на вход...

Номер патента: 531283

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Наумов, Пучков

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, логический, элемент

...напряжения 11 на резисторах 12 и 13, В общей цепи эмиттеров дифференциального усилителя 9 включен резистор 14. Коллектор транзистора 10 подключен к базе транзистора 7, К коллектору транзистора 8 подключется база транзистора 15 Р - й - Р -типа, эмиттер его подключен к шине питания. Между коллектором транзистора 15 и базой транзистора 5 включен транзистор 16 и - р - 0 в ти базой к коллектору транзистора 15, эмиттером - к базе транзистора 5, Коллектор транзистора 16 через резистор 17 подключен к средней точке делителя напряжения 11.Логический элемент работает следующим образом.Когда хотя бы на одном из входов элемента действует низкий уровень напряжения (логический "0"), транзистор 2 находится в насыщении и потенциал коллектора выше...

Номер патента: 566354

Опубликовано: 25.07.1977

Автор: Суслов

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, логический, транзисторно-транзисторный, элемент

...включения диода 6, т. е. примерно на 0,6 В,Элемент работает следуВ исходном состояниимента уровень логическойэмиттерный транзистор нахоинверсном режиме, его конасыщает триоды 3 и 5,насыщен, то потенциал базала коллектора, и триод 9но, и триод 7 заперты,.ЦНИИПИ Госу 1065венного комитетапо делам иэобркм, Ж, Рауш одписноеСовета Министров СС тений и открытий кая ,наб., д. 4/5 13035,филиалППП фПатентф, г. Ужгород, ул, Проектная Если уровень напряжения на одном извходов 2 элемента снижается тогда принекотором значении входного напряжениятриод 8 выходит иэ насыщения, а придальнейшем сниженииуровня входного напряжения закрывается. При атом триод 3уже вышел иэ насыщения и потенциал егоколлектора становится выще потенциалаего базы.Число диодов 10...

Номер патента: 595861

Опубликовано: 28.02.1978

Автор: Бирюков

МПК: H03K 19/36

Метки: «и-не, логический, элемент

...О:.)Лсмснт 11 - 1-11. Содержит и одной )н:огоэмиттерный транзистор 1, инвсртирутощийтранзистор 2, вы);одной транзистор 3 с основным 4 и дополнительш.тм 5 эмнттерами, тпунтирутощнй транзистор 6, транзистор 7 эмиттсрного повторителя, диоды 8, 9 и резисторы 1014. Вкодные сипалы подаются иа Б);оды 15 -17, а ВЫКОдпой СИГН 2 Л СпнтсЧСТС 5 С Вы,одс 18,В СЛуисС НСНОЛЬЗОВапня 1 Ы);Одпого Трап;)Исора 3 с одпич основным эмиттсром включенысокоомньш резистор 19.Пршщип работы описываемого элементаИ - П 1: зак;иочается в следующем.ПРН ПОДст 1 Е ВЫСОКОГО ПОТСНЦИсЛст Ня БСС В .0 ды 15 - 17 транзисторы 2 и 3 вк,почены и нясьтщсны, напряжспнс на эмнттсре тр 2 нзис ГОрдзд счет резистора 19 близко к Рус 0, и он на);Одптся на границе опПрапия. 1 ри...

Номер патента: 646442

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Миллер, Мурашев, Щетинин

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, логический, элемент

...б и через резистор 12 - к базе дополнительного транзистора13, эмиттер которого подключен к общей шине 9, база через резистор 14 - к шине литания 3 а коллектор/30 через резистор 15 - к шине питания 3 и к аноду диода 4, Коллектор транзистора 6 подключен к шине питания 3, эмиттеры многоэмиттерного транзистора 1 являются одновременно входами 16, 17 логического элемента.35Логический элемент И-НЕ работает следующим образом.При наличии хотя бы на одном из входов )6 или 17 напряжения, соответствующего уровню напряжения логического нуля, . 40 промежуточный транзистор 5 и второй выходной транзистор 10 закрыты, транзистор 6 открыт и на выходной шине 11 напряжение соответствует уровню напряжения логической единицы. При 45 поступлении на входы...

Номер патента: 656213

Опубликовано: 05.04.1979

Автор: Кармазинский

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, логический, элемент

...дополняющего П-канального транзистора 22 третьей пары, сток которого подключен к стокам транзисторов 11, 14, 15, к выходу 7 и к истоку дополняющего П-канального транзистора последующей пары (при щ 4 к истоку транзистЬра 23 щ -ой пары).Сток дополняющего П -канального транзистора 23 Ф-ой пары подключен к выходу 8 и к стокам транзисторов 12, 16-18, Исток и подложка транзистора 20 первой пары и подложки транзисторов 21-23 остальных пар подключены к общей шине 24. В каждой, паре затворы дополняющихи р -канальных транзисторов (20 и 9, 21 и 10, 22 и 11, 23 и 12) подключены, соответственно, к логическим входам 1-4. Затворы дополнительных транзисторов 13, 14, 16 подключены к логическому входу 1, затворы транзисторов 15, 17 - к логическому...

Номер патента: 729848

Опубликовано: 25.04.1980

Авторы: Плотников, Потапов, Шакиров

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, логический, элемент

...транзисторов, В предложенном устройстве формирование выходного логического уровня осуществляется последовательными цепочками ключей, в каждой из которых состояние любых двух последовательно соединенных каскадов инверсны, Вследствие этого степень насьпцения транзисторов выходного каскада пропорции-коэффициенту усилия по току и допустимая доза радиации увеличивается в Р раз. Формула изобретения Логический элемент И-НЕ, содержащий элемент И на многоэмиттерномтранзисторе, коллектор которого соединенс базой транзистора усилительного каскада, коллектор которого соединен с базой транзистора эмиттерного повторителяи базой транзистора сложного инверторана дополняющих транзисторах, эмиттерыкоторых соединены и образуют выходустройства, о т л и...

Номер патента: 790333

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Болдырев, Савотин, Сухопаров, Шкроб

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, интегральный, логический, элемент

...транзистора 1 можно устанавливать отношением резисторов- ф . для кривой 11 он равен 1 дляа1кривой 12 - 0,9 для кривой 130,8.ЗО Из графиков следует, что с помощью величины отношения резисторов-ф можно так же менять порогйвыключения логической схемы, а вместе с тем и ширину петли гистереэиЗ 5 са. При включении транзистора 1ток коллектора за счет цели обратной связи равенЕ -2 Чо, (6)кл, Оо,ьк йТок базы этого транзистора обес 40 печивается током коллектора р п-ртранзистора 8, Поэтому для токабазы р-и-р транзистора 8 можно записатьол, ВьВл(т)45 Ю- (.ргде 9 р - коэффициент усиления р-п-ртранзистора 8,Ток базы Э 4 определяется током5 О коллектора транзистора б, который,в свою очередь, так же, как и токколлектора транзистора 5 фиксируется...

Номер патента: 790336

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Потапов, Шакиров

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, логический, элемент

...мало, то на выходе логического элемента И-НЕ при подключенной нагрузке будет присутствовать низкий потенциал,что 5 соответствует состоянию логического йуля. Если один из эмиттеров (Х,Х или оба) многоэмиттерного транзистора 2 схемы И 1 окажется под низким потенциалом, то состояние транзистора ;ф 9 сменится на противоположное рассмотренному выше, на выходе у логического элемента И-НЕ появится потенциал, близкий к напряжению питания) что будет соответствовать состоянию логической единицы. Таким образом с помощью .предлагаемого устройства реализуется функция И-НЕ. В предлагаемом логическом элементе И-НЕ для осуществления автоматической регулировки тока базы инвертирующего транзистора введена регулирующая цепочка 4, которая с ростом...

Номер патента: 813790

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Безбородников, Векшина, Трайнис, Фурсин

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, вентиль, многовыходной

...-и-йереходеП- Р-о-транзистора и диодах Шоттки.Разный закон изменения падений напряжения на них при изменении температуры приводит к очень узкому температурному диапазону работы известных вентилей, вследствие чего логический перепад не является постоянным, что приводит к различному времени переключения отдельных вентилей в сложном устройстве и резкому ухудшению его помехоустойчивости, В предлагаемом устройстве логический перепад определяется разностью падений напряжения на шунтирующем и одном входном и одном выходном развязывающих диодах Шоттки и не зависит от изменения температуры, Одновременно жестко фиксируется величина логического перепада, что в сочетании с правильным выбором металлов для диодов Шоттки обеспечивает работоспособность...

Номер патента: 1262720

Опубликовано: 07.10.1986

Авторы: Алюшин, Волков, Головлев, Лубянов

МПК: H03K 19/091

Метки: «и-не, ишл, логический, элемент

...5.1-5.И логического элементаток Т,э затекает в базу транзистора 1,он открывается, иа нсех выходах поддерживается низкий потенциал.Таким образом, предложенный элемент выполняет функции логическогоэлемента И-НЕ с разветвлением по выходу с помощью диодов Шоттки,Транзисторы 2,1-2.И уменьшаютстепень насьпцения транзистора 1 и,тем самым, увеличивают его быстродействие.В предложенном логическом элементе за счет протекания тока черен резистор 3,1 -З.И коллекторный переходтранзистора 1 находится под меньшимпрямым смещением, следовательно егостепень насыщения меньше, а быстродействие вьше (весь ток источника25 тока 1 э затекает н эмиттеры транзисторов 21-2.И, так как их переходыбаза-эмиттер находятся под большимпрямым смещением).При падении...

Номер патента: 1339885

Опубликовано: 23.09.1987

Автор: Карчевский

МПК: H03K 19/14

Метки: «и-не, контролируемый, логический, элемент

...+Е считается логическим сигналом с уровнем Ц, т,е, +Ц,сБ, е +Е, аналогично -ЕБ-Б, , а-Б, Б +П . В табл, 1 приведено соответствие выходного сигнала контролируемого элемента И-НЕ всем возможным комбинациям входных сигналовСигнал 0 на обоих входах элементов1 и 2 приведет к сведению светодиодов10 и 12, а светодиоды 9 и 11 при этомне будут светиться, так как на нихподано в этом случае запирающее напряжение. Тогда фототранзисторы 13.2,13.3, 14.2 и 14.3 оптронов 13 и 14будут открытыми, а Фототранзисторы13.1 и 14,1 оптронов 13 и 14 - закрытыми,Открытые фототранзисторы 13.2,13.3, 14.2 и 14,3 обеспечивают поступление на выход 3 элемента положительного напряжения, соответствующего уровню логической единицы, по цепи: шина 4, резистор 7,...