Запоминающая ячейка с диодноконденсаторными вентилями

Номер патента: 924825

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Лебедев, Луцкий, Серегин

МПК: H03F 3/50

Метки: повторитель, эмиттерный

...эмиттерс положительным полюсом источника постоянного напряжения, а коллектор - сколлектором компенсирующего транзистора, эмиттер которого соединен с эмиттером входного транзистора, а база компенсирующего транзистора соединеначерез третий резистор с одним иэ выводов резистора нагрузки, один иэ выводовтретьего резистора соединен с коллектором компенсирующего транзистора, который через резистор обратной связи соединен с базой входного транзистора,На чертеже представлена принципиальная схема эмиттерного повторителя.Он содержит входной транзистор 1,основной транзистор 2, компенсирующийтранзистор 3, источник 4 переменногонапряжения, источник 5 постоянного напряжения, резисторы 6-9, резистор 10обратной связи, резистивный делитель11 напряжения,...

Номер патента: 932593

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Иванов, Матавкин, Федючок

МПК: H03F 3/50

Метки: повторитель, эмиттерный

...емкости нагрузки происходит за 3 93259 паздывание напряжения эмиттера входного транзистора 1 относительно напряжения его базы, что вызывает значительное возрастание эмиттерного тока транзистора, Этот же перепад закрывает транзистор 3, вследствие чего коллекторный ток транзистора 2 стремится к нулю, что также увеличивает скорость перезарядки емкости. Для противоположного перепада 1 ф входного сигнала аналогичный эФФект вызывает увеличение эмиттерного тока транзистора 3 и,следовательно,увеличение его коллекторного тока и коллекторного тока транзистора 2. В это 15 же время транзистор 1 закрывается и обратная перезарядка емкости нагрузки производится полным коллекторным током, транзистора 2. При этом величины токов, протекающих в...

Номер патента: 1133651

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Ленев, Марчук, Прокопенко, Тернавский

МПК: H03F 3/50

Метки: повторитель, эмиттерный

...емкостной нагрузки зарядным током ь , который передается в эмиттер первого дополнительного транзистора 6,. и далее закорачивается на первую шину 8 источника питания. В режиме заряда емкостной нагрузки напряжение коллектор - база.а 1 1133651 2Изобретение относится к радиотех-,нике и может быть использовано ввыходных каскадах усилителей, рабо":первый и второй входные транзисторы,имеющие разную структуру, к эмнттерукаждого иэ которых через отражательтока подключен непосредственно нсточ;ник стабильного тока и через диод 10кооиектор другого траиаистора 1.Однако в таком устройстве необходимым условием для повышения быстродействия является наличие симметричного выхода, соединенного с емкостной нагрузкой. При несимметричномвыходе выигрыша в...

Номер патента: 1142884

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Иванов, Федючок

МПК: H03F 3/50

Метки: повторитель, эмиттерный

...базы которых объединены и являются входомэмиттерного повторителя, эмиттер пер-рвого транзистора через источник токасоединен с первой шиной источникапитания, эмиттер второго транзисторасоединен с выходом отражателя тока,выводы питания которого подключены ук второй шине источника питания, иявляется выходом эмиттерного повтори теля, а коллектор соединен с первой шиной источника питания, введены первый, второй и третий дополнительные транзисторы, дополнительный источник тока, диодная цепь и резистор, включенный между эмитерами второго и. третьего дополнительных транзисторов, причем база второго дополнительного транзистора соединена с эмиттером.первого транзистора, коллектор которого соединен с второй шиной источника питания, а коллектор - с...

Номер патента: 1381460

Опубликовано: 15.03.1988

Автор: Скачко

МПК: G05F 1/56

Метки: основе, повторителя, постоянного, стабилизатор, эмиттерного

...рдзцм.5,1 о поступления импульсов от генераторы 15 ток стабилитрццов 6 и 7 проходит чрс. переход коллектор элюиттр трзнзис:црд 2, находящегося в состоянии насыпкюц зд счст тока базы от резистора 13.Трыцзитцр 3 удерживается ц закрытом сц тцюеюии, так как напряжение коллектор эчиттР насыаенного тРанзистоРа всег;Ес чцьпк напряжения 6 азы эчиттер однотипццп сму транзистсрз. Трын:юистцр 4 также гкрыг юцк)л 6 ызы с)т резистора 9, а трац юцлцр 5 крыт, ююоскц юькх наююряжсние наюц 6 д.и, являющееся одююцеюременно выходным ц;юпряжснисм,Ели)е,юя, о 6 рдзованцого р истцрдчи 10 и 11, чецьпк по условию выирд шчиналов эгих рзисгцрцц), км нд со лююют)ср Напряжения цсю элюиттрс трын- и юцр 1, рд 6 отднюп Гц в режиме эчцттер- ПЦЮ ЦЦНЦРИ ГСЛЯ, И Цс...