H03K 19/08 — полупроводниковыми приборами

Номер патента: 353351

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Горинштейн, Тулинский

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, радиочастотный, элемент

...элемента.Е-Еа чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого устройства.Устройство состоит из трех диодных балансных ключей 1, 2 и 3 каждый из которых включает по два диода 4 и б, симметрирующие потенциометры б и 7, подстроечные конденсаторы 8 и 9, управляющий каскад по схеме эмиттерного повторителя на транзисторе 10 и широкополосные трехобмоточный трансформатор 11 и двухобмоточный трансформатор 12 для ключа 1, трехобмоточные трансформаторы 11 и 13 для ключа 2, двухобмоточный трансформатор 14 и трехобмоточный трансформатор 13 для ключа 3.ЕЕа первичные обмотки 15 и 16 трансформаторов 11 и 14 подаются высокочастотные напряжения Х и У (в общем случае с разными частотами), а на входы 17, 18 и 19 эмиттерных повторителей -...

Номер патента: 356790

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Надеждин

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, элемент

...диода 5.20 При поступлении импульса только от генератора 15 потенциал на диоде 5 сначала растет и, достигнув значения, соответствующего напряжению впадины вольт-амперной характеристики диода, скачком падает до нуля, 25 Транзисторы 1 и 2 открываются. Посколькусопротивление катушки 12 для высокой частоты велико, то суммарный эмиттерный ток транзисторов 1 и 2 протекает, в основном, через диод 5. Амплитуда тока через диод 5 ЗО может достигать нескольких десятков милли 356790ампер, что значительно превышает пиковый ток диода. В результате происходит быстрое возвращение диода 5 в исходное состояние и транзисторы закрываются. С коллекторов транзисторов снимаются импульсы, длительность которых определяется, в основном, величиной емкости диода 5...

Номер патента: 360721

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Довгопол, Ирклиевский

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, очередности, поступления

...включенных по схеме с общим эмиттером. Змиттеры транзисторов объединены.Ня чертеже изосряжспа принципиальная схеха предлагаемого устройства,Устройство содержит транзистор 1, 2, резисторы 8 - 8, конденсаторы 9, 10, диоды 11 - .16, входы устройства 17, 18 и входы устройства В 20.Опии усатель сс;е,",)жит тряпзистср 1 и резисторы 4, 5, 7; а второи уси,.итсл - транзистор 2 и резисторы ), 6, 8.Диод 18 и 14 псдклочсиы яодми к источиист питания персмеисгс тся, я катодами - к база транзисторов; диоды 11 и 12 подключены катодахи к исто шику питания, а анодами - к коллекторным резисторам 7, 8 усилительных каскадов.Устройство работает следующим образом.Прп подаче первым сигнала на вход 17 открывается транзистор 1 и запирается трапзистор 2,...

Номер патента: 398921

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Тор

МПК: H03K 19/08

Метки: логическое, пороговое

...управляемого сопротивления 1 его тпвление принимает определенное значеВеличина управляемого сопротивления 8изменяется от нуля до некоторого значения с б частотой, определяемой генератором 9 задающей частоты, в результате чего возникает переменная составляющая тока, Переменные составляющие падения напряжения на эталонном элементе 7 и на суммарном сопротивлении эталонного элемента и управляемого сопротивления 8 обладают следующими свойствами: они всегда находятся в противофазе, амплитуды равны прп равенстве сопротивлений эталонного элемента 7 и цифрового уп равляемого сопротивления 1. Если величинацифрового управляемого сопротивления 1 больше эталонного элемента 7, переменная составляющая падения напряжения на эталонном элементе меньше,...

Номер патента: 409380

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Иностранец

МПК: H03K 19/08

Метки: электрическое

...достигается тем, что в предлагаемом устройстве коллекторы параллельно соединенных входных транзисторов подключены к коллектору и одной части эмнттеров многоэмиттерного транзистора, вторая часть эмиттеров которого нодклочена к выходным цепям нспос 1)едствснно т ерез диодь к коллекторам входньх транзисторо, а э)иттерныс области многоэмиттерного транзистора окрукены рамкой из высоколегнрованного материала с акцепторной примесью, соединенной с его коллектором.1-1 а фиг, 1 изображена п 1ма элемента; на фнг. 2 -выполнение.К зажимам 1, 2 и д подклочаны входные цепи; за)симы 1, 2 и ) соеднсны с базами входных транзисторав 4, 5 и 6.Эмиттсры транзисторов 4, 5 н 6 подключены к за)киму 7 источника питания. Коллекторы пара,лельно соеднненньх...

Номер патента: 364106

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Долкарт, Новик, Редина, Степанов

МПК: H03K 19/08

Метки: возбуждения, длинных, интегральный, линий, логический, элемент

...средняя точка которых подключе а к выходу линии передачи, один из резисторов подключен к источнику питания Е а другой - к уровню земли. При этом для обеспечения достаточной нагрузочцой способности выходные транзисторы 12; 13 должны быть рассчитаны ца примерно вдвое большую мощность, чем выходные транзисторы стандартного клапана ТТЛ.Узел защиты от коротких замьпсаний в состоянии Лог. 1 на выходе осуществляет ограничение тока на заданном уровне при снижении выходного напряжения до какого-то 40 определенного порогового значения и выключение больших выходных токов (переключение на малые токи) при достижении на выходе порогового напряжения (порядка 2 в).Измерительный резистор 29 узла защиты 45 от коротких замыканий служит измерителем...

Номер патента: 365047

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H03K 19/08, H05K 10/00

Метки: динамический, логический, резервированный

...база - эмиттер. В коллектор транзистора б включен резистор 7 и развязывающий конденсатор 8, вторая обкладка которого подключена к резистору смещения 9 и катоду выходного развязывающего диода 10, анод которого соединяется с выходом. При этом анод диода 2 соединен с шиной источника тактового питания ИТП, резисторы 7 и 9 подключены к постоянным источникам питания Еь Е 2, а аноды диодов 4 объединены с выво365047 Предмет изобретенияРезервированный динамический логическийэлемент, содержащий две параллельно соединенных цепи, каждая из которых содержит входную логическую схему, запоминающий 25 конденсатор, схему управления транзистора,инвертор, развязывающую схему и источники питания, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, в...

Номер патента: 367553

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Долкарт, Редина, Степанов

МПК: H03K 19/08

Метки: интегральное, логическое, приемное

...на базо-эмиттерном переходе, подается на вход многоэмиттерного транзистора 5 выходного каскада, состоящего из транзисторов б; б; 7 и 8, диода 9, резисторов 10; П; 12 и 13 и представляющего собой стандартный клапан И-НЕ ТТЛ. Если на управляющем входе Запрет имеется высокий уровень Лог. 1, на выходе устанавливается низкий уровень Лог.0. При этом через транзистор 2 протекает ток из транзистора 1, входной ток устройства приема определяется в основном током генератора тока, деленным на коэффициент В, усиления транзистора 1, и схема приема в диапазоне входных напряжений от порогового уровня до напряжений, равного сумме напряжения питания Е и прямого падения напряжения база - коллектор транзистора 1, практически не зависит от величины...

Номер патента: 372693

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Киселев

МПК: H03K 19/08

Метки: комбинационный, логический, элемент

...и экономичности устройства.Для достижения этой цели в предложенном элементе базы транзисторов соединены между собой через элементы связи, в качестве которых могут быть использованы резисторы или диоды.На фиг. 1 и 2 даны варианты принципиальной схемы устройства.Комбинационный логический элемент выполнен по последовательной схеме на транзисторах 1 - 3. Участки коллектор - эмиттер этих транзисторов соединены последовательно, Эмиттер транзистора 5 соединен с общей шиной устройства. Коллекторы транзисторов соединены с выходными клапанами устройства. Базы транзисторов соединены через резисторы 4, б последовательно между собой и через резисторы б - 8 с источниками управляющих сигналов.Для решения конкретной функции может быть...

Номер патента: 375792

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Мкртч

МПК: H03K 19/08

Метки: нейрон, формальный

...При отсутствии входных сигналов, т. е. при х ==хг=Х=О, транзисторы 1 ь 1 г 1 п заперты, и транзистор 1+ открыт по всем эмнттер ным переходам; транзисторы 1 пг, 1 и+3 ", 1 гд+1 заперты, а транзистор 1 + открыт по всем эмиттерным переходам; транзисторы 1 +г, 1+з 1 г,+ заперты, а транзистор 1 г,+г открыт. Пой,".кольку %г, (где Яь Лг - сопротивления резисторов 6 и 7) то токи, протекающие через резисторы 8 и 9 одинаковы, Так как Р)Рз, то Ув,)У,. Следовательно, если Рз, Р - сопротивления резисторов 8 и 9, транзистор 2 открыт, а транзистор 3 закрыт. Вследствие этого на прямом выходе (Р) элемента имеем высокий уровень потенциала (логическая 1), а на инверсном выходе (Р) имеем низкий уровень потенциала.Если сигналы присутствуют на всех входах...

Номер патента: 411644

Опубликовано: 15.01.1974

МПК: H03K 19/08

Метки: 411644

...элемент (фиг. 1) содержит переключатель тока на транзисторах 1 и 2 ирезисторах 3, 4 и 5, выходные эмиттерные повторители (ЗП) на транзисторах 6 и 7, транзисторы смещения 8 и 9 по схеме с общимколлектором, резисторы 10 и 11, дополнитель 10 ные транзисторы 12 и 13, которые вместе с ре-зисторами 14 и 15 представляют собой управляемые генераторы тока,Устройство работает следующим образом.15 На входе 1 расположен верхний уровеньсигнала. Ток, задаваемый резистором 5, протекает по инверсному плечу переключателятока через резистор 3 и транзистор 1, создавая падение напряжения на резисторе 5.20 Транзистор 2 закрыт, на резисторе 4 - падение напряжения от базового тока транзистора7. Из транзистора 7 в нагрузочный резистор16 течет ток, кроме того,...

Номер патента: 420124

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Большаков, Пронин, Прушинский, Савлук, Удовик, Федоров, Филиппов

МПК: H03K 19/08

Метки: инверторв, сложный, слу1, составной, ьр-шц, •ifoerptnnkvulk

...заряда в цих. Приэтом транзисторы 1, 2 и 3 закрыты, а транзисторы 20 и 21 открыты и насыщены благодаря протеканию тока от источника 24 через резисторы 22 и 23. На выходе 26 инвертора уста навливается высокий уровень потенциала,близкий по величие к напряжецио источника 19 питания.При поступлении на вход инвертора положительного импульса в момент достижения ЗО входным напряжением порогового зцаченилИзд,1396ПИ Государственного комитета по делам изобретений и Москва, Ж, Раушская ирая 811 ета Мини крьпийд. 4/5Подпнснов СССР на Типография, пр. Сапунова,происходит переключение тока во входныхдиодных цепях. При этом за счет заряда, накопленного в диодах 4, 5 и 6, в цепях базытранзисторов 1, 2 и 3 создается мощный импульс тока,...

Номер патента: 423252

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Лучанский, Степанов

МПК: H03K 19/08

Метки: логическое

...при попадании одного из импульсов, действующих на входе, на выходе схемы И появляется ложный импульс.Цель изобретения - расширение функциональных возможностей в результате реализации ггоследовательности логических функции И, ИЛИ - НЕ.В предлагаемом логическом устройстве эта цель достигается введением дополнительного транзистора, база которого подключена к выходу схемы И, коллектор через резисторы соединен со входами схемы И, а эмиттер - с общей шиной устройства.На чертеже представлена схема устройства.Логическое устройство, реализующее операции И, ИЛИ - НЕ, содержит логический элемент И ца транзисторах 1 - 3 и дополццтельньш транзистор 4,При отсутствии сигнала па одном входе илц всех входах логического устройства транзпсторы 1 - 3...

Номер патента: 443485

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Изотин, Мацканюк

МПК: H03K 19/08

Метки: или, исключенное, логический, элемент

...настройке предлагаемого элемента источники 9 и 12 регулируются на заданныс величины напряжения, равные, например, 3/4и 1/4 от единицы напряжения входного сигнала, определяющие соответственно верхний инижний пределы срабатывания элемента; элемент подключают к внешним питающим иопорным источникам 9, 11, 12 и 16 и черезклеммы 3 и 4 - к источникам двухуровневыхвходным сигналов, принимающих значениеО (величина напряжения О) и 1 (некоторая величина напряжения положительнойполярности),Эти сигналы через резисторы 1 и 2 поступают на базы транзисторов 5 и 6, где преобразуются в суммарный трехуровневый сигнал, принимающий значения О, 1/2, 1,При уровне О транзисторы 5 и 6 не пропускают ток в резисторы 15 и 17 и направляют его через диод 7 и...

Номер патента: 450364

Опубликовано: 15.11.1974

Автор: Лебедев

МПК: H03K 19/08

Метки: исходное, логических, перерывах, питания, состояние, установки, элементов

...3, основной транзисо тор 4, кондейсатор 5, инвертирующий ттоанзистор 6 логичесвойсхемы ИЛИ-НЕ", транзистор 7эмиттерного повторителя и источниви питания Е 1 и Р.4603устройство работает следующимзбразом.При включении напряжений источников питания К, и Е 2 конденсатор5 заряжается, напряжение на стаби- блитроне 2 растет, при этом напряжение, снимаемое с коллекторатранзйстора 4, удерживает транзистор 7 в заврытом состоянии . С выхода схемы снимается низкий уровень 11 онапряжения, осуществляющий установку в исходное состояние логических устройств .При дальнейшем увеличении напряжения на конденсаторе 5 ста- ябилитрон 2 пробивается, что приводит н открыванию трайзистора 4,при этом на выходе схемы появляется высокий уровень...

Номер патента: 451195

Опубликовано: 25.11.1974

Автор: Лебедев

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, элемент

...низкий уровень, принятый за логический нуль на йрямомвыходе триггера и, следовательно,ПОДДЕРжИВан ВьвСОК 11 Ь УРОЬЕНЬр ПРИЙЯтый за логическую еиницу, йа инверсном выходе.1 йОСЛЕ ВКЛЮЧЕНИЯ ВХОДНОГО СИГНаЛаУм =на один из входов Х 1,12, 3 в момент Ь , когда фаза л, : О, выходное найряжениеподдерживается на прежнем уровне втечение половины такта.Ы момент 1 ток будет протекатьчерез Открытый транзисторили3) и резистор 7 как в Обычном токовом ключе, имеющем регенеративнуюобратную связь), Следовательно, получим на выходе 1 м Йьв, = О, Йавыходе 5 7 ььхр. = 1, 3 момейт Ь ,КОГДа Л : О, ВКЛЮь 1 аЕтСН НаПРЯжЕние Кг , обесйечивая протекание тока через резистор 7 и запоминаниеинормации, поданнои на вход. Токв этом случае будет протекать через...

Номер патента: 454698

Опубликовано: 25.12.1974

Авторы: Белкин, Королев, Прошаков

МПК: H03K 19/08

Метки: дискретных, кабельным, линиям, передачи, сигналов, согласованным

...схемы И - НЕ сигнала высокого уровня на ее выходе появляется сигнал, который открывает диод 3 и транзистор 2 и закрывает транзистор 5. На выходе устройства появляется потенциал низкого уровня. Емкость кабеля, подключенного к выходу устройства, в момент передачи отрицательного перепада разряжается через открытый переход коллектор - эмиттер транзистора 2.В режиме запрета на вход управляющего элемента 9 подается сигнал высокого уровня, а на его выходе появляется низкий потенциал. Транзисторы 2 и 5 переходят в режим отсечки, диод 3 закрывается, Устройство полностью отключается от кабельной линии, и сопротивление устройства в этом режиме определяется обратными токами закрытых транзисторов 2 и 5.5 Устройство для передачи дискретных сигналов...

Номер патента: 456365

Опубликовано: 05.01.1975

Авторы: Барбасов, Белов, Неустроев, Соловьев

МПК: H03K 19/08

Метки: «и-не, транзисторно-транзисторный, элемент

...и базой инвертирующего транзистора 7, База транзистора 7 через резистор 9 подключена к общей шине. База транзистора 1 и коллектор транзистора 3 соединены с шиной питания соответственно через резисторы 10 и 11.При подаче на эмиттер входного многоэмиттерного транзистора 1 высокого уровня напряжения (превышающего три падения напряжения У на открытом переходе транзистора) ток, определяемый резистором 10, переключается в базу транзистора 2, который открывается и насыщается, При этом нагрузочный резистор 3 закрывается, а инвертирующий транзистор 7 открывается. Напряжение на выходе схемы уменьшается и на уровне примерно Уфиксируется благодаря отрицательной обратной связи, создаваемой с помощью дополнительного транзистора 8....

Номер патента: 458099

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Прокофьев, Сидоренко, Сирота, Таякин

МПК: H03K 19/08

Метки: буферное, мдп-транзисторах

...с первой шиной импульсного напряжения, ц с затвором второго зарядного транзистора, сток которого соединен с второй шиной импульсного напряжения, а между его истоком и затвором включен конденсатор положительной обратной связи, лричем исток второго зарядного транзистора соединен со стоком второго разрядного транзистора и с затвором зарядного транзистора выходного каскада, сток 11 458099состоянию логической 1, затвор транзистора 14 разряжается в интервале времени сдвига фазы Ф; и Ф; (т,) через транзисторы 2 и 3 и транзистор 14 закрывается.Во время действия имлульса фазы Ф, напряжение фазы передается на затвор транзистора 13 через открытый транзистор 10, транзистор 13 открывается и заряжает емкость нагрузки до уровня логической 1....

Номер патента: 472458

Опубликовано: 30.05.1975

Автор: Рувинский

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, четырехтактный, элемент

...трацз)стора 9 и ццо) 5 10 тяктОвых цмцу,псов, я сток Гс;дццсц с цстрацзцсторя 9, с выходПОЙ ц ц)ой 11 ц с Одцц.1 цз вь) кодо 3 лОГПс- скОЙ цспц 2. 11 сто)( дополццтельцОГО тряцзцсторя 12 сосд):)с;1 с шиной 8 тактовых цм пульсов. его сток соедццец с другим выходомлогической цепи 2, я затвор - с шиной 18 тактовых импульсов.ОГцческцц элсх 1 ецт ряоотяст следую);Пмобразом,11 цформацця ца входах 14 ц 1 б логическойцепи 1 устанавливается в момсцт, предшествующий импульсу ця шине 10, ц це мсцяется в течение всего времецц действия цмю льса ца шццс 8. 11 цформяцця па входах 1 б и 17 ло гцческой цепи 2 устанавливается к концу действия импульса ця шццс 8 и:.с меняется до появлсцця импульса ця шине 10. Прц появлеГпш импульса ця шцце 10...

Номер патента: 482012

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Бугрименко, Шагурин

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсный, мдп, мощности, транзисторах, усилитель

...Выходной сигнал снимается с выходного электрода 13 пушпульного каскада,Схема работает следующим образом,В исходный момент на входе действует высокий уровень напряжения, Тогдатранзисторы 1, 6, 8 и 9 открыты, Напряжение на выходе вентиля близко к нулю.Напряжение на затворе зарядного транзистора 5 определяется коэффициентом передачи реостатного делителя, образованногооткрытыми транзисторами 8 и 9, параметры которых выбраны: так, что зто напряжение равно пороговому напряжению МДПтранзисторов. При этом конденсатор 7 за-ряжен до напряжения, близкого к пороговому напряжению МДП-транзисторов, а "1482012 45 Составитель Н дубровс ая"даР О.Стенина "екРед Н,Ханеева КоРРектоР А Д, ва Лака Д /3 Иад, М1 ираж 902 1 одписвое ЦНИИ 11 осударствеииого...

Номер патента: 483793

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Аваев, Наумов

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, транзисторно-транзисторный, элемент

...соответствующий логическому нулю. Когда транзисторы 3 и 5 выключены, на выходе устанавливается напряжене, равное+Е, и переход инжектор - коллектор нулевое смещение. Когда входное на ние повышается, транзистор 3 начинае раться током, который течет в его баз 5 резистор 2 и коллекторный переходэмиттерного транзистора,11 апряжение на выходе снижаебазе транзистора 5 - повышается.стор 5 открывается, и переход инжколлектор транзистора 3 смещается внаправлении. Возникающий черезускорет вклочене транзистора 3,развивается регенеративный процесвклОчаетс 5, и выходной транзисторрежим насыщения. Напряжение настановится близким к нулю, а наре - к l где /. - прямое паден)кс 51 па пс 1 сходе ижект 01 - кол;срез инжектор протекает токЕ - У - У5...

Номер патента: 493029

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Бочко, Высочина, Мерхалев, Солод, Яровой

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...прнатом в выходной двухтактный усилительвведен транзистор в двухполюсном включеена прннципиальная20редлагаемого устройформироватепь импульсов на МОП-т знсторах содержащих двухчактный усили на транзисторах 1, 2, инвертор с токоНа затворе транзистора 3 потенциалиравен Епып-ОиОргде удар- порогавое напряжение транзистора 5.При уменьшении отрицательного потенци- ала на входе 20 (конец импульса) транзисторы 2 и 4 закрываются, и потенциалына левой обкладке конденсатора 8 й на затворе транзистора 1 повышаются. По . вышение потенциала передается на правук обкладку конденсатора 8, что повышает потенциал нв затворе транзистора 1. Пос дний еще больше открывается. Процесс открывания транзистора 1 протекает лавинообразно до тех пор, пока...

Номер патента: 493030

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Куприянов, Потапов

МПК: H03K 19/08

Метки: многофункциональный, модуль, пороговый

...транмзисторы 21 группы 19 транзисторов заданияположительных весовых коэффициентов входов. Прн подаче входных переменных в виде положительных сигналов на входные клеммы 12 логических переменных отпираются информационкыетранзисторы 10,коллекторные токи которых суммируются в точке 27, снижая ее потенциал, Отрицательные значении весовых коэффициентов О 4для звждого входа модуля задаются аналогично,.три подаче положнтельжах сигналов на клем мы 23 ввода кода отрицательных весовых: коэффициентов входов.Величина положительного значения йорога + Яопределяется отношением сопротивлений резисторов 5 и 23, а величина отрицательного значения порога- Ц определяется,отношением сопротивлений резисторов 5.и24. Положительные и отрицательные...

Номер патента: 493922

Опубликовано: 30.11.1975

Авторы: Ананян, Гузий, Павлова

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, формирователь

...19 - к общей шине, базы транзисторов 3 и 4 подключены соответственно через резисторы 10 и 14 к клемме 28, а через соединенные параллельно резистор 9 с конденсатором 21 и резистор 13 с конденсатором 23 - соответственно с клеммами 24 и 25.Формирователь работает следующим образом.В исходном состоянии транзисторы 1 - 4 работают в активном режиме, задаваемом базовыми делителями на резисторах 7 - 10 и 11 14 так, что на их коллекторах устанавливаются близкие к нулю потенциалы, а ток через диоды 5 и 6 отсутствует.При поступлении на клеммы 24 и 25 соответственно отрицательного и положительного импульсов с источника парафазных входных сигналов коллекторные токи транзисторов 1 и 4 возрастают, а коллекторные токи транзисторов 2 и 3 уменьшаются....

Номер патента: 496680

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Андрюшин, Зотов, Морозов, Трофимов, Холодков

МПК: H03K 19/08

Метки: вентиль, диодно-трансформаторный, импульсно-потенциальный

...вентиля,тенциальный дитиль содержитрезисторы 8,атор 14, трап пиа одн вост о-транс 1, 2,атор 15, од ения форм 9, 10, сформ циальный диодно транс по авт. св,чающийся Импульсноформаторный в253439, о тем, что, с це потен ентиль соединения резистора 1014 и общим выводом ис-,ключен ключ 17, вход, И лью ьшения времени На чертежеэлектрическая сИмпульсно-поформаторный вен3,4,5,6,7,12, 13, конденстранзистор 16.Между точкойс конденсаторомточника питания управления которого подключен к источнику сигналов управления (на ехеме не пока. эан).Вентиль работает следующим образом.При подаче сигнала на вход управления 18 конденсатор 14 цепи задержки переэаряжается, на катоде диода 7 появляется напряжение, При подаче импульса на вход 19 на выходе 20...

Номер патента: 500590

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Бирюков, Ханова

МПК: H03K 19/08

Метки: разностный, элемент

...а ;гоэмиттерного транзистора 1 и подключенк тактовому входу 3, База входного многс 4 ,эмиттерного транзистора 1 соединена с анодом диода 4, катод которого подключен к катоду диода 5, Баэл транзистора 2 через резистор 6 подключена к плюсу основного источника питания 7. С анода диода 8 ,через резистор 8 снимается опорне напри;жение для питания входного многоэмит-.ерного транзистора 1. Яиоды 5, 9 и 10 содовательно. Катод диода 10 щим проводом. Вьгвод 11ставитель И.Разин едактор Г,Сухова Техрел Е.П од 1 грушииа Корректор 3 ф дТираж 1 О 29 аказ 4723 ШШИ 11 И Рос дпино ветров ССС арственного комитета. Совета М о делам изобретений и открытий 1 осква, ПЗОЗБ, Раушская наб., 4 тная, 4 иал ППП фПатент, г. Ужгород, ул. стора 1 возрастает только до...

Номер патента: 513503

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Лебедев, Скворцов

МПК: H03K 19/08

Метки: логический, элемент

...к отрицательной шине источника питания и к точке соедине- , ,ф ния эмиттеров транзисторов 1 - 3, а база соединена . через и -р- И транзистор 11 в диодном включении с положительной шиной 10 источника питания, причем эмиттер этого транзистора соединен с базой . ф транзистора 9, а база и коллектор подсоединены к положительной шине.Работает логический элемент следующим образом.Пусть логической единице соответствует ф более положительное значение входного потенциала. Если на базах транзисторов 1 и 2 - низкий потенциал, соответствующий логическому нулю, транзисторы закрыты и весь коллекторный ток транзистора 8 по- фф падает в базу транзистора 3, что обеспечиваег его отпирание. В этом случае на инверсном выходе логического элемента потенциал...

Номер патента: 514438

Опубликовано: 15.05.1976

Автор: Пашкевич

МПК: H03K 19/08

Метки: временных, дешифратор, кодов, комбинационный

...кодов работает следующим обра. зом,Перед поступлением кодовой комбинации осуществляется подводная установка управляющих кольцевых счетчиков 8 и 9, после которойнпх Оказъваютс 51 Возбхждеггным 11 ПО- следние выходы. Сигнал со схемывыделения передни фронтов, совпадающий по Вр- мени с передним фроггтом пс рвого Входиго импульса, поступает нд Вход Входного колшгс - вого счетчика 4, переведя последний В сосгояние 1, обуславливает появлсггп сигналя нд первом выходе эгого счетчика, и под ключпном ни к какому устройству.Сигнал с схемы 2 Выделения з;г;гнггх фрсштов, соответствующий заднему фронту первого импульса, переведет второй гьхолнсш гсо,- цевой счетчик 5 в состояние 1, д сигнал с первого выхода этого счетчика произвлт запуск...

Номер патента: 525247

Опубликовано: 15.08.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, мдп, транзисторах, усилитель-формирователь

...подачи на входной вывод 1 нулевого потенциала накопительный конденсатор 10 заряжается через транзистор 9 до напряжения Епит - 0 о, где Уо - пороговое напряжение МДП-транзистора, в результате чего на верхней обкладке накопительного конденсатора 10 устанавливается потенциал Е - соС приходом на входной вывод 1 импульса открываются транзисторы 3 и 7. На правой обкладке накопительного конденсатора 8 и на выходном выводе 2 устанавливаются потенциалы, близкие к нулевому, а на верхней обкладке конденсатора 10 напряжение воз- раСТЯЕТ ДО уроВНя, раВНОГО Увх+Епит - 0 где Увх - амплитуда входных импульсов, при этом напряжение на верхней обкладке конденсатора 10 превышает напряжение питания, благодаря чему накопительный конденсатор 8 заряжается...