Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов

(5 ГОСУДАРСТВ ЕННЫ Й КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН торско-техноло- физико-техничеужбин0112,985,984,(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СЧ ЛИНДРИЧЕСКИХ МАГН НОВ(57) Изобретение относит ной технике и может быть ЦИ- МЕТЫВАН ТНЫХ к вычислителпользовано пр АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Специальное констругическое баро Донецкогоского института АН УССР(56) Заявка Японии В 60 - 4кл; 6 11 С 11/14,опублик, 1Патент США М 441230кл. 0 11 С 19/08, опублик,разработке запоминающих устроиств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение надежности устройства. Устройство для считывания ЦМД содержит магнитооднооснную доменосодержащую пленку 1, на поверхности котброй методом напыления и фотолитографии через слой 2 диэлектрика установлен первый проводник 3 элемента растяжения ЦМД, одна из продольных боковых сторон которого выполнена с вырезом 4, например, прямоугольной формы, причем длина выреза не менее диаметра ЦМД. Параллельно и сверху над проводником 3 через диэлектрик 5 расположен второй проводник 6 элемента растяжения ЦМД с вырезом 7 аналогичной формы, Далее снова1767531 35 40 45 располагается слой 8 диэлектрика и магниторезисторный считывающий элемент 9. Вырезы 4 и 7 выполнены одинаковой формы, симметричными относительно своих осей 10 и 11 симметрии. Вырезы 4 и 7 расположены по разные стороны от продольной оси 12 проводников, оси 10 и 11 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД),Целью изобретения является повышение надежности устройства.На фиг,1 изображена конструкция предложенного устройства; на фиг.2 и 3 представлено распределение магнитного поля вокруг токопроводящих проводников.Устройство для считывания ЦМД содержит магнитоодноосную доменосодержащую пленку 1 (фиг,1), на поверхности которой методом напыления и фотолитографии через слой 2 диэлектрика установлен первый проводник 3 элемента растяжения ЦМД, одна из продольных боковых сторон которого выполнена с вырезом 4, например прямоугольной формы, причем длина выреза не менее диаметра ЦМД, Параллельно и сверху над проводником 3 через диэлектрик 5 расположен второй проводник 6 элемента растяжения ЦМД с вырезом 7:аналогичной формы. Далее снова располагается слой 8 диэлектрика и магниторезисторный считывающий элемент 9. Вырезы 4 и 7 выполнены одинаковой формы симметричными относительно своих осей 10 и 11 симметрии. Вырезы 4 и 7 расположены по разные стороны от продольной оси 12 проводников, оси 10 и 11 симметрии вырезов совмещены, а точки пересечения границы выреза с его осью 13 и 14 симметрии лежат на продольной оси 12 проводников(находятся в одной плоскости),Устройство находится в постоянном магнитном поле смещения Н и подключено к источникам тока (на фигурах не показаны).В качестве диэлектрика может использоваться диоксид кремния, проводники могут быть выполнены из алюминия методами микроэлектроники (напыление сплошного слоя, фотолитография, травление), а магниторезисторный элемент - из пермаллоя,Устройство для считывания ЦМД работает следующим образом.ЦМД любым известным способом, например, двумя проводниками в форме меандра, продвигается в область вырезов 4 и 7 к 5 10 15 20 25 30 симметрии вырезов совмещены, а точки пересечения границы выреза с его осью 13,14 симметрии лежат на продольной оси 12 проводников (находятся в одной плоскости), Устройство находится в постоянном магнитном поле смещения Нсм и подключено к источникам тока, 3 ил. продольной оси 12 симметрии устройства, Затем в проводник 6 подается ток 1 такой полярности, чтобы со стороны выреза 7 создалось магнитное поле, вычитающееся из поля смещения. Одновременно в проводник 3 подается токт противоположной полярности, при этом со стороны выреза 4 также создается магнитное поле, уменьшающее поле смещения, Соотношение между токами 11 и 12 выбирается таким, при котором вне вырезов 4 и 7 происходит полная компенсация магнитного поля, создаваемого проводниками 3 и 6 (фиг.2), При этом в области вырезов происходит сложение магнитных полей, создаваемых проводниками 3,6 и направленных против поля смещения (фиг,3). В результате действия суммы этих полей ЦМД растягивается вдоль тех сторон вырезов, которые совпадают с продольной осью 12 симметрии проводников 3,6. Растянутый домен полем рассеяния перемагничивает магниторезисторный элемент 9, вызывая уменьшение его сопротивления. Так как магниторезисторная ловушка, в которой находится растянутый домен, создана замкнутым контуром тока, то она локализована в пространстве у вырезов 4,7 и ни увеличение времени действия токов 1,1, ни увеличение их амплитуды не приводит к неконтролируемому расширению домена за пределами вырезов 4,7,Формула изобретения Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов, содержащее магнитоодноосную доменосодержащую пленку, на которой расположены магниторезисторный считывающий элемент и элемент растяжения цилиндрических магнитных доменов в виде двух изолированных друг от друга проводников, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения надежности устройства, проводники выполнены прямоугольной формы и расположены один над другим, причем проекции их осей симметрии на пленку совпадают, в обоих проводниках выполнены вырезы, расположенные на противоположных боковых сторонах каждого проводника, причем оси1767531 симметрии вырезов расположены в одной вертикальной плоскости, внутренние границы вырезов расположены на продольной Ю.Розент енталрректор З,Салк Реда кто аказ 3550 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГККТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гаг 10 оставител ехред М.М оси проводников, а длина вырезов составляет не менее диаметра цилиндрического магнитного домена.