Керамический материал

Номер патента: 893960

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Акимов, Никифоров, Олехнович, Ракицкий, Урбанович

МПК: C04B 35/497

Метки: высокой, диэлектрической, керамический, материал, проницаемостью

...целевого продукта. Вьппе указанной величины значительно увепичивается нестехиометрнчность соединения РЬМпТаО, что приводит к снижению качества целевого продукта. Значение величины концентрации оксидов марганца, тантала и св.,нца находят аналогичным образом.Способ приготовления предлагаемо-го материала заключается в следующем,Смесь порошков иэ оксидов циркония, марганца, тантала, свинца указанногосостава подвергают обжигу при 700 о1100 С под давлением 30-60 кбар в течение 1-5 мин. Путем исследования структуры на рентгеновс.;ом дифрактоиетре УРСИМ в С 0 Кизлучении установлено что полученные образцы имеют структуру типа перовскита. ИзмеТаблица 1 Содержание, иас. Х Ком по н ен ты 57,8 57,0 60,8 55,4 РЬО 4,8 1,0 4,8 3,3 1,0 10,5 10,0 10,0...

Номер патента: 1385091

Опубликовано: 30.03.1988

Авторы: Архангельский, Железняк, Коломейцев

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...материала 35 Е- входное сопротивление измерительной ячейки.Устройство для измерения диэлектрической проницаемости материалов работает следующим образом. 40С СВЧ свип-генератора 1 через направленный ответвитель 2 подают частотно-модулированный сигнал на измерительную ячейку 3. Измерительная ячейка 3 представляет собой частично 45 заполненный диэлектриком отрезок коаксиальной линии, где исследуемый материап 10 помещают в тонкостенный диэлектрический цилиндр 9, который вместе с исследуемым материалом 10 образует подложку, на внешнюю. поверхность которой нанесен тонкопленочный поглотитель 8, включенный в разрыв центрального проводника 7 коаксиальной короткозамкнутой на конце линии.Активное сопротивление тонкопленочного...

Номер патента: 2003991

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Буданов, Евич, Калмыкова, Суслов

МПК: G01R 27/04, G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...угла образца, Таким образом,физически одноплечая антенна за счет отраф жателей в эквиваленте становится двупле 20 чей.Отличительные признаки заявляемогоустройства отсутствуют в прототипе и аналогичных технических решениях в данной и, смежной областях техники и обеспечиваютему соответствие критериям "новизна" и"существенные отличия".На чертеже приведена схема,устройст. ва для определения диэлектрической проницаемости,30 Устройство содержит генератор 1 СВЧ,выход которого подключен к соединенномус механизмом 2 перемещения и отсчета излучателю. Излучатель выполнен из отрезкадиэлектрического волновода 3, располо-.35 женного параллельно одной иэ граней исследуемого образца 4, имеющего прямойдвуграннцй угол, с зазором и...

Номер патента: 1427262

Опубликовано: 30.09.1988

Авторы: Конев, Тиханович

МПК: G01N 22/00

Метки: анизотропии, диэлектрической, малой, проницаемостью

...минимального значения максц1.1 ман К эл ГЙ, -г где Ко Кэи- коэффициенты эллиптичности суммарной электромагнитной волны для случаев, когда анализируемая составляющая СВЧ- волны измерительного канала параллельна первой и второй главным осям анизотропии; сигнала к максимальному, определяя значение коэффициента эллиптичности в данный момент времени, поскольку анализатор 8 поляризации при вращении эллипса вращателем 7 при минимальном сигнале выделяет малую ось эллипса, а при максимальном - большую. Коэффициент эллиптичности с помощью аналого-цифрового преобразователя 13 преобразуются в цифровой код и поступает на блок 15 обработки.Путем вращения с частотой Рполяризационной решетки сумматора 6 из электромагнитной волны эллиптической...

Номер патента: 1520429

Опубликовано: 07.11.1989

Автор: Амирджанян

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрической, проницаемости

...соединенные ис" точник 1 света, поляризатор 2,электроды 3 с исследуемым образцом, анализатор 4 и измеритель 5 светового потока. Все элементы расположены на одной осевой линии. 15Ячейка работает следующим образом. При отсутствии напряжения на электродах 3, т.е. отсутствии напряженности электрического поля между электродами 3, где находится испытуемый материал, а также при параллельности оптических осей поляризатора 2 и анализатора 4, диполи материала ориентированы хаотически, материал не обнаруживает аннзотропии и световые лучи проходят через поляризатор 2, материал, анализатор 4 и, в зависимости от прозрачности материалов, измеритель 5 показывает значение интенсивности светового потока (18) . Под воздействием поля диполи30...