Способ получения микроэлектронных диодных матричных и полосовых структур
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
68 Я 9 Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик Зависимое от авт. св етельстваЗаявлено 14.11.1963 ( 819016/26 с присоединением заявкиПриоритет 1 П Государственныи комитет по делам изобретений и открытий СССРОпубликовано 18.1.19 юллетень4 ата оп кования описания 26.П.196 е 1,г М:1"6ти вторызобрете В, И. Савченко и С идоренк аявител ПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ДИОДНЫХ МАТРИЧНЫХ И ПОЛОСОВЫХ СТРУКТУРспособ получения микроэлектронгх матричных и полосовых структур плотностью диодов в единице объедственно из пластин путем электого прорезания лунок в и-слое исастины германия п-р-п-структуры, металла, нанесения изолирующего ин и травления формируемой матуктуры, пока германий не останетвиде столбиков на перекрестиях двустороннюю р ческим прореза кулярных бороз 0,1 - 0,15 мм и с 5 шлифовкои пов ном абразивном ческим путем о например медь,наносят полисти О пендикулярных стьующими рас снимают путем талл с незащищ пластин и, нак 5 электрохимичес растворе ХаОН 0,4 а/сл- до тех ния останутся л готся утолщенияазметку пластин электролитинием в них взаимно перпендид глубиной 0,05 мм, шириной шагом 1,4 мм, с последующей ерхностей пластин в отмученпорошке. Далее электрохимисаждают на пластины металл, с толщиной покрытия 50 мк, роловый рисунок взаимно першин с утолщениями, соответположению будугцих диодов, химического растворения меенных полистиролом участков овец, вытравливают германий ким растворением в 10%-ном при плотности тока 1 = 0,2 - пор, пока р-гг-столбики гермаишь на перекрестиях, где имеаемый спо что слой снимают холостые алениПредлагных тем,германияровкой, ают полным уднии,Это позволяет уптовления диодных мизолирующие свойсшин матриц.Сущность способа соб отлича исходнойэлектрохимперекрестием германг ется от известг-р-п-пластины ической полия шин получая при травлеостить технологию изгоатриц (полос) и повысить ва холостых перекрестий О Таким образом, получается ная диодная матрица, предста две взаимно перпендикулярны раллельных шин, в утолщения положены диоды. икроэлектронляющая собойсистемы пакоторых расзаключается в следующем.Исходный матер подвергают двусто в атмосфере водор слоев полученной электрохимической кой абразивным по рмания - паром 5 Ь дин из п снимают шлифов- роизводят 25 иал - пластины ге ронней диффузии ода при 850 С. О и-р-п-структурыполировкой или рошком. Затем п Плотностьсоставляет 1 Полосовую ем матриц. омпоновки диодов в матрице 0 в 14 диодов в 1 смз.структуру получают разрезаниодписная групгга ЛВ 174 Известенных диодньс большойема непосрролитическходной плосаждениярисунка шричной стрся лишь вшин. л. 42 пт, 14 42 пт, 14 оз 21 аг, 36 21 а 1, 75 К 6 061 6 061 Н 03 к Н 01 п ДК 682.142.659;621.374; 621.314.63/64 (088.8)168519 Предмет изобретения Составитель Г. Чуйко Редактор П. Шланн Техред А. А, Камышникова Корректор Ю. М. ФедуловаЗаказ 3809/17 Тираж 900 Формат бум. 60 Х 90/з Объем 0,1 изд. л. Цена 5 кон. ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4Типография, пр. Сапунова, 2 Способ получения микроэлектронных диодных матричных и полосовых структур, с разметкой п-р-л,-структуры исходной пластины германия под ряды диодов и шин осаждением металла, нанесением изолирующего рисунка шин и травлением формируемой матричной системы, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления диодных матриц и полос и повышения изолирующих свойств холостых перекрестий шин матриц, 5 слой и-исходной и-р-а-пластины снимают электрохимической полировкой, а холостые перекрестия шин получают полным удалением германия при травлении,
СмотретьЗаявка
819016
В. И. Савченко, С. Л. Сидоренко
МПК / Метки
МПК: G11C 11/34, G11C 11/40
Метки: диодных, матричных, микроэлектронных, полосовых, структур
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-168519-sposob-polucheniya-mikroehlektronnykh-diodnykh-matrichnykh-i-polosovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения микроэлектронных диодных матричных и полосовых структур</a>
160431
Номер патента: 160431
Опубликовано: 01.01.1964
Метки: 160431
...изгиба при колебаниях температурь. достип 1 уто благодаря размещению пластин в корытообразном основании и использованию для их крепления клинового зажима.Конструктивное выполнение экструдера изобраукено на чертеже,Плоскопараллельные пластины 1 экструдера размещены в корытообразном основании 2. Первая пластина установлена вплотную к одной из его боковых стенок, К последней пластине примыкает опорный клин 3, соединенный с этой пластиной винтами 4. Между опорным клином 3 н боковой стенкой основания 2 размещен стяжной клин 5, снабженный винтовым механизмом 6, служащим для перемещения клина 5 в продольном направлении. Для фиксации положения пластин 1 в продольном направлении при сжатии клином 5 служит упор 7. Между наружнымн...
Устройство для размерно-чистовой и упрочняющей обработки шлицев на валах
Номер патента: 997934
Опубликовано: 23.02.1983
Авторы: Парфиянович, Шебан
МПК: B21H 5/02
Метки: валах, размерно-чистовой, упрочняющей, шлицев
...что своими внешними поверхностямиприлегают к поверхности отверстия корпуса 9 и боковым поверхностям выступов 5и 6, а их концы выступают над опорнымиплоскостями А (ф и г. 4) сегментных планок2 на высоту, равную высоте С на выступахпластин 1 (фиг. 61.Размеры отдельных элементов (пластин1, сегментных планок 2 и пружин 7 и 10) 25предназначенных для фиксации пластин,имеют между собой следующую зависмодть,Длина 1 пластин 1 (фиг. 5) равна илименьше примерно на 0,1 мм длины 1. сегментных планок 2 (фиг. 3).Ширина Ь выступов 5 и 6 (фиг. 2 и 3)на сегментных планках 2 по крайней мерена 0,1 - 0,2 мм меньше, чем ширина Ь выступа 4 на пластинах 1 (фиг. 5), а их высота Ь на 0,1 - 0,2 мм больше ширины пружин 7 и 10 в их поперечном сечении.Ширина В паза...
Ленточный тормоз
Номер патента: 1346877
Опубликовано: 23.10.1987
Авторы: Балаболин, Вольченко, Драгомирецкий, Князев
МПК: F16D 65/04
...тормоз содержит бандаж1, ленту 2 со сбегающим 3 и набегающим 4 концами и с продольными пазами 5 и фрикционные накладки 6,В материалах последних заформованыпродольные пластины 7 и крепежныепланки 8, которые армируются с помощью поперечно располбженной армирующей проволоки 9 в материал накладок6 и установлены на их нерабочейповерхности. С помощью планок 8 накладки 6 крепятся через продольныепазы 5 к ленте 2, Через тело накладок 6 пропущены продольные ребра 1 О, выполненные из теплопроводного материала и установленные наразной толщине их допустимого износана сбегающем конце 3 ленты 2,.т,е.на меньшей глубине накладки б.состороны ее набегающей ветви 4 и сувеличением к месту крепления ленты 2. При этом продольные ребра 10,расположенные в теле...
Способ получения диодных матричных и полосовых структур
Номер патента: 168329
Опубликовано: 01.01.1965
МПК: G11C 11/36
Метки: диодных, матричных, полосовых, структур
...ЯЬ в атмосфере водорода при температуре 850 С. После этого в полученной п-р-п-структуре 20 электролитическим прорезанием в дистиллированной воде вольфрамовыми нитями ряда борозд производят разметку рядов диодов и шин. Заданное распределение диодов осуществляют удалением п-слоя в соответствую щих местах электролитическим прорезанием катодными иглами лунок в пластине. Затем электролитическим путем осаждают слой металла (например, медь или индий) толщиной 65 - 90 мм, 30 Далее на обе стороны пластины наносят полистироловый рисунок шин (ширина шин 0,8 - 0,9 мм). Незащищенный металл снимают анодным растворением в 10%-ной серной кислоте при плотности тока /=0,1 - 0,15 а/см 2 до обнажения германия. После этого полистирол смывают в толуоле, а...
Диодная матрица
Номер патента: 473387
Опубликовано: 05.06.1975
Авторы: Гиоргио, Никола, Франко
МПК: H01L 19/00
...образующий контакт, называемый поверхностно-барьерным.Металлический (золотой) слой 4 являетсядиодом, а цпжцяя плоскость полупроводниковой пластины - катодом. Диоды 5, характеризующиеся значительным быстродействием, соединены перемычкой 6 из металла с относительно большим удельным сопротивлением, например нихрома, с полосками металла 7, преимущественно золота, расположенными на слое 3 на верхней плоскости пластины 1. Полоски 7, перпендикулярные полупроводниковым полосам пластины, являются вертикальными проводниками матрицы. Кроме того, эти полоскп, прочно припаянные к пластине, удерживают полупроводниковые полосы вместе на определенном расстоянии одну от другой, что обеспечивается слоями нихрома 8 и никеля 9, ца которые нанесен...
Предыдущий патент: 168518
Следующий патент: Способ измерения коэрцитивной силы не анизотропной магнитной пленки
Случайный патент: Манипулятор лесозаготовительной машины