H03K 19/08 — полупроводниковыми приборами

Номер патента: 1314448

Опубликовано: 30.05.1987

Авторы: Борюшкин, Гладкий, Распоркин

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, элемент

...7 подключен к выходу 8 и соединен с коллектором второго выходного транзистора 9 п-р-п-типа, эмиттер которо- го соединен с общей шиной и через второй резистор 10 подключен к его базе и эмиттеру транзистора 3, эмиттер дополнительного транзистора 11 р-п-р-типа соединен с эмиттером транзистора б, а база и коллектор подключены к коллектору и базе транзистора 9, входная цепь выполнена на транзисторе 12 п-р-п-типа, эмиттер и коллектор которого являютсясоответственно вхоцом и выходом вход" ной цепи, а база через резистор 13 подключена к шине 5 питания.Предложенный логический элемент работает следуащим образом. 5 1 О 15 20 25 ЗО коэффициента его влиянием на работулогического элемента можно пренебречь.Так как коэффициент усиления транзистора 11...

Номер патента: 1319273

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Ильченко, Скрыпов

МПК: H03K 19/08

Метки: кмоп-транзисторах, логических, преобразования, сигналов, уровней

...с входом инвертора 1, выход которого соединен с выходной шиной 7 и с инверсным управляющим входом двунаправленного ключа 8, сток первого п-транзистора 2 соединен с прямым управляющим входом двунаправленного ключа 8,Устройство работает следующим образом.В начальном состоянии на входной шине 6 действует сигнал высокого уровня, на выходе 0-триггера 9 действует сигнал низкого уровня, определяемый напряжением общей шины 3, транзистор 2, следовательно, закрыт, а на выходе инвертора 1 (выходной шине 7) действует сигнал высокого уровня, равный напряжению шины 5 питания. При этом зарядный транзистор 4 открыт, а транзистор р-типа ключа 8 закрыт, на выходе инвертора 1 действует сигнал напряжением, равным Епит - Опор транзистора 4, транзистор п-типа...

Номер патента: 1320896

Опубликовано: 30.06.1987

Автор: Якимаха

МПК: H03K 19/08

Метки: инвертор, микромощный

...транзистор 2, На выходе 8 устройства - высокий уровень напряжения "1", несколько меньший по величине, чем первый. Причем это состояние по этому выходу током не обеспечивается, так как через транзистор 5 протекает значительно меньший ток, чем через транзистор 2,При поступлении уровня "1" на вход 6, транзисторы 4 и 1 находятся в открытом состоянии, а транзисторы 5 и 2 - в закрытом. Тогда на допол - нительном выходе 8 устройства - низлингтона с транзисторами 1 и 2, т.е,45 50 55 5 10 15 20 25 30 кий уровень напряжения "0", обеспе-, ченный протеканием тока через транзистор 1, На первом выходе 7 устройства - низкий уровень напряжения "0", несколько больший (на величину напряжения эмиттер-база транзистора 1), чем предыдущий, Причем это...

Номер патента: 1324103

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Балашов, Дятченко, Подопригора, Савенков, Соколов

МПК: H03K 19/08

Метки: ттл-вентиль

...в "О" на шине 1 (соответственно из "О" в "1" на шине 16) запираются транзисторы 5 и 8. Для ускорения запирания при управлении по их базовым цепям требуется 25 увеличение токов, вытекающих из их баз. Для фазорасщепительного транзистора 5 такой ток обеспечивается вклю,чением токового зеркала входного каскада положительным фронтом импульса 30 на шине 16. Для выходного транзистора 8 ускоряющий ток включения обеспечивается запуском транзистора 25 за счет того же положительного фронта импульса на шине 16. Положительный фронт передается через эмиттерный повторитель (транзистор 18) и емкостный элемент (на транзисторе 24) на базу транзистора 10 и включает его. Благодаря емкостной связи ускоряющий 40 ток протекает импульсно, что повышает...

Номер патента: 1324104

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Балашов, Дятченко, Подопригора, Савенков, Соколов

МПК: H03K 19/08

Метки: ттл-вентиль

...заперты. Высокий потенциал коллектора запертого фазорасщепительного транзистора 5 задает через выходной эмиттерный повторитель выходной уровень "1". 20Выходной, ток токового зеркала увеличивает при этом логический перепад на базе фазорасщепительного транзистора 5 за счет падения напряжения на резисторе 31. 25В динамическом режиме при переключении из состояния "1" в "О" на шине 1 (соответственно из "0" в "1" на шине 16) запираются фаэорасщепительный 5 и выходной 8 транзисторы. Для ускорения их выключения при управлении по базе требуется увеличение токов, вытекающих из их баз, Для выключения фазорасщепительного транзистора 5 такой ток обеспечивается за счет включения токового зеркала входного каскада, Отрицательный фронт импульса,...

Номер патента: 1324105

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Балашов, Дятченко, Подопригора, Савенков, Соколов

МПК: H03K 19/08

Метки: ттл-вентиль

...этими транзисторами. Во входном каскаде быстродействие переключения первого 25 и второго токовых зеркал гораздо выше: при их управлении практически отсутствует влияние проходных емкостей Миллера, а также площади и емкости их транзисторов существенно мень- З 0 ше, чем в Фазорасщепительном и выходном, При отрицательном Фронте импуль" са на входе 15 вентиля второе токовое зеркало выключается, соответственно, на входа первого тоовоо зеркала и эмиттерного повторителя на транзисторе 22 Формируется положительный фронт импульса. При этом включается первое токовое зеркало и ускоряет выключение Фазорасщепительного транзистора - 40 оно задает ток (1, ), вытекающий из его базы. Аналогичный ток (1 .), вытекающий из базы выходного транзистора и...

Номер патента: 1338053

Опубликовано: 15.09.1987

Автор: Греб

МПК: H03K 19/08

Метки: сумматор

...переход эмиттер - база транзистора 19,резистор 21, резистор 10; низкийуровень шины питания, единичный уровень с коллектора открытого транзистора 19 попадает на выход 5. Остальные транзисторы заперты, так как напряжения на их базах и эмнттерах равны и низки по уровню, на выходе 6нулевой уровень. Пятое состояние; напервый 1 и третий 3 входы подан единичный уровень, на вход 2 - нулевой, 45 открыт транзистор 8 током смещенияпо вышеописанной цепи, открыт транзистор 13 и удерживается в открытомсостоянии током смещения по цепи:высокий уровень напряжения входа 1, 50 переход первый эмиттер - база транзистора 13, резистор 14, диод 16, резистор 20, низкий уровень шины питания. Транзисторы 18 и 19 заперты,так как их эмиттеры и базы находятся на...

Номер патента: 1338055

Опубликовано: 15.09.1987

Авторы: Лисица, Мерхалев, Солод

МПК: H03K 19/08, H03K 19/094

Метки: выходного, мдп-транзисторах, сигнала, формирователь

...последовательносоединенных парафаэцых каскадсв 22,23 и 24,Устройство работает с.едующим образом,При вводе информации в устройс.твоца тактовую шину 16 подается сигналнизкого уровня, который закрываетключевой трацзестар 4. Благодаря токучерез разрядцьй транзистор 9 эакрывается также раэделительцый транзистор 8. Состояние триггера 1 пр; этом це успевает заметно пзмециться,ца кондецсаторе 19 сохрацяется заряд, соответствушций цапряжецию на первом выходе 10 триггера 1 до момецта перекзцоч ция триггера. Отот заряд поддержевзет .о ичсскэе состояние зыходцой вины 18 устройства, поскольку его уте;ка через затворы МДП-трацзисторов эс.етов зыходцого усилите пя 3 крайце езцачительца. При этом к выходной шине 8 устройства может быть подключена лабая...

Номер патента: 1345339

Опубликовано: 15.10.1987

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08, H03K 19/094

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирования

...который установитнизкие уровни напряжения на выходе20 51 инвертора 3 с токостабилизирующейнагрузкой и на выходах всех двухтактных усилителей, Высокий уровень напряжения установится на выходе 45усилителя 8 обратной связи и на выхо 25 де 79 предварительного усилителя 24низкого уровня, В результате на выходе 80 и на выходной шине 35 установится уровень напряжения, соответствующий уровню напряжения на шиЗО не 33, В это время происходит зарядвсех. накопительных конденсаторов доуровня питающего напряжения. Высокиеуровни напряжения установятся на выходе 74 четвертого инвертора 23, на35выходе 73 третьего инвертора 22 ина выходе второго инвертора 20, Врезультате на выходе 57 элемента2 И в И,ФЕ 21 установятся уровниянапряжения, равные уровню...

Номер патента: 1352642

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Дунец, Кметь

МПК: H03K 19/08

Метки: инвертор, кмоп-транзисторах, циклический

...аналогично принятому для обозначения транзисторов в схеме устройства (фиг. 1)В результате, согласно фиг. За, напряжение на выходе 14 устройства определяется Е и соотношением резисторов 13 и 8, что составляет 2/3 Е и соответствует логическому значению "2". Если входной сигнал равен "1", т.е. напряжение О, на входе 1 находится в пределах Ощ с 0 1/ЗЕ+ + 0 то транзисторы 2 и 9 по-прежпор фнему открыты, так как напряжение на их затворах по отношению к потенциалу их истоков меньше на величину, превьппающую 0Транзисторы 3, 10 и 11 также открыты, поскольку напряжение на их затворах превьппает 0, . Так как транзистор 3 открыт, к затвору транзистора 7 приложено напряжение, которое по отношению к потенциалу его истока меньше на величину,...

Номер патента: 1365352

Опубликовано: 07.01.1988

Автор: Якимаха

МПК: H03K 19/08

Метки: инвертор, логический, микромощный

...Тогда на выходе 13 устройства будет низкий уровень напряжения логического О, обеспеченный током открытого транзистора 4, а на выходе 14 также будет низкий уровень напряжения логического О, несколько высший первого и уже не обеспеченный током, поскольку ток коллектора транзистора 1 значительно меньше, чем ток коллектора транзистора 2 В этом состоянии по входу 11 нет необходимости в обеспечении его током, .в то время как по входу 9 такое обеспечение необходимо для нормальной работы транзисторов 1 и 2.Таким образом, в предлагаемом устройстве реализована функция расщепления входов и выходов по их обеспеченности токами для различных логических уровней напряжений. Так, например, к выходу 14 необходимо под. ключать базу транзистора...

Номер патента: 908230

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Кассихин, Хайновский

МПК: G11C 11/40, H03K 19/08

Метки: буферное, выходное

...напряжения.Пусть, теперь напряжение на вход ой шине 23 снижается и проводимость ранэистора 5 значительно падает, следствие этого нагрузочный транистор обедненного типа 1 повышает потенциал на затворах транзисторов 6 и 7, вызывая их отпирание и снижение их стоковых потенциалов. В силу происходящего разряда затворов транзисторов 9 и 11 их стоковые потенциалы могут повышаться. Вследствие того, что ток нагрузочного транзистора 4 протекает только на затвор транзистора 10 с нулевым пороговым напряжением, а при заряде транзистора 10 вызванный этим ток транзистора 10 заряжает исток этого транзистора, повышая его потенциал, затвор транзистора 10 представляет для инверторного каскада на транзисторах 4 и 9 меньшую емкостную нагрузку, чем...

Номер патента: 1408528

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Заболотный, Максимов, Петричкович

МПК: H03K 19/08

Метки: проводное, элемент

...относится к импульсно Технике и может быть использовано при по Строении логических схем.Цель изобретения - снижение потреб ляемой мощности путем автоматического о ключения нагрузки от шины питания,На чертеже представлена электрическа При 1,ципиальная схема элемента ПРОВОДНОЕ ИЛИ.Элемент ПРОВОДНОЕ ИЛИ содержит выходной каскад 1, выход которого соеди 11 ен с первым выводом резистора 2, шину 3 11 итания, выделитель 4 заднего фронта, первый 5 и второй 6 ключи, инвертор 7, вход ыделителя 4 заднего фронта соединен с ходом выходного каскада 1 а выход - с15 ходом управления первого ключа 5, первый ыход которого соединен с шиной 3 питанияпервым выходом второго ключа, а второй ыход - с выходом выходного каскада 1 и ходом инвертора 7,...

Номер патента: 1413720

Опубликовано: 30.07.1988

Автор: Якимаха

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, элемент

...а транзисторы1,3 и 7,5 - в открытом, Открытыйтранзистор 1 обеспечивает уровень"0" на выходе 12 устройства (током обеспечен), а на выходе 11 устройства будет потенциальное состояние "0", поскольку ток транзистора 3 значительно меньше, чем у транзистора 1.В третьем состоянии на входы 10 и 13 подается уровень "1", а на входы 9 и 14 - уровень "0". Тогда транзисторы 2,4 и 8,6 будут открыты, а тран" зисторы 1,3 и 7,5 - закрыты. Открычий транзистор 2 обеспечивает уровень "О" на выходе 12 (обеспеченный тоном), а открытый транзистор 4 обеспечивает уровень "0" на выходе 11 (потенциальный).В четвертом состоянии на все входы 9,10,13 и 14 подается высокий уровень "1", Тогда транзисторы 1-4 будут открыты, а транзисторы 5-8 - закрыты, Очевидно,...

Номер патента: 1413721

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Заболотный, Максимов, Петричкович

МПК: H03K 19/08

Метки: состояниями, тремя, элемент

...относится к импульсной технике и может быть использовано при построении цифровой аппаратуры с шинной организации обмена.5Целью изобретения является повышение надежности устройства путем минимизации числа используемых элементов.На чертеже представлена электри"ческая принципиальная схема элементас тремя состояниями.Устройство содержит информационную шину 1, соединенную с первым вхо"дом И-НЕ элемента 2, выход которогосоединен с затвором р-транзистора 3, 15исток которого соединен с шиной питания 4, а сток - со стоком первогои-транзистора 5 и выходной шиной 6,общую шину 7, шину управления 8, сое"диненную с вторым входом И-НЕ элемента 2, второй п-транзистор 9, затворкоторого соединен с шиной управления8, сток - с истоком первого...

Номер патента: 1429313

Опубликовано: 07.10.1988

Автор: Турченков

МПК: H03K 19/08

Метки: логическое

...10-15 заперты и напряжение на выходах 19 равно нулю.При приходе на входы 17 и 18 напряжений 11 и Пп положительной полярности, транзисторы 9, 14 и 15 заперты, а транзисторы 13, 12 и 10 насьпцены и на выходе 19 формируется напряжение Юпь, отрицательной полярности от шины вюп20 питания (напряжение - Е) через резистор 3.50Если напряжение на входе 17 имеет отрицательную полярность, а напряжение на входе 18 - положительную полярность, то оказываются насыщеннымн транзисторы 9 14 15 и 11 и на вы 9, Ф55 ходе 19 имеет место напряжение Уьы положительной полярности, которое поступает с входа 18 через диод 8, змиттер-коллектор насьпЧенного транзистора 9, эмиттер-коллектор насыщенного транзистора 11,Если на входах 17 и 18 имеютсянапряжения...

Номер патента: 1497739

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Трофименко, Фрид, Янина

МПК: H03K 17/60, H03K 19/08

Метки: активная, коллектором, нагрузка, открытым, схем, цифровых

...насьпцения "коллектор - эмиттертранзистора 1 меньше напряжения Отпирания "база - эмиттер" транзистора 2; 94послднес вес гид (ц(ио)им), с спитранзистор 1 г рм(цигцй, л трдцзцстор 2 кремциеый),При Отиир;(ц(ш Оконечного трдцзистора 9 упрдвл)ц)1(ий трлцзигтор 1 остлетгя открытым, д трдцзистор)дигртым, Емкость, ПОд(,пс)ч(1 цндя к них) (ч7, рдзряждс тся через тр п(-игтор 9,При здпирднии с)ктцечцого трднзигтора иироной схемы с момеиту Окоц -чания рдсслсьидния эдрядд егс) базы )напряжение на базе чирдвляюшего трднзистора 1 Фиксируется эдряжгцнь", конденсатором 6, в то время кдк цдиряжение на его эмиттере, соединенном свыходом 7, увеличивдется, н рс дул),тате транзистор 1 злкрывдетгя, а выходной транзистор 2 открыв,(тел токомот источника...

Номер патента: 1499481

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Криворучко, Мазурова, Тяжкун

МПК: H03K 19/08

Метки: уровня

...транзисторов 5 и 6и разброса 40 напряжений на переходах диодов 3 и 4), транзистор 5 открыт, транзистор 6 закрыт. Транзистор10, включенньп в режиме токовогозеркала, задает ток через резистор 9, 20пропорциональный току через реэистоу 8. Транзистор 11 повышает мощность сигнала на резисторе 8 и формирует на выходе 12 напряжение высокогоуровня. 25При напряжении на входе 2 большем,чем .напряжение на входе 1, закрывается транзистор 5 и открывается транзистор 6, Через первый коллектортранзистора 6, включенного в режиметокового зеркала, протекает ток, пропорциональный току источника 7 тока.Через базу и второй коллектор транзистора 10 протекает суммарный токрезистора 8 и первого коллекторатранзистора 6, Поэтому возрастаетток первого коллектора...

Номер патента: 1510077

Опубликовано: 23.09.1989

Автор: Коноплянко

МПК: H03K 19/08

Метки: функциональный

...счетчиком 4, пре образования представлены в табл,2. Также приведены и функции одной переменной, реализуемые функциональным преобразователем на выходе 62.Таблица 2 ходы блока 18 Выходы Вь блока 18Вход Входы блока 18 Выходы блока 18 7 24 21 23 22 25 26 27 28ыход 5 62 0 0 1 О 1 1 0 1 0 1 1 О 1 1 0 0 1 1 0 0 1 22 1 0 1 0 1 О 02 0 0 1 О 1 1 0 0 1 2 1 1 0 0 1 1 1 0 О 0 15 2 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 О 1 0 1 1 0 0 1 2 1 1 0,0 1 1 0 1 О 1 2 1 0 1 0 1 1 0 0 0 20 0 0 1 О 1 1 0 О 1 2 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 2 1 0 1 О 1 0 0 1 2 О 0 1 0 1 1 0 0 1 2 1 1 0 0 1 1 0 0 1 2 2 1 0 1 0 1 0 1 0 1 50 Анализ реализуемых преобразований показывает (табл,2), что блоки 18 30 имеют одинаковые входные сигналы, поэтому дпя реализации множества требуемых настроек потребуется Е -...

Номер патента: 1531208

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Гаричкин, Рогозов, Тяжкун

МПК: H03K 19/08

Метки: уровня

...напряже 1531208 4ние на управляющем входе 7). При наличии на информационном входе 13 напряжения высокого уровня уменьшается ток через переходы база - эмиттер транзисторов 9 и 8. Ток коллек 5 тора транзистора 8 становится меньше тока коллектора транзистора 2, Уменьшается напряжение на входе сложного инвертора 3, от запирается и на выходе устройства 4 формируется высокий уровень ТТЛ элементов БИС.При напряжении низкого уровня на информационном входе 13 возрастает ток через переходы база - эмиттер транзисторов 9 и 8. Коллекторный ток транзистора 8 превышает коллекторный ток транзистора 2, Возрастает напряжение на входе сложного инвертора 3, он открывается, на выходе устройства 4 формируется низкий уровень ТТЛ элементов...

Номер патента: 1561201

Опубликовано: 30.04.1990

Авторы: Кузьменко, Сидоренко, Солод

МПК: H03K 19/08, H03K 5/01

Метки: воздействий, мдп, многоканальный, режимных, транзисторах, формирователь

...на их выходах будут Формироваться сигналы в соответствии с сигналами на входных шинах.Низкий уровень на управляющем входе переключателя 12 Фаз соответствует формированию на его первом выходе сигнала, противофазного входному, а во втором - синфазного Та ким образом, во время о " 1 на вторых выходах переключателей. 12 Фаз будут формироваться сигналы, синФазные с сигналами на входных шинах, а на первых - противофазные. Следовательно, и на шинах выходных сиг" валов будут Формироваться сигналы, синфазные с входными сигналами, но с некоторой задержкой, вызванной задержкой сигнала на Функциональных узлах.Так как, во время- 1 и С - С- на шину 24 счетных импульсов поступают импульсы, на. шине 26 разрешения . счета есть разрешающий сигнал и на...

Номер патента: 1569973

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Деревягин, Тарасов

МПК: H03K 19/08, H03K 19/094

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь

...2 в), при этом нагрузочный транзистор 2 закрывается по затвору, а на подложке транзистора 2 формируется спад сигнала и устанавливается потенциал общей шины 13Фиксация подложки нагрузочного транзистора 2 наиболее отрицательным потенциалом схемы повышает надежность ра" боты устройства в целом.Фронт сигнала с входной шины 9 через элемент 8 задержки фронта передается на затвор актйбн;зг, тряязи тора 1. Активный тран"истер 1 вклю, чается, и на выходной шине, 10 форируется спад импульса. Поскольку отпирание транзистора 1 происходит позднее, с задержкой, определяемой эле ментом 8 задержки, р-и-переход подложка - исток транзистора 2 остается запертым и при формировании спада импульса на шине 11.В данном случае обеспечена последовательность...

Номер патента: 1598156

Опубликовано: 07.10.1990

Автор: Акопов

МПК: H03K 19/08

Метки: биполярных, логический, моп-транзисторах, элемент

...5 и 6 конструктивно одинаковы (что легко осуществимо при интегральном исполнении), то и токи утечки этих транзисторов приблизительно равны. Ток утечки на участке коллектор - база транзистора 6 через отражатель тока на транзисторах 3 и 4 сформирует ток стока транзистора 4, Если при этом крутизна характеристики транзистора 4 больше крутизны характеристики транзистора 3, то ток" стока транзистора 4 будетравен току утечки на участке коллектор-база транзистора 5, а величина падения напря 5 10 15 20 25 30 35 жения на участке сток - исток транзистора 4 будет меньше величины падения напряжения на участке сток - исток транзистора 3.Если пороговое напряжение отпирания КМОП-транзисторов в данном случае находится примерно на том же уровне,...

Номер патента: 1615877

Опубликовано: 23.12.1990

Автор: Акопов

МПК: H03K 19/08, H03K 19/094

Метки: биполярных, логический, моп-транзисторах, элемент

...потенциал логической "1". 50При возрастании входного напряжения до величины, равной половине напряжения питания, транзисторы 5 и 2 находятся в закрытом состоянии, так как возникающая при этом разность потенциалов между затворами транзисторов 5 и 2 меньше напряжения отпирания этих транзисторов. Например при величине входного напряжения, равной половине напряжения питания, потенциал на стоке транзистора 1 соответственно также равен половине напряжения питания, т,е, и потенциал на затворах транзисторов 5 и 2 равен этой же величине, а поскольку истоки транзисторов 5 и 2 соединены между собой, то оба эти транзистора закры ты.При дальнейшем возрастании входного напряжения потенциал на стоке транзистора 1 соответственно уменьшается и...

Номер патента: 1628200

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Олещенко, Тяжкун

МПК: H03K 19/08

Метки: передающее

...соеди- Сф иены с шиной питания и эмиттером транзисторасоответственно через резисторы 11 ц 8, вторая обкладка конденсатора 5 соединена с общей шивой.Устройство работает следующим оор:.чом,Прц низком уровне входного жепи закрыт транзистор 2 и с ственно транзистор 4, На выхо элемента 1 высокий уровень, и закрыт транзистор 3, На выход ства низкий уровень напряени При изменении входного нап от низкого к высокому уровню потенциалом на выходе ТТЛ-инв1 открывается транзистор 3 и большим током через резистор 11 и транзистор 3 заряжается емкость нагрузки, Одновременно заряжается конденсатор 3 и, если к моменту окончания его заряда выходное напряжение окажется на величину У меньше входного напряжения,ойдооткроется транзистор 2. Это означает, что...

Номер патента: 1676092

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Кондратюк, Шпаковский, Яковцев

МПК: H03K 19/08

Метки: инвертор

...В транзистор 4 открывается, в коллекторы транзисторОв 3 и 5 начинает втекать ток. Так как транзисторы 3 и 5 уже были открыты протекающими токами баз, то через минимальное время потенциалы на базах транзисторов 2 и 6 достигают значения 0,7 - 0,8 В и приводят к открыванию перечисленных транзисторов, соответственно, напряжения на базе транзистора 1 и выходе схемы уменьшается до величины менее 0,5 В, при этом транзистор 1 закрыт, транзистор 2 открыт, на выходе - низкий потенциал, менее 0,5 В, при этом открываются первый 15 и второй 16 диоды и через резисторы 13 и 14 ток из баз транзисторов 3 и 5 ответвляется и, соответственно, транзисторы 2 и 3, 5 и 6 подзакрываются, что ограничивает степень насыщения транзисторов 2 и 6, при этом...

Номер патента: 1698982

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Бантюков, Ершов, Яковенко

МПК: H03K 19/08

Метки: состояниями, тремя, элемент

...13. Так как закрыт транзистор 13, то отсутствует ток в цепи: шина 24 - параллельно соединенные резистор 14-змиттер-база транзистора 17 - резистор 15 - коллекторэмиттер транзистора 13 - общая шина 25, и поэтому закрыт транзистор 17, Таким образам, в этом случае ат выходной шины отключены и шина,24 и общая шина 25 источника питания, т.е. элемент с тремя состояниями находится в "третьем" - высакаимпедансном состоянии.Допустим, что на шине 23 В исходном состоянии имеется нулевой сигнал, тогда в момент появления на шине 22 нулевого сигнала появляется единичный сигнал на выходе эл 81, нта НЕ-И 2 (на выходе элемента НЕ-И 3 сохраняется нулевой сигнал) и, вследствие этага, открывается транзистор 6 и начинает протекать ток па цепи, шина...

Номер патента: 1737443

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Ковалив, Коноплянко

МПК: G06F 7/49, H03K 19/08

Метки: галуа, поля, умножитель, четырехзначный, элементов

...то- ка подключена к первому коллектору дополка, на входе и выходе которого включены 5 нительного порогового транзистора 76 инжекторы 83 токасвесами 2,0, выходотра- второго канала второго дискриминатора, а жателя 81 является выходом 35 результата база второго дополнительного отражателя переноса Р+, при этом в первом канале пер тока к коллектору второго дополнительвого дискриминатора 43 коллекторы перво- ного порогового транзистора 63 третьего каго порогового транзистора 48 соединены с 10 нала первого дискриминатора 43, входами первого трехвходового.сумматора коллекторы первого и второго дополнитель тока, во втором канале первого дискри- ных отражателей 79 и 89 тока соединены минатора два коллектора второго порого- вместе и подключены к...