Матричное запоминающее устройство

Номер патента: 746728

Опубликовано: 05.07.1980

Автор: Фет

МПК: G11C 15/00

Метки: блоков, запоминающий, матричных, модуль, памяти

...28, а выход элемента И 15 - со вторым входом элемента ИЛИ 21, выход которого подключен к выходу 29. Первый вход элемента ИЛИ 21 соединен с выходом элемента И 16, входы которого соединены соответственно со входом 25 и через элемент НЕ 11 - с шиной настройки 10. Выход элемента И 14 соединен со вторыми входами элементов ИЛИ 17 и 18. Первый вход элемента ИЛИ 17 соединен с выходом элемента И 12, входы которого подключены соответственно ко входу 22 и к шине запрета 8. Первый вход элемента ИЛИ 18 соединен с входом 23, а выход - с выходом 27. Выход элемента ИЛИ 17 подключен к выходу 26, Первые входы элемента памяти 1 подключены к шине записи 7, вторые - к выходу элемента ИЛИ 21, третьи - к шине запрета 8, а четвертые - соответственно к шине...

Номер патента: 780035

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Ваврук, Елагин, Жижин, Тимофеенко, Филимонов

МПК: G11C 11/403

Метки: блока, динамического, информации, матричной, памяти, регенерации

...которого соединен с 40 входом счетчика 5 адреса регенерации.Устройство работает следуюцим образом.На вход блока 7 синхронизирующих импульсов постуйают сигналы СБРОС, 4 ПУСК и ЗАПРОС РЕГЕНЕРАЦИИ, По сигналу СБРОС блок 7 синхронизирующих импульсов устанавливается н исходное состояние, а элементы 3 памяти - в состояние "0 ". Если нет запросов на регенерацию, то производится работа на запись (считывание), и на управляющий вход адресного блока 1 с выхода блока 7 синхронизирующих -импульсов не поступает сигнал РЕГЕНЕРАЦИЯ. При этом адресный блок 1 коммутирует содержимое входных адресных шин 8 на выходные адресйые шины 9. С приходом сигнала ПУСК блок 7 синхронизирующих импульсов формирует строб, по которому дешифратор 2" ф) строк...

Номер патента: 2005103

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Байдаков, Блинов, Громова, Каратаев, Оркина, Прокофьев

МПК: C03C 3/32

Метки: основе, пленок, полупроводников, стеклообразных, халькогенидных

...в газовую фазу, Металлы остаются в исходном материале, не расходуясь,В таблице приведены конкретные составы исходных сплавов и свойства полученных пленок,Равномерное распределение атомов металла, находящегося в исходном стекло- образном материале на уровне размеров молекулярных форм газовой фазы, более надежно и эффективно регулирует состав компонентов паровой фазы. чем порошки серебра и меди в известном способе получения пленок, Наличие в исходном материале химически чистого металла позволяет получить пленку высокой стенки чистоты и однородности, не содержащую оксидных и оксихалькогенидных соединений, от которых ухудшаются свойства пленок, получен ных по известному техническому решению.,Материалы выполняют роль своеобразного...

Номер патента: 842966

Опубликовано: 30.06.1981

Автор: Лебедев

МПК: G11C 19/00

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...прохождениеинформационного сигнала ао входа 9 ячейки памяти через второй элемент И 4 на выход 7 ячейки памяти.Если по шине управления 9 поступаетлогическая единица то она через инвертор 5 запрещает на элементе И 3 прохождение информационных сигналов, поступающих со входа 9 ячейки памяти. Таким образом, информационные сигналы через первый элемент И 3 не пройдут на последовательно соединенные элементы 1.1 - 1.К памяти. В то же время логическая единица,поступающая по шине управления 9 разрешает прохождение информационного сигнала со входа 9 ячейки памяти через второй элемент И 4 н элемент ИЛИ 6 на выход7 ячейки памяти без задержки на какое-либо число тактов по отношению к входномусигналу. где / - число последовательно соединенных, ячеек...

Номер патента: 849308

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Каткова, Мхатришвили, Папина, Фокин

МПК: G11C 29/00

Метки: вблоках, информации, коррекции, памяти, постоянной

...массиву, размером в 4 слова, соответствует определенный разряд второго блока памяти.При этом первым 8-ми массивам соответствует 1,8 разряды, вторым 8-ми массивам 916 разряды, третьим 8"ми массивам 18 разряды второго слова и т.д. При этом, в случае внесения коррекции в одно слово или несколько слов любого массива ПЗУ. (где корректируемое слово обозначается. знаком - х), в соответствующие адрес и разряд второго блока 2 памяти записывается "1, а в противном случае "О". Кроме того, каждое слово блока 2 памяти для каждых изупомянутых восьми разрядов, содержит адрес в блоке 1 памяти первого из корректированных массивов, т,е. из числа указанных 8-ми массивов.На адресные шины 8-11 и шину 12 уст ройства в корректируемый блок 7 постоянной памяти...