Способ изготовления полупроводниковыхструктур

Номер патента: 265291

Авторы: Всесоюзна, Каусов

ZIP архив

Текст

26529 ОП И САН И ЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республикетельства М Зависимое от авт Кл, 21 д, 11/О аявлено 08,1,1965 ( 937152/26-25 вки М с присоединением ПК Н 01 г Комитет по деламизобретений и открытиори Совете МинистровСССР риоритетпубликовано 09.111,1970, Бюллетень ЛЪ 10 ДК 621,315.592.002.2 (088.8) описания 16 Х 1,1970 опубликовани Авторизобретения аусо аявитель ОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРИзвестен способ изготовления полупроводниковых структур с р - п-переходом малой площади (меза-структур), а также многоэлементных схем с несколькими р - п-переходами путем травления пластины полупроводника с уже созданным р - и-переходом большой площади с применением фотолитографии.Предложенный способ отличается от известного тем, что защитные покрытия наносят на противоположные металлизированные поверхности пластины полупроводника в виде ряда участков заданной конфигурации, попарно смещенных относительно друг друга и частично перекрывающих друг друга, а затем проводят двустороннее травление пластины полупроводника на глубину, превышающую глубину залегания р - и-переходов. Это позволяет упростить изготовление омических контактов с р - п-переходом малой площади.Предложенный способ заключается в следующем,На пластине полупроводника любым известным способом создают р - и-переход большой площади. Чтобы получить омические контакты, проводят металлизацию поверхностей пластины, затем с двух сторон пластины полупроводника наносят защитные покрытия в виде ряда локальных участков заданной конфигурации. На противоположных поверхностях пластины соответствующие защитные участки попарно смещены относительно друг друга и частично перекрывают друг друга.После этого осуществляют химическое травление незащищенных участков пластины с 5 двух сторон на глубину, превышающую глубину залегания р - п-перехода. У полученных структур площадь омпческих контактов более чем в десять раз превьпдает площадь р - и-переходов.0 Предложенным способом можно также изготовлять многоэлементные схемы с несколькими р - и-переходами. Для этого на противоположные поверхности пластины полупроводника указанным путем наносят защитные по.5 крытия заданного рисунка, соответствующего электрической схеме, после чего проводят описанную химическую обработку пластины.Предмет изобретения 20 Способ изготовления полупроводниковыхструктур с р - п-переходом малой площади, а также многоэлементных схем, содержащих несколько р - п-переходов, путем травления пластины полупроводника с р - п-переходом 25 большой площади, созданным на ней любымизвестным способом, с использованием локальной защиты от травления, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления омических контактов р - п-переходом 30 малой площади, защитные покрытия наносят265291 Редактор Б. Б. федотов Техред А. А. Камышникова Корректор В. Трутнев Заказ 1600(16 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по дедам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква %-35, Раушская наб., д. 4(5 Типография, пр, Сапунова, 2 на противоположные металлизированные поверхности пластины полупроводника в виде ряда участков заданной конфигурации, попарно смещенных относительно друг друга и частично перекрывающих этого проводят травление водника с двух сторон на ющую глубину залегания друг друга, послепластины полупроглубину, превышар - п-переходов.

Смотреть

Заявка

937152

Всесоюзна еска аиотвкаМБЛ, С. Ф. Каусов

МПК / Метки

МПК: H01L 21/04

Метки: полупроводниковыхструктур

Опубликовано: 01.01.1970

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-265291-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykhstruktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковыхструктур</a>

Похожие патенты