Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего материала bi2sr2cacu2o8+

Номер патента: 1812761

Авторы: Селявко, Шнейдер

ZIP архив

Текст

Комитет Российской Федерации по патентам и товарным знакамТЕМПЕРАТУРНОГО у СВЕРХПРОВОДЯЩЕ ГО МАТЕРИАЛА В 32 г 2 СаСи 2 Ов+д. териалов. институт . прикладной физики при Иркутском госу(57) Использование: в технологии синтеза высокотемпературных сверхпроводящих, маСущность изобретения: готовят шихту стехиометрическою состава, соответственно составу материала в В 125 г 2 СаСц 203+д отжигают ее, расплавляют и закаливаютЙ на воздухе, после чего проводят термооб работку при 840845 С не менее 10 ч.- Свойства материала: процентное содержа ние фазьттвйл - 2212 составляст 70 90%. 7Изобретение относится к технологии синтеза высокотемпературных сверхпроводниковых материалов и может быть использовано для получения сверхпроводя щейции из аморфного состояния. Целью изобретения "является упрощение технологического процессам получениеобразцов 81-2212 однородных по фазе, а. ь. .е: т плавление.здкалку и термо Поогаддедгнадацедвдодшгается тем, что обработку; закалосуществляют на воздух е, а тер мообтаабрътку проводят п ри в способелдъвкддадтающем приготовление шихты; отжиг,835845 С не менее 1011 -Новизна предлагаемого изобретениязаключается в использовании быстрозакаленныхобразцов для получения фазы 812212 методом "перекристаллизации" из аморфного состояния с оптимальным режи-У мом отжига. АяСпособ осуществляют следующим образом. Используют исходный состав шихты В 123 г 2 СаСи 2 Ов+д, который отжигают припри 940 С и выдерживают 1 ч. Полученный расплав закаливают путем быстрого охлаждения на теплопроводящей подложке при 2 ОС на воздухе. Полученный таким образом стеклообразный-образец вносят в печь с температурой 840 С и отжигают 10-12 ч.Ф о р м у л а спосов получения высокотвмд пердтурного сверхпроводящегоживают вмуфельной печи при 82 ОС в тече ние 11 ч. Затем доводят смесь до плавленияпри 2 ОС на воздухе. Полученный стеклообразный образец вносят в печь при 840 С иотжигают 10 ч. . . Рентгенографическое исследованиетермообработанных образцов, проведен ное методом порошка на дифрактометре ДР 0 НЗМ (А СЦ-К а) показывает. что они на 98% состоят из фазы 81-2212. .П р и м е р 2. Образец готовят так же, какв примере 1;за исключением того, чтостеклообразный образец вносят в печь при835 С и отжигают 10 ч. Процентное содержание фазы 81-2212 достигает 90%.П р и м е р 3. Образец готовят так же. какв примерах 1 и 2, за исключением того. что стеклообразный образец вносят в печь при 845 С и отжигают 10 ч. Процентное содержание фазы, 81-2212 достигает 90%.П р и м е р 4. Образец готовят так же.чтостеклообразный образец вносят в печьП р и м е р 5. Образец готовят также. как в примерах 1-4, за исключением того. что стеклообразный образец вносят в печьПо сравнению с прототипом предлагае мый способ упрощает технологию процессапо фазе.плавлениеп закалку и термообработку,снижающийся тем. что. с целью пол учения однофазных образцов. закалкуосуществляют на воздухе, атермообработку проводят при 840 э С не менее 10 ч.А .

Смотреть

Заявка

4869133/33, 27.09.1990

Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете

Шнейдер А. Г, Селявко А. И

МПК / Метки

МПК: C04B 35/00

Метки: bi2sr2cacu2o8+, высокотемпературного, сверхпроводящего

Опубликовано: 27.04.1996

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1812761-sposob-polucheniya-vysokotemperaturnogo-sverkhprovodyashhego-materiala-bi2sr2cacu2o8.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего материала bi2sr2cacu2o8+</a>

Похожие патенты