Криоэлектронный регистр сдвига

К АВТОРСКОМ исх ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИРИ ГКНТ СССР(71) Донецкий физико-технический институт АН УССР(56) Авторское свидетельство СССР М 1351472, кл. 6 11 С 11/14, 1986.1 ЕЕЕ Тгапз; Ч. Мац, В 1, с.558.(54) КРИОЭЛ ЕКТРОН НЫ Й РЕГИСТР СДВИГА(57) Изобретение относится к вычислительной технике, а точнее к регистрам, и может быть использовано при разработке заквенаю 1 цИх устройств на магнитных вихрях. Целью иэобре 689989 А 1 тения является повышение надежности регистра. Цель достигается тем, что донная часть углубления 3 в сверхпроводящем слое 2 выполнена с уклоном в направлении от первой боковой стенки углубления 3 до второй. При выключении тока продвижения все магнитные вихри 6 остаются на своих позициях 4 у второй боковой стенки углубления 3. При аварийном отключении тока во время следования очередного импульса продвижения все вихри 6 возвращаются на свои прежние позиции 4, если выключение про.изошло в первой половине импульса, или переходят на следующие, если выключение произошло во второй половине импульса. Таким образом, потери информации не проодит 3 илИзобретение относится к вычислительной технике, а точнее к регистрам, и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях,Цель изобретения - повышение надежности оегистра,На фиг 1, приведена часть криоэлектронного регистра сдвига МВ, вид в плане, на фиг.2 - разрез А-А на фиг.1, на фиг.3 - график изменения во времени тока продви- Ж 8 НИЯ,Криоэлектронный регистр сдвига содержит Диэлектрическую подложку 1, сверх- проводящий слой 2 с углублением 3, причем расстояние от поверхности подложки 1 до донной часи уГлубления 3 у вторОЙ бокОвОЙ стенки (позиция) 4, выполненной в виде треугольных зубьев, составляет 60 - 90рас- стОяния От поверхнОсти дизл 8 ктрической подложки 1 до донной части углубления 3 у первой боковой стенки (позиция) 5, выполненной в виде треугольных зубьев.В месте минимальной толщины слоя 2 позиции 4 мОГут быть занЯты маГнитными вихрями 6 или представлять собой вакансии. Позиции 5 соответствуют неустойчивым состояниям вихрей б, из которых они стремятся скатиться в места понижения слоя 2, Гокоподводы подключены к слою 2 в начале и в конце углубления, Генераторы вихрей б на входе в канал и детекторы вихрей 6 на выходе из канала условно не показаны,Регистр работает следующим образом, В начальный момент слой 2 находится в сверхпроводящем состоянии без вихрей 6, Вводят очередной вихрь б в начало углубления 3, ГД 8 Он занима 8 т ближэЙшую пОзицию 4, Подают импульс тока в.слой 2, за счет которого возникает сила Лоренца,смещающэя вихрь б поперек углубления 3 и вверх по уклону. Длительность импульса выбирается такой, чтобы вихрь 6 достиг первой боковой стенки и, взаимодействуя с уклоном зуба этои гтанки продвинулся вперед нэ ПОл шаГа сплошная линиЯ), ПроДвиГЗЯсь в утолщеннуо часть слоя 2, вихрь 6 удлиняется и увеличивает свою внутреннюю энергию, После выключения тока, вихрь скатывается по уклону дна углубления 3, уменьшая собственную энергию, взаимодействует с уклоном зуба второй боковой стенки и продвигается вперед нэ вторые полшага, занимая следующую позицию 4 (пунктирная линия).При подаче заданного числа импульсов вихрь б сдвинется на такое же количество бит-позиций. Если перед очередным импульсом тока не вводить вихрь 6 в начало углубления, то образуется вакансия, Чередование занятых бит-позиций и вакансий, сохранятся при продвижении, что позволяет использовать ихдля записи информации, приник, например, занятую позицию за "1", а вакансию - за "0".Г 1 ри выключении тока продвижения в промежутке между. импульсами все вихри б остаются на своих позициях 4 неопределенно долгое время. При аварийном отключении тока во время следования очередного импульса все вихри 6 возвращаются на свои прежние позиции 4, если выключение произошло в первой половине импульса, илипереходят на следующие, если выключение произошло во второй половине импульса.Формула изобретения Криоэлектронный регистр сдвига, содержащий диэлектрическую подложку, сверхпроводящий слой, расположенный на поверхности диэлектрической подложки, в котором выполнено углубление, на боковых стенках которого выполнены зубья, причем зубья на первой боковой стенке углубления сдвинуты относительно зубьев на второй боковой стенке углубления на половину длины зуба, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности регистра, даннаячасть углубления выполнена с уклоном в направлении от первой боковой стенки углубления до второй, при этом расстояние От поверхности диэлектрической подложки до донной части углуоления у второй(боковой)стенки углубления составляет б 0-90 расстояния от поверхности диэлектрической подложки дО дОннОЙ части углубл 6 ния у пвр вой стенки углубления,Составитель С.КоролевРедактор С,Патрушева Техред М.Моргентал Корректор Т.ЙалийЗаказ 3816 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Производственноиздэтельскнй комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 01