Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов

(51)5 6 11 С ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) КАНАЛ ДЛЯ П ДРИЧЕСКИХ МАГ (57) Изобретение о ной технике и мож построения запо цилиндрических ма изобретения являе мой мощности за управления. Канал жит слой 1 магнит структорско-технолоого физико-техничеСР Службин и В,Н,ПодГ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(21) 436 (22) 11.0 (46) 07.1 (71) Сп гическо СКОГО И (72) Г.ф корытов (56) Тйе гЛЕЕЕ Т 1,880,92, Бюл, В 3 циальное конбюро Донец ститута АН УС Темерти, Ю,А ВеП Яузт. Тесйп. Я., ч, 58, К гапз, Мацп, МА 6-6, М 5, 19 РОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИННИТНЫХ ДОМЕНОВ тносится к вычислительет быть использовано для минающих устройств на гнитных доменах. Целью тся снижение рассеиваесчет уменьшения токов для продвижения содероодноосного материала,1767532 5 10 15 20 30 35 40 на котором расположены первый 2, второй 3 и третий 4 электропроводящие слои, В слоях размещены отверстия 5,6 и 7, Электропроводящие слои 2 и 3 через электропроводящий слой 4 подключены к источникам 8 и 9 переменного тока, токи которых сдвинуты по фазе относительно друг друга на четверть периода. Магнитоодноосный материал расположен в постоянном магнитном поле смещения, создаваемом узлом 10, В. предлагаемом канале продвижения магИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).Целью изобретения является снижение рассеиваемой мощности за счет уменьшения токовуправления,На фиг.1 изображена конструкция канала продвижения; на фиг,2 даны временные диаграммы токов управления в трех электропроводящих слоях. За положительное направление токов принято направление снизу вверх, при котором ЦМД фиксируются у правых краев отверстий,Канал продвижения содержит слой 1 магнитоодноосного материала, на котором расположены первый 2, второй 3 и третий 4 электроп ро водящие слои, разделен н ые диэлектрическими слоями (на фигурах не показаны), Отверстия 5 в первом электропроводящем слое 2 и отверстия 6 во втором электропроводящем слое 3 смещены относительно друг друга в направлении продвижения ЦМД на половину пространственного периода и оказываютсясостыкованными противоположными краями (левый край с правым краем или наоборот в зависимости.от необходимого направления продвижения ЦМД), а отверстия 7 в третьем электропроводящем слое 4 смещены по отношению к отверстиям 5 и 6 на четверть пространственного периода в. направлении перемещения ЦМД. Траектория движения ЦМД определяется взаимным расположением указанных отверстий, включая прямолинейные участки и повороты, так как размещение отверстий относительно друг друга предопределяет последовательность магнитостатических ловушек (МСЛ). Злектропроводящие слои 2 и 3 канала продвижения через электропроводящий слой 4 подключены к источникам 8 и 9 переменного тока, токи которых сдвинуты по фазе относительно друг друга на четнитостатические ловушки образуются либо одновременно отверстиями в слоях 2 и 3, либо отверстиями в третьем электропроводящем слое 4, по которому протекает суммарный ток первых двух слоев, Благодаря этому ловушки оказываются "глубже" примерно в Л, раз по сравнению с устройством-прототипом, что позволяетуменьшить амплитудутоковуправления в Ч 2 раз. Это приводит к снижению мощности, рассеиваемой электропроводящими слоями, в 2 раза. 2 ил,верть периода. Магнитоодноосный материал расположен в постоянном магнитном поле смещения, создаваемом узлом 10.Канал продвижения работает следующим образомТоки управления, протекающие по электропроводящим слоям 2, 3 и 4 от источников 8 и 9, создают вокруг отверстий 5,6 и 7 магнитные поля. При направлении протекания тока управления снизу вверх справа от отверстия создается магнитное поле, направленное встречно полю смещения, Такая область с пониженным значением поля смещения создает в слое магнитоодноосного материала МСЛ, притягивающую ЦМД.Продвижение доменов по каналу основано на взаимодействии ЦМД с последовательно создаваемыми токами управления в слоях 2,3 и 4 МСЛ. Токи в слоях 2 и 3 выбираются из условия создания на краях отверстий 5 и 6 МСЛ равной глубины, обеспечивающей перемещение ЦМД, В связи с тем, что слой 3 расположен дальше от магнитоодчоосного материала, чем слой 2, ток в нем больше (практически на 20 - 30), За исходное состояние примем такой момент, когда в проводниках 2 и 3 токи протекают в противоположных направлениях, причем в проводнике 2 он отрицательный, в проводнике 3 положительный, а в проводнике 4 ток практически отсутствует и ЦМД фиксируются на стенках левых и правых краев отверстий 5 и 6 в позициях А (фиг,2 а). В следующий момент времени в проводнике 3 ток меняет направление на противоположное и становится отрицательным так же, как и в проводнике 2, а в проводнике 4 протекает суммарный ток положительного направления, При этих направлениях токов магнитные поля, создаваемые левыми и правыми краями отверстий 5 и 6, оказываются противоположного знака и компенсируют друг друга, в результате чегомагнитный рельеф, создаваемый токами в1767532 40 50 55 электропроводящих слоях 2 и 3 практически г 1 олностью исчезает и создается теперь только током в электропроводящем слое 4, что означает перемещение МСЛ и ЦМД на правые края отверстий 7 в позиции Б, Затем в про воднике 2 ток изменяет направление и становится положительным, в то время как в проводнике 3 продолжает протекать ток отрицательного направления, а в проводнике 4 ток практически исчезает и отверстия 7 перестают создавать МСЛ, которые вместе с ЦМД перемещаются в позиции В на правые и левые стыки соответственно отверстий 5 и 6 в электропроводящих слоях 2 и 3. После этого при неизменном токе положительного направления в электропроводящем слое 2 в слое 3 ток также становится положительным, а в слое 4 протекает суммарный отрицательный ток, в результате чего проводники 2 и 3 снова перестают создавать МСЛ, которые теперь перемещаются на левые края отверстий 7 в электро- проводящем слое 4, и ЦМД занимают позиции Г. Далее этот четырехконтактный цикл продвижения повторяется,При питании предлагаемого канала продвижения разнополярными импульсами, имеющими временные промежутки с отсутствием тока между положительными и отрицательными импульсами (фиг,2 б), ЦМД в процессе продвижения занимает еще че тыре промежуточные позиции (между А и Б, Б и В, В и Г, Г и А), когда МСЛ образовываются токами, протекающими в одном из электропроводящих слоев 2 или 3 и в слое 4. 35В случае питания канала продвижения синусоидальными токами (фиг,2 в) МСЛ неизменной "глубины" перемещается вместе с ЦМД с постоянной скоростью, определяемой частотой питания,В предлагаемом устройстве МСЛ образовываются либо одновременно отверстиями, расположенными в электропроводящих слоях 2 и 3, либо отверстиями в третьем электропроводящем слое 4, по которому протекает суммарный ток первых двух слоев, Благодаря этому МСЛ оказывается "глубже" примерно в 2 раза по сравнению с известным устройством-прототипом. Следовательно, амплитуды токов управления могут быть уменьшены в 2 раз, что приводит к снижению мощности, рассеиваемой электропроводящими слоями, в 2 раза,Формула изобретения Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов, содержащий слой магнитоодноосного материала, на поверхности которого изолировано друг от друга расположены первый, второй и третий электропроводящие слои, в первом и втором электропроводящих слоях выполнены отверстия, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью снижения рассеиваемой мощности за счет уменьшения токов управления, в третьем электропроводящем слое выполнены отверстия, причем отверстия во втором электропроводящем слое смещены относительно отверстий в первом на половину, а отверстия в третьем электропроводящем слое смещены относительно отверстий в первом и втором электропроводящих слоях на четверть пространственного периода в направлении продвижения доменов.А цг, 2 едактор Л,Купряко Корректор З.Сал каз 3550 Тираж ВНИИПИ Государственного комитета по изоб 113035, Москва, Ж, РауПроизводственн ательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 оставител хред М,М,Анике гентал Подписноетениям и открытиям при ГКкая наб 4/5