I йоксоюзная 1: , ту-л., -г, -. («; угг»г, 5 • -. -•. „, t; v i й1-л-3 biaцц;

ZIP архив

Текст

Союз Советсиих Социалистических Реслублии,1 11.1971,( 1646946/18-24 1 Ч, Кл, Сх 11 с 11/3 аявлен ением заявкиприсоед оритет Комитет по делам изобретений и отнрытийУДК 681 327 67(088 Опубликовано 16.1.1973, ЬюллетеньДата опубликования описания 6 111.197 и Совете Министров СССРмирханов, П. Е. Кандыба, К, Ф. Комаровских В. И. Рыбальченко и Г. И. Фурсин" е аявител ОГОагСт"Ойт 1 И 1 Ы 1 т 1 ЭЛЕМ 11 Г 11 А 1 т 1,ттт й Элемент памяти содержит четырехслойные приборы 1, одни выводы которых через нагрузочные резисторы 2 соединены с шиной записи 3 и источником питания 4, другие выводы - с общим резистором 5, обеспечивающим считывание информации. Эмнттсрные переходы 6 четырехслойных приборов зашунтнрованы переменными резисторами 7. В зависимости от величины этих резисторов четырехслойные приборы имеют различные пороги напряжений включения.Для пояснения работы элемента памяти, например на гп+1 состояние, предположим, что имеется гтг четырехслойных приборов с различными порогами включенияУ;.л, (1 Йпг), причем У, (С 1 В исходном состоянии все четырехслойные приборы элемента памяти находятся в выключенном состоянии, так как величина напряжения источника питания выбирается меньше, чем наименьшее напряжение включения первого четырехслойного прибора. При этом г. гвых = гтгг ой,где У а Предлагаемое устроиство относится к области вычислительной техники и может быть использовано в качестве элемента памяти запоминаюцих и решающих устройств электронных вычислительных машин. 5Известен статический многоустойчивый элемент памяти, представляющий собой последовательное соединение нагрузочного резистора и полупроводниковых четырехслойных приборов - тиристоров, эмиттерные переходы 10 которых зашунтированы резисторами.Недостатком таких элементов является низкая надежность работы вследствие необходимости точного подбора составляющих тири- стор транзисторов и других компонентов 1 схем. е мент содержит последовательные кового четырехсл юго резистора по й, объединенные цительный резисто нулевого потенци ды полупроводн иборов зашунти рами.на принципиальна огоустойчивого эл парал- цепочойного 20 числу концы р подала, а иковых 25 рованы я элекемента30 Предлагаемый эл лельно соединенные и из полупроводни прибора и нагрузоч устойчивых состояни которых через допол ключены к шине эмиттерные перехо четырехслойных пр переменными резистоНа чертеже показа трическая схема мн памяти. гых выходное напряжение элемептпамяти;1, - ток четырехслойного приборавыключенном состоянии.м случае вследствие малой величинь0 Величиной Ьных можно пРенебРечь,Заказ 428/17 Изд Мв 122 Тираж 576 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раугпская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 3В режиме записи числа Ь в многоустойчивый элемент памяти по шине записи ца пего поступает такой уровень напряжения с/зап, который переводит 1 четырехслойных приборов в открытое состояние. При этом должно выполняться условие У якл (/зап. После перевода й четырехслойных приборов В открытое состояцие с/вых= НАР, Где /л - ток четырехслойного прибора в открытом состоянии. Следовательно, в зависимости от количества находящихся в открытом состоянии четырехслойцых приборов ца выходе мцогоустойчивого элемента памяти устапавливается в каждом отдельцом случае определеццый уровець дискретпого напряжения. Для хранения информации в ячейке памяти от источцика питания 4 ца четырехслойные приборы подается постоянное или импульсное напряжение. В последнем случае мощность, затрачиваемая ца храпение информации, меньше, цо при этом время повторения импульсов должцо быть меньше времени выключеция четырехслойных приборов. 4Стирание информации производится либоотключением источника питания 4, либо подачей ца шину записи 3 перепада напряжения обратцой полярности ца время, большее вре мецц выкл 1 очеция четырехслойных приборов. Мцогоустойчивый элемент памяти, содержа щий последовательную цепочку из полупроводникового четырехслойного прибора и цагрузочцого резистора, связанного с. шиной записи и источником питания, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности в 15 работе, оц содержит параллельно соедицецпые последовательные цепочки из полупроводцикового четырехслойного прибора и цагрузочцого резистора по числу устойчивых состояний, объедицеццые концы которых че рез дополцительцый резистор подключены кшине нулевого потенциала, а эмиттерцые переходы полупроводниковых четырехслойшях приборов зашуцтировацы переменными рези.сторами,

Смотреть

Заявка

1646946

А. В. Амирханов, П. Е. Кандыба, К. Ф. Комаровских, В. И. Рыбальченко, Г. И. Фурсин

МПК / Метки

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: biaцц, й1-л-3, йоксоюзная, ту-л, угг»г

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-366497-i-jjoksoyuznaya-1-tu-l-g-uggg-5-t-v-i-jj1-l-3-biacc.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">I йоксоюзная 1: , ту-л., -г, -. («; угг»г, 5 • -. -•. „, t; v i й1-л-3 biaцц;</a>

Похожие патенты