Номер патента: 333610

Авторы: Круглев, Крыжановский

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е 333610ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союа Соеетскиа Социалистические Республикависимое от авт, свидетельства01 с 7/00 Заявлено 10,И 11.19701469722/26-9) соединением заявкиитет оо деламтоний и открытиовете МинистровСССР риоритетпубликовано 21 111.1972. Бюллетень11 92(0 Дата опубликован писания 26.17.1972 Авторыизобретени, Крыжановс Заявите ОЧНЫЙ РЕЗИСТ 2 озможно ра путем бдена и очетания меняют ительном ой влажи имеют 0 Предмет изобретен снове кермета, я и мелкодис, отличаюиийия температурия, в качестве материала ис 1, отличаюят в количестРезистор относится к элементам радиоэлектронных устройств.Известен пленочный резистор на основе кермета, содержащего двуокись кремния и мелкодисперсный проводящий материал.Известный резистор имеет недостаточно низкий температурный коэффициент сопротивления (ТКС) .Цель изобретения - уменьшение ТКС резистораа.Указанная цель достигается тем, что в качестве упомянутого токопроводящего материа ла используют молибден, Причем молибден вводят в количестве, равном 40 - 60 мол. %.Предлагаемые пленочные резисторы могут быть получены на поверхности диэлектриков путем обработки покрытия, состоящего из смеси двуокиси кремния и трехокиси молибдена, в, атмосфере водорода при 400 - 800 С, Исходное покрытие 80 - МоОз наносится на диэлектрик двумя способами: гидролизом смеси этилового эфира ортокремниевой кислоты Я(ОС 2 Н 5)4 и пятихлористого молибдена или реактивным катодным распылением кремния и молибдена в среде кислорода. В также получение пленочного резисто электроннолучевого испарения моли двуокиси кремния.Пленочные резисторы на основе с двуокись кремния в молибд не своих электрических свойств при дл воздействии атмосферы с относительн ностью 98% и температурой до 50 С ТКС порядка 10 2 - 10%/град. 15 1. Пленочный резистор на о содержащего двуокись кремни персный проводящий материал ся тем, что, с целью уменьшен ного коэффициента сопротивле 20 упомянутого токопроводящего пользуют молибден. 2. Пленочный резистор по п иийся тем, что молибден ввод ве, равном 40 - 60 мол. %.

Смотреть

Заявка

1469722

Б. П. Крыжановский, Б. М. Круглев

МПК / Метки

МПК: H01C 7/06

Метки: пленочный, резистор

Опубликовано: 01.01.1972

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-333610-plenochnyjj-rezistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Пленочный резистор</a>

Похожие патенты