Патенты с меткой «полупроводниковыхструктур»

Номер патента: 265291

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Всесоюзна, Каусов

МПК: H01L 21/04

Метки: полупроводниковыхструктур

...известным способом создают р - и-переход большой площади. Чтобы получить омические контакты, проводят металлизацию поверхностей пластины, затем с двух сторон пластины полупроводника наносят защитные покрытия в виде ряда локальных участков заданной конфигурации. На противоположных поверхностях пластины соответствующие защитные участки попарно смещены относительно друг друга и частично перекрывают друг друга.После этого осуществляют химическое травление незащищенных участков пластины с 5 двух сторон на глубину, превышающую глубину залегания р - п-перехода. У полученных структур площадь омпческих контактов более чем в десять раз превьпдает площадь р - и-переходов.0 Предложенным способом можно также изготовлять многоэлементные схемы с...