Безбородников

Номер патента: 1325563

Опубликовано: 23.07.1987

Авторы: Безбородников, Контарев, Пастон, Фурсин, Щетинин

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемента

...окон под контакты и формирования металлизации.После изготовления в исходной монокристаллической рподложке 4 вер 55тикальных областей 10 из диэлектрика(операция а) изготавливают разряднуюи-область 3 легированием поверхностиподложки примесью второго типа проводимости без применения фотошаблона. Ширину области 10-1 диэлектрика выбирают меньшей ширины области 10-2 диэлектрика, Термообработку проводят так, чтобы и-область 3 сомкнулась под областью 10-1 изолирующего слоя и не сомкнулась под областью .10-2 изолирующего слоя, Базу 8 и-р-и- транзисторов изготавливают с помощью легирования примеси первого типа проводимости, причем легирование проводят по всей поверхности подложки без применения фотошаблона (операция 6).После этого с помощью...

Номер патента: 813790

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Безбородников, Векшина, Трайнис, Фурсин

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, вентиль, многовыходной

...-и-йереходеП- Р-о-транзистора и диодах Шоттки.Разный закон изменения падений напряжения на них при изменении температуры приводит к очень узкому температурному диапазону работы известных вентилей, вследствие чего логический перепад не является постоянным, что приводит к различному времени переключения отдельных вентилей в сложном устройстве и резкому ухудшению его помехоустойчивости, В предлагаемом устройстве логический перепад определяется разностью падений напряжения на шунтирующем и одном входном и одном выходном развязывающих диодах Шоттки и не зависит от изменения температуры, Одновременно жестко фиксируется величина логического перепада, что в сочетании с правильным выбором металлов для диодов Шоттки обеспечивает работоспособность...