C04B 35/00 — Формованные керамические изделия, характеризуемые их составом; керамические составы

Страница 8

Способ получения сверхпроводящего материала

Загрузка...

Номер патента: 1834878

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Балашов, Максимов

МПК: C04B 35/00, C04B 35/50

Метки: сверхпроводящего

...Тп ( аСз) = 855 ОС, которая способствует поддержанию необходимого равновесного количества кислорода, Посла отмывки в этиловом спирте поверхность целевого материала или изделия ровная и гладкая.В качестве исходных использовались реагенты марки "ч", "хч" и "осч", Использо вание сульфидов меди, РЗМ, в том числе скандия и иттрия, пероксидов и нитратов щелочноземельных металлов в смеси с окислителем позволяет получать экзотермическую смесь с тепловыделением, достаточным для поддаржания температуры горения на уровне температуры плавления 980-1060 С конечного продукта. Получение сверхпроводящего плавленого материала .пМегСцзОх в режиме горения осуществляется по реакции 0,5.пгЯз+ СцгЯ+ СцО+ МеОг+ Ме(ИОз)г+ + л(СОд)з -ф .пМегСцзО+пСз+ ЯОг+ ИО...

Способ изготовления высокоплотных керамических изделий

Загрузка...

Номер патента: 1834879

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Кичигин, Лукьянова, Харинская, Чуркина

МПК: C04B 35/00

Метки: высокоплотных, керамических

...Изобретение относится к порошковои металлургии, в частности к изготовлению деталей из фторидов редкоземельных элементов, которые используются в качестве материалов для твердых электролитов в ионоселективных; датчиках. Высокая проводимость по фторид-иону обуславливается однородностью фазового состава материалов, даже незначительное отклоо нение от которого (например, наличие кислородсодержащей фазы до 1 оь) ухудшает этот параметр примерно на два порядка. Таким образом, получаемые материалы должны быть однофаэны,Целью изобретения является обеспечение однофазности изделий.Это достигается тем, что в способе изготовления высокоплотных керамических иэделий из фторидов редких земель, включающем формование заготовки и горячее прессование,...

Способ получения сверхпроводящего соединения

Загрузка...

Номер патента: 1838242

Опубликовано: 30.08.1993

Автор: Юджин

МПК: C01F 17/00, C04B 35/00, H01L 39/24 ...

Метки: сверхпроводящего, соединения

...химия, синтез сверхпроводящих оксидных материалов. Сущность изобретения; нитрат бария, оксид меди и оксид иттрия или редкоземельного элемента смешивают и измельчают в агатовой ступке, Полученный порошок прессуют в диски. Диск помещают в печь, нагревают до 900 С, выдерживают 30 мин и охлаждают до температуры окружающей среды,продукта. Рентгенограмма показывает; чтопродукт - УВа 2 СцзОх с орторомбическойсимметрией содержит очень небольшое количество У 2 ВаСцОБ и ВаСц 02 в качествепримесей, Материал показывает эффектМейсснера при температуре примерно 90 К,указывая таким образом на температуру пе- Брехода в серхпроводящее состояние, равную примерно 90 К.Получены и другие сверхпроводящиематериалы общей формулы МВа 2 Сц 20 х, гдеМ -У, йб, Зе,...

Способ получения заготовок изделий из оксидной керамики

Загрузка...

Номер патента: 1838274

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Безруков, Бобровников, Воронежцев, Мышакова, Пинчук, Рябиков

МПК: C04B 35/00

Метки: заготовок, керамики, оксидной

...железа И (ч.ТУ 6-09 - 02-218-77) в количестве, соответственно, 0,5/, и 0,02 О/ от массы стирола и перемешивали 4 ч при комнатной температуре. 15 О мас. полученного продукта смешивали с 85 О мас. керамического порошка и перерабатывали в ленту с помощью шнекового агрегата.Заготовки деталей корпуса, вырубленные из ленты, в засыпке из оксида магния загружали в печь. Выжигание связующих проводили при скорости нагревания 4 град/мин в режиме ступенчатого нагрева с остановками подъема температуры при 180 Свыдержка (30 мин, 330 - 350 С) 40 - 60 мин и 500 ОС (20 мин). Затем при той же скорости нагревания .достигали температуры спекания: для ПГБ - 16-800 - 850 С, ВК-1500 С, С 52-1-750 - 800 С с выдержкой при этих температурах в течение 1 ч....

Способ изготовления огнеупорных изделий с внутренней полостью

Загрузка...

Номер патента: 1838275

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Горюшко, Примаченко, Устиченко

МПК: C04B 35/00

Метки: внутренней, огнеупорных, полостью

...и только после утильогообжига после выгарания термопластичной5 связки и удаления глинозема, т,е, полногоудаления пуансона, возможно было осуществить высокотемпературный обжиг изделия,Пенополистироловые пуансоны с кажущейся плотнастыа 0,047 и 0,057 г/см приданной термической обработке разрушилиогнеупорные образцы (растрескались пообразующей),При использовании рекомендуемых пе 15 нополистироловых пуансонов при их кажущейся плотности от 0,017 до 0,040 г/см притемпературах 100-150 С происходила усадка - их обьем уменьшался в 2 - 30 раз и онилегко вынимались из сырца огнеупорных из 20 делий. При таком значительном измененииобъема масса пуансонов практически не изменяется (масса уменьшилась на 0,2 - 1,4%),что свидетельствует об...

Способ переработки твердых отходов и брака производства пьезокерамики на основе цирконата-титаната свинца

Загрузка...

Номер патента: 2002719

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Дворецкая, Корнюхин, Савочкин

МПК: C04B 35/00, C04B 35/46

Метки: брака, основе, отходов, переработки, производства, пьезокерамики, свинца, твердых, цирконата-титаната

...в течение 2- 3 ч обрабатывают раствором 5 - 6 н азотной кислоты при соотношении жидкой (Ж) и твердой (Т) фаз: Ж: Т = (10-7,5): 1 (Ж - в обьемных единицах, Т - в весовых, например, л: кг, мл . г) и при температуре 90"95, после чего раствор направляют на получение ПКМ по известной осадительной технологии,Данный режим обработки обеспечиваетмаксимальную степень растворения ПКМ вусловиях одновременного протекания в системе нескольких процессов, идущих как с5 уменьшением, так и с увеличением массытвердой фазы: разрушение кристаллической решетки ЦТС, растворение продуктовреакции, образование малорастворимого вазотной кислоте нитрата свинца и гидролиз10 титана в растворе,В качестве исходного материала дляопытов была использована...

Способ получения высокотемпературных керамических сверхпроводников

Загрузка...

Номер патента: 1547241

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Волков, Кривошеин, Мощалков, Пелевин, Третьяков, Шабатин

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературных, керамических, сверхпроводников

...апд и 1,"5(гаг - Обозначениятока и сопротивления В папса 8 чном л пса"дальном направлениях соответственна.ПОрошак сверхпООВ(ДЯЦего составаУВагС(3 О 7-х, пгредставл 8 Кы; пластикчзтыми монокристаллами (0,6 + 0,2;.км,;.",;,;,78 ЗИРУОт МВТОДОМ ГВЬЕОДО(раЗНО"; Реа(ЦИИ 3СМЕСИ и КОДНЫХ ОКСИ Ов ,. Пасла(ЧЗИ;размадам гОлу енноо спе.а, М"-.,и.Г,.пОесс-формы 1, вьпол-Внн и;. Не., н,. наго материала (титан) -с: , ":;,;:-.,- В:,.:. иастат с жидким азатом, В ка;па,- - : ,дтОднородное пастОяннае ."айаг.: д,Оа (; ",епри помощл аксидно-бари-":Вь пас-, сянн,х,магнитов) напряжеОсть;:;. ат . ла 1 О к.". (Вразличных апь;тах;. Г араша св-;.ОхпоВ;."ЩВГО состава 4 засыпают в ,а;Оицу сав.-.мерно па Глошади дна, и, Оп:.;,аясь на дО матрицы, сн образует слой....

Способ получения высокотемпературных сверхпроводников с электронным типом проводимости

Загрузка...

Номер патента: 2004523

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Александров, Волков, Волкова, Ковалев, Овчинников, Фокина, Шабанов

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературных, проводимости, сверхпроводников, типом, электронным

...отжига образца 860 С выбрана экспериментально, При более низкойтемпературе МНаМОз не улетучивается пол 10 ностью, что приводит к ухудшению качествакерамики и оптимальные значения физикохимических параметров не достигаются,Увеличение температуры влечет за собойпотерю таллия, нарушение стехиометриче 15 ского состава образца; он становится двухфазным, а сверхпроводящие свойства резкоухудшаются,Время отжига 10 мин также подобраноэкспериментально, При уменьшении време 20 ни отжига не достигаются максимальныезначения физико-химических характеристик образца, при увеличении времениони резко ухудшаются. Так экспериментально установлено, что длительный отжигв течение 96 ч при 690 С приводит к резкому ухудшению свойств сверхпроводника(Тс =40...

Шликер преимущественно для формирования диэлектрических слоев керамических конденсаторов и способ его получения

Загрузка...

Номер патента: 2005112

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Костомаров, Матвиевский, Самойлов, Скачкова, Харламова

МПК: C04B 35/00

Метки: диэлектрических, керамических, конденсаторов, преимущественно, слоев, формирования, шликер

...и перемешивают смесь до однородного состояния, Керамический порошок известным образом, например в2005112 Состав 1 Состав 3 Состав 2 53,853,751,4 559 3,31,1 Керамический порошок на основе титанатов 51,8Этилцеллюлоза 4,2Дибутилфталат или олигоэфиракрилат 1,7Моноэтиловый эфир диэтиленгликоля илимонобутиловый эфир. этиленгликоля 10,1Сосновое масло или терпинеол 19,9Бензиловый спирт 10,1Триэтаноламин 2,2 9,8219,669,821,7 9,619,49,61,2 вибромельницах, диспергируют в водной среде при влажности 36-40% до достижения размера частиц не более 1,5 мкм и удаляют(например, сушкой в распылительной сушилке при 350 С) влагу до остаточной влажности0,05, Затем полученный предварительно измельченный керамический порошок смешивают с заявляемым количеством...

Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе оксида таллия

Загрузка...

Номер патента: 2005113

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Александров, Волков, Волкова, Ковалев, Овчинников, Фокина, Чернов

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературных, оксида, основе, сверхпроводников, таллия

...залючается в следующем.Оксид металла вводится в предшест венник одновременно с Т 20 з. ННЙОз и ВаГг. Введение нитрата аммония ликвидирует дефицит кислорода в образце, а введение фторида бария обеспечивает оптимальные условия кристаллизации об разца и определяет морфологию частиц; рующую добавку: в одном случае 0,2 М 2 г 02, в другом - 0,2 М НЮ 2, смесь перемешивают, прессуют таблетки и отжигают в течение 7 - 10 мин при 860 - 872 "С,На чертеже приведена температурная зависимость магнитной восприимчивости образцов полученной керамики Т 12 гз Как видно из чертежа, при модифицировании только оксидами металлов (без добавления ВаР 2) наблюдается очень малая концентрация сверхпроводящей фазы и значительное уширение сверхпроводникового...

Способ получения высокотемпературного висмутсодержащего сверхпроводника

Загрузка...

Номер патента: 1790146

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Дубовицкий, Крицкая, Макова, Пономарев, Савостьянов, Топников, Ягубский

МПК: C04B 35/00

Метки: висмутсодержащего, высокотемпературного, сверхпроводника

...(И), При этом найдено, чтопроцесс полимеризации начинается немедленно после образования смеси комплексов, проводймого простым смешиваниемААм и кристаллогидратов нитратов металлов. Вода. удерживается в образующемсясополимере.Экспериментально найдено, что нижний предел температуры (20 ОС) определяется эффективностью сополимеризации и,следовательно, резким снижением производительности процесса. Верхний температурный предел (60 С) определяется термической деградацией нитратных группв ААм-комплексах,В качестве ААм-комплексов нитратовметаллов взяты мономеры на основе В 1 (И),5 Са(И), Зй(1), РЬ(11)й Со(1)с цельюполучения ВТСП состава ВгСагЗггРЬо,з 4 СцзОзо.Экспериментально найдено, что обработку полученного металлосодержащего сополимера...

Сегнетоэлектрический керамический материал

Номер патента: 1767823

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Блохина, Наумова, Пышков, Тронин

МПК: C04B 35/00, H01G 4/12

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, включающий SrNb2O6, BaNb2O6 и Pb Nb2O6, отличающийся тем, что, с целью снижения относительного изменения диэлектрической проницаемости под действием постоянного электрического поля и снижения температуры спекания, он содержит дополнительно GeO2, B2O3 и Cu2O при следующем соотношении компонентов, мас.%:SrNb2O6 - 35,0 - 58,9BaNb2O6 - 20 - 30PbNb2O6 - 20 - 30GeO2 - 1 - 4B2O3 - 0,05 - 0,5Cu2O - 0,05 - 0,5

Способ получения сверхпроводящего материала

Загрузка...

Номер патента: 1793669

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Балашов, Максимов, Мержанов

МПК: C04B 35/00, C04B 35/50

Метки: сверхпроводящего

...образованием газообразного продукта 502. Введение оксидов меди и щелочноземельного металла понижает удельное тепловыделение системы до образования не более ЗО об. жидкой фазы, Присутствие .пероксида щелочноземельного металла (с температурой плавления около 450 С и разложением в интервале 600-800 С) обеспечивает наличие жидкой фазы в зоне прогрева перед фронтом волны горения, что способствует сохранению заданной формы изделия в процессе сйнтеза. Температура во фронте волны горения близка к температуре образования жидкой фазы ВТСП, но количество жидкой фазы для заявленных компонентовне превышает 30 об. Оь от общего объема целевого материала, Выделяющийся газообразный 302 при горении(окислении) сульфида с окислителем пронизывает...

Шихта для изготовления деталей контейнера камеры высокого давления

Номер патента: 1591411

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Белоусов, Виноградов, Ивахненко, Чипенко, Шульженко

МПК: C04B 35/00

Метки: высокого, давления, камеры, контейнера, шихта

ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ КОНТЕЙНЕРА КАМЕРЫ ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ, включающая галогенид щелочного металла и оксид, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности давления в реакционной ячейке контейнера и снижения потребляемой мощности нагрева, она в качестве оксида содержит стабилизированный диоксид циркония при следующем соотношении компонентов, об.Галогенид щелочного металла 30-95Стабилизированный диоксид циркония 5-70

Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего материала

Загрузка...

Номер патента: 1826463

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Булышев, Селявко, Серых, Шнейдер

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...материала с максимальным количеством фазы В 1-2223 методом твердофаэного синтеза. Поставленная цель достигается тем, что в способе, включающем приготовление исходного состава из оксидов В 1, РЬ, Сц и карбонатов Зг, Са, синтез и отжиг при 840-850 С в течение 50 ч, используют шихту, в стехиометрическом соотношении соответствующую составу ВИ,еРЬо,Саг+5 гг-хСцзОю, где 0,35 х0,4.Способ осуществляют следующим образом.Используется исходный состав шихты В,оРЬ 0,4 Саг+хЗгг-хСцэ 01 о, где 0,35 х (0,4,Формула изобретенияСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА, включающего фазу В 1- 2223, путем приготовления шихты из оксидов В 1, РЬ, Сц и карбонатов Яг, Са, синтеза и отжига при 840 - 850 С. который предваригельно...

Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего материала

Загрузка...

Номер патента: 1826462

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Булышев, Селявко, Шнейдер

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...на дифрактометреДРОН-ЗМ Д Сц-К Ка) показывает, что онина 95 состоят из фазы В 1-2223,20 По сравнению с прототипом, предлагаемый способ позволяет оптимизировать процесс и получить сверхпроводящий материал, содержанием до 95 офазу В 1-2223.25 Формула изобретенияСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО 30 МАТЕРИАЛА В 11,вРЬ 0,4 Са 2 Яг 2 Сц 2 010, включающий приготовление шихты из исходных соединений, синтез, охлаждение и последующий отжиг и ри 840- 860 С, отличающийся тем, что, с целью35 Составитель С. ПашковаТехред М.Моргентал Корректор О. Густи Редактор С, Кулакова Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Заказ 83 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород,...

Тригидротетрафтороктахлорвисмутат (iii) калия и способ его получения

Номер патента: 1354614

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Брилингас, Григас, Давидович, Медков, Удовенко, Харламова

МПК: C01G 29/00, C04B 35/00

Метки: iii», калия, тригидротетрафтороктахлорвисмутат

1. Тригидротетрафтороктахлорвисмутат (III) калия состава K3[BiCl6] 2KCl K[H3F4] в качестве несобственного сегнетоэлектрика.2. Способ получения тригидротетрафтороктахлорвисмутата (III) калия, заключающийся в том, что смесь хлорида калия и оксида висмута, взятых при молярном отношении 18 22 1, обрабатывают при нагревании фтористоводородной кислотой до полного растворения, после чего раствор охлаждают и выдерживают при комнатной температуре в течение времени, необходимого для выделения кристаллов целевого продукта.

Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего материала bi2sr2cacu2o8+

Загрузка...

Номер патента: 1812761

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Селявко, Шнейдер

МПК: C04B 35/00

Метки: bi2sr2cacu2o8+, высокотемпературного, сверхпроводящего

...-Новизна предлагаемого изобретениязаключается в использовании быстрозакаленныхобразцов для получения фазы 812212 методом "перекристаллизации" из аморфного состояния с оптимальным режи-У мом отжига. АяСпособ осуществляют следующим образом. Используют исходный состав шихты В 123 г 2 СаСи 2 Ов+д, который отжигают припри 940 С и выдерживают 1 ч. Полученный расплав закаливают путем быстрого охлаждения на теплопроводящей подложке при 2 ОС на воздухе. Полученный таким образом стеклообразный-образец вносят в печь с температурой 840 С и отжигают 10-12 ч.Ф о р м у л а спосов получения высокотвмд пердтурного сверхпроводящегоживают вмуфельной печи при 82 ОС в тече ние 11 ч. Затем доводят смесь до плавленияпри 2 ОС на воздухе. Полученный...

Способ получения гетероструктуры кремний-керамика высокотемпературного сверхпроводника

Загрузка...

Номер патента: 1812762

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Жучков, Толстой

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературного, гетероструктуры, кремний-керамика, сверхпроводника

...печь и прогрев ают на воздухе прия температуре 920 С в течение 1 ч, Далееыи охлаждают его, растворяют слой керамики иы измеряют их спектр пропускания пластиныь в области 1100-800 см. Наблюдают полосуго поглощения ВаБ 1 О, интенсивностью примернов 15 что говорит о 4-5 кратном уменьшенииглубины переходного слоя. Электрофизичеге ские свойства ВТСП слоя следующие:Т,=90 К, Т=77 К,ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ Заказ 20 п Подписное ВНИИПИ, Рег. ЛР йй 040720 113834, ГСП, Москва, Раушская наб., 4/Б121873, Москва, Бережковская наб., 24 стр. 2. 3Изобретение относится к химии высокотемпературных сверхпроводников и можнайти применение при создании гетероструктур кремний-высокотемпературный сверхпроводник.Целью изобретения является уменьшениглубины переходного...

Способ обработки поликристаллической керамики

Загрузка...

Номер патента: 1635488

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Имаев, Кайбышев, Мусин

МПК: C04B 35/00

Метки: керамики, поликристаллической

...в течение 10 ч в атмосфере кислорода (Рог = 1-2 атм) при 900 С, после чего печь охлаждают до 400 С со скоростью 1 град/мин. Далее заготовку выдерживают при 400 С в течение 5-6 ч. затем печь выключают и охлаждают до комнатной температуры.После указанной термообработки сверхпроводяшие свойства восстанавливаются: переход в сверхпроводящее состояние как и до деформации происходит при 94 К,Примеры выполнения предлагаемого способа по сравнению в прототипом представлены в таблице.Обработка керамики сверхпроводящего состава по режимам прототипа невозможна, образцы имеют трещины. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ при обработке керамики состава тВаКцз 07.деформирование ведут на воздухе при температуре 0,86 - 0,99 температуры ее плавления,Условия деформации...

Способ изготовления керамических изделий сложного профиля

Номер патента: 1086707

Опубликовано: 20.12.1996

Авторы: Бекренев, Клименко, Коротков, Кривега, Моисеев, Савенков, Салтанов

МПК: C04B 35/00, C04B 41/91

Метки: керамических, профиля, сложного

Способ изготовления керамических изделий сложного профиля путем нанесения на поверхность заготовки временного технологического покрытия, формирования микроканавок и удаления покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности профиля канавок сложной формы, предварительно заготовку обрабатывают по профилю, соответствующему глубине микроканавки, после нанесения временного покрытия производят вытравливание участков в местах будущих выступов, заполняют их материалом заготовки, обжигают и вытравливают оставшееся временное покрытие.

Керамический материал

Номер патента: 1436439

Опубликовано: 20.04.1997

Авторы: Зуев, Красненко, Фотиев

МПК: C04B 35/00, C04B 35/50

Метки: керамический, материал

1 Керамический материал, включающий Ta2O5 и соединение лантаноида, отличающийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости в области температур 1100 1400 С, он содержит соединение лантаноида в виде ортованадата с общей формулой MVO4, где M элемент из группы La, Nd, Gd, Dy, Yb, при следующем соотношении компонентов, мол.3 Ta2O57 45 553 MVO47 45 55

Способ получения керамического материала

Номер патента: 1826461

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Доронина, Карташов, Попов, Фотиев

МПК: C04B 35/00

Метки: керамического

Способ получения керамического материала YBa2Cu3Ox методом горячего прессования при давлении более 20 МПа, отличающийся тем, что, с целью обеспечения монофазности и повышения плотности получаемого материала, исходный порошок помещают в графитовую пресс-форму, на формообразующих элементах которой размещены прокладки из фольги тугоплавкого металла, а горячее прессование ведут в вакууме при температуре 950 - 1000oC в течение 20 - 120 мин.

Способ получения сверхпроводящего покрытия

Номер патента: 1617855

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Булатов, Рождественский, Фотиев

МПК: C04B 35/00

Метки: покрытия, сверхпроводящего

1. Способ получения сверхпроводящего покрытия для магнитной защиты жестких конструкций, включающий смешивание порошка сверхпроводящего состава на основе купратов редкоземельных и щелочноземельных элементов с раствором органической связки в органическом растворителе и нанесение на конструкции, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа, предварительно в органическом растворителе растворяют 2-20% материала конструкции от объема растворителя, а затем вводят порошок сверхпроводящего состава с размером частиц 40-180 мкм в количестве 5-60% от массы растворителя, причем конструкции выполняют из органического материала.2. Способ по п. 1, отличающийся тем,...

Защитный состав

Номер патента: 1617854

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Булатов, Рождественский, Фотиев

МПК: C04B 35/00

Метки: защитный, состав

Защитный состав, включающий смесь сверхпроводящего порошка купратов редкоземельных и щелочноземельных элементов с органическим веществом, отличающийся тем, что, с целью получения магнитной защиты в рабочем интервале температур 77-100 К, состав содержит сверхпроводящий порошок с размером частиц 40-1000 мкм в смеси с термопластичным или термореактивным органическим веществом или порошок с размером частиц 40-125 мкм в смеси с раствором пленкообразующего органического вещества в органическом растворителе при следующем соотношении компонентов, мас.%:Сверхпроводящий порошок с размером частиц 40-1000 мкм - 10 - 75Термопластичное или термореактивное органическое вещество или - 25 -...

Способ получения купритов щелочноземельных и редкоземельных элементов или висмута

Номер патента: 1828073

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Аввакумов, Киселев, Розенталь, Фотиев

МПК: C01F 11/00, C01F 17/00, C01G 29/00 ...

Метки: висмута, купритов, редкоземельных, щелочноземельных, элементов

Способ получения купритов щелочноземельных и редкоземельных элементов или висмута, включающий смешение исходных соединений меди, щелочноземельных элементов, редкоземельных элементов или висмута, разлагающихся при высокой температуре, обработку полученной смеси в режиме ударных механических нагружений с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, снижения его энергоемкости, обработку смеси в режиме ударных механических нагружений ведут с частотой следования ударов 0,8 - 10 Гц, их количеством 1 - 2 103 и интенсивностью 0,6 - 20 ГПа, а термообработку ведут при 900 - 930oC...

Материал для изготовления контейнеров сверхвысокого давления

Номер патента: 1431278

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Дорошев, Калинин, Кузнецов, Логвинов, Малиновский, Фейгельсон

МПК: C04B 35/00

Метки: давления, контейнеров, материал, сверхвысокого

Материал для изготовления контейнеров сверхвысокого давления на основе оксида магния, отличающийся тем, что, с целью стабилизации давления в реакционной камере и уменьшения теплового потока от нагревателя через стенки контейнера на пуансоны, материал дополнительно содержит оксид хрома в следующем соотношении компонентов, мас.%:MgO - 40-90Cr2O3 - 10-60

Материал для изготовления контейнера сверхвысокого давления

Номер патента: 1434711

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Дорошев, Калинин, Кузнецов, Логвинов, Малиновский, Фейгельсон

МПК: C04B 35/00

Метки: давления, контейнера, материал, сверхвысокого

Применение рутиловой модификации двуокиси титана в качестве материала для контейнера сверхвысокого давления.

Способ получения сверхпроводящего оксидного материала на основе иттрий-бариевого купрата yba2cu3o

Номер патента: 1820797

Опубликовано: 27.01.2002

Авторы: Веневцев, Калева, Косяченко, Кудинова, Политова

МПК: C04B 35/00, H01L 39/12, H01L 39/24 ...

Метки: yba2cu3o, иттрий-бариевого, купрата, оксидного, основе, сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего оксидного материала на основе иттрий-бариевого купрата (YBa2Cu3O7- ), включающий приготовление шихты путем смешения оксидов иттрия и меди, карбоната бария и оксидной титансодержащей добавки, измельчение смеси, термообработку на воздухе, помол, формование, спекание на воздухе и охлаждение с изотермической выдержкой при 400oC в течение 20 ч, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности критического тока и уменьшения ширины перехода материала в сверхпроводящее состояние при упрощении технологического процесса, в качестве оксидной титансодержащей...

Способ получения сверхпроводящей полимер-керамической композиции

Номер патента: 1835817

Опубликовано: 10.07.2003

Авторы: Гордополов, Григорьян, Зотов, Нерсесян, Савостьянов, Савостьянова

МПК: C04B 35/00

Метки: композиции, полимер-керамической, сверхпроводящей

1. Способ получения сверхпроводящей полимер-керамической композиции, включающий смешивание порошка сверхпроводящей керамики с соединением винилового типа и прессование, отличающийся тем, что, с целью улучшения физико-механических характеристик композиции при повышении производительности процесса, в качестве указанного соединения используют виниловый мономер в количестве 2,5-20 мас. %, после смешивания производят его полимеризацию на поверхности порошкообразной керамики, а прессование осуществляют взрывным воздействием при давлении 2-60 Гпа.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что полимеризацию проводят облучением Со60 дозой 30-90 кДж/кг при мощности облучения 10-30 кДж/(кг...