Патенты с меткой «схемы»

Номер патента: 1608764

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Есин, Каганов, Касаткин, Пирхавка, Фомин

МПК: H01Q 3/26

Метки: диаграммообразующей, схемы

...нормировка осуществляется в блоке 17 деления напряжений. Сигнал с его выхода через коммутатор 10 с памятью поступает на управляющий вход фазовращателя 3 1-го канала. Под его действием осуществляется подстройка фазы СВЧ-сигнала до номинальной величины. Управление коммутатора 10 с памятью осуществляется по командам блока 16 управления и заключается в последовательном подключении 1 Ч его выходов к сигнальному входу, которое происходит синхронно с работой СВЧ-коммутатора 6 и НЧ-коммутатора 14. При подстройке фазового набега в 1-ом канале ДОС напряжения на всех остальных выходах коммутатора 10 с памятью поддерживаются постоянными, напряжение с второго выхода дискриминатора 13 через второй коммутатор 12 с памятью поступает на 1-й сигнальный...

Номер патента: 1624369

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Воротилов, Звягинцева, Кучеров, Сизов

МПК: G01R 31/28

Метки: неисправных, обнаружения, схемы, электрической, элементов

...менение измеряемых хара,.ернгик гг.е. обеспечивающее максимапьног зчаччие функции увствитепьности), тпк как 1 ои че1624369 10 15 20 25 30 35 45 50 55 ба, ьцн. чув; ьитег ьча(.ти на результат диа НОСтИКИ ОКаЗЫВаЮТ НЕГатИВНЬЕ ВЛИЯНИЕ раз "и но(а;Ода ",) ехи и погрешности измерений. Кроме тога, значения изменяемых алек (дческих параметров зле(е(тав должны выбираться таким образом, чтобы они не приводили к нарушению режима нормальна., функциа(ирования обьекта (превышению предельно допустимых режимов работы элементов), Количество изменяемых элекгрическ;(х параметров элементов схе;.ы и количества проводимых испытаний определяется неабходимост ю выполнения условия разрешимости задачи диагностики эгектрической схемы, что х:;рактеризуется...

Номер патента: 1626360

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Азаров, Крупельницкий, Стейскал, Степайко

МПК: H03K 5/24

Метки: входное, сравнения, схемы, токов

...устройства, прсвышающемпорог отпирания одного иэ диодов первойпары встречно включенных диодов 28, 29, квыходной шине 27 подключается резистор39 и коэффициент передачи устройства, выраженный в номинале эквивалентного резистора преобразователя ток-нэпряжение,равен(Кзкв = В 2/ /(лэКз,)Если выходной снгнал устройства продолжает увеличивать я и достигает на резисторе 39 напряжения отпирания второйпары встречно включенных диодов 40. 41, тозамыкается выходная шина устоойства через диод 40 или 41 и реэис гор 42 - входнойшиной, тем самым резко увеличивая -лубину обратной связийхв = К;Я 42(.У(Рзл Кзу).Применение двухступен .атой схеми ограничения усиления позволяет устра итьперегрузки предлагаемого устройства и в тоже время значительно сократить...

Номер патента: 1636908

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Агейков, Каттель, Мальцев

МПК: H01T 21/06

Метки: включения, восстанавливающегося, емкостного, источника, накопителя, синтетической, схемы, энергии

...искрового зазора Б, Эта величина принимается такой, при которой суммарный межэлектродный промежуток А + Б исключает возможность образования самопроизвольного электрического разряда в нем при наивысшем рабочем напряжении в схеме.Для облегчения и упрощения конструкции привода поворота изолятора 3 использован кривошипно-шатунный механизм, имеющий два фиксированных "мертвых" положения. В данной конструкции можно было бы использовать и кулисный механизм, Благодаря наличию двух "мертвых" положений в кривошипно-шатунном механизме обеспечивается четкая фиксация конечных положений подвижного электрода 1.Синтетическая схема (фиг.3) содержит источник27 испытательного тока, состоящий, как правило, из ударного синхронного генератора 28,...

Номер патента: 1202493

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Елин, Клейменов, Самров, Усов

МПК: H05K 3/00

Метки: интегральной, схемы

...выполняют егооксидирование на глубину 0,1-0,15 о)гпервоначальной его толщины с последующей термообработкой слоя при температуре 130-150"С в течение 15 -20 мин, а после оксидирования навсю глубину незащищенных участковслоя алюминий-медь проводят дополтельную термообработку при температуре 200-300 С в течение 1,5-2 ч,следовательно нанесены слои 2 докиси кремния, слой 3 раэвсщки изсплава алюминий-медь, на поверхносткоторого сформирован слой 4 окисиалюминия, маска 5 из фоторезиста,маска 6 из окиси алюминия, схема 7разводки, слой 8 двуокиси кремния,магнитопленочные аппликации 9 иэ пермаллоя.П р и м е р. На подложку 1 с доме. носодержащей структурой наносят слой 2 двуокиси кремния ппаэмохимическим осаждением в ВЧ разряде, На-пыпяют слой 3...

Номер патента: 1674294

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Агеев, Зайцев

МПК: H01L 21/48, H01L 21/60

Метки: интегральной, монтажа, носитель, схемы

...относится к микроэлектронике, в частности к носителям для монтажа интегральных схем,Цель изобретения - повышение надежности и снижение трудоемкости.На чертеже представлена конструкция носителя.Носитель содержит диэлектрическое основание 1 с окном 2 и парами противолежащих плоских металлических выводов 3, выполненных в виде единой токоведущей полоски,Носитель работает следующим образом.Носитель накладывают на поверхность кристалла диэлектрическим основанием 1 так, чтобы контактные площадки кристалла расположились в окне 2, а металлические выводы 3 проходили над контактными площадками. Металлические выводы присоединяют ультразвуковой сваркой к контактным площадкам кристалла.Выполнение плоских металлических выводов 3 в виде единой...

Номер патента: 1679425

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Загороднев, Проскурнин

МПК: G01R 35/04

Метки: активной, включения, правильности, проверки, схемы, счетчика, трехэлементного, электроэнергии

...17 и 18, которые срабатывают по переднему фронту приходящего импульса и на выходе формируют положительный импульс длительностью = 3 мс (2,94 мс),Формирователи ".9-22 длительности импульсов по заднему фронту импульсов с выходов формирователей 13-16 формируют такие же импульсы длительностью = 3 мс. Длительность импульсов с выходов формирователей прямоугольных импульсов остается постоянной независимо от индуктивности сети, Положение выходных импульсов формирователей 7, 9 и 11 каналов напряжения при правильно включенном счетчике не изменяется, а положение выходных импульсов формирователей 8. 10 и 12 токовых каналов изменяется в зависимости от сов р, обеспечивая тем самым изменение длительности импульсов совпадения на элементах И 23-25...

Номер патента: 1691912

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Чернышов, Эгнер

МПК: H01L 23/12

Метки: двухкристальной, интегральной, корпус, схемы

...и сверху соответственно.Корпус двухкристалльной ИС содержит металлокерамические крышку 1 и основание 2, соединенные герметичным паяным швом 3, в основании 2 имеются выемки 4, расположенные с двух сторон основания, выводы 5 от металлокерамической крышки 1 расположены между группами выводов 6 от.Я 21691912 А 1 крышка и основание со смонтированн кристаллами проходят проверку парэ ров и соединяются в одну конструкц образованием общего герметичного об так, что кристаллы располагаются один другим. В основании имеются выемки, положенные с двух сторон основания воды от металлокерамической кры расположены между группами вывод основания. Металлокерамическая кр имеет по сравнению с основанием б длинные выводы, которые проходят на те выемки в...

Номер патента: 1705789

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Загороднев, Калинин, Маковецкий, Паршин

МПК: G01R 35/04

Метки: активной, включения, двухэлементного, правильности, проверки, схемы, счетчика, трехфазного, электроэнергии

...на фиг.2 - векторная диаграмма токов и напряжений при правильном включении счетчика и зоны изменения фазовых токов при изменении характера нагрузки; на фиг.3 изображены временные диаграммы напряжений и токов контролируемой сети дял активной нагрузки и временные диаграммы напряжений функциональных устройств при правильном включении счетчика для активной нагрузки (диаграммы 4-12; при этом номеру функционального устройства на схеме фиг,2 соответствует временная диаграмма с тем же номером на фиг,3), для индуктивной нагрузки с О = 55,диаграммы 4,5 - пунктиром, 6 - пунктиром, 7,8,9,10,11, 12 ), для емкостной нагрузки с р = 25 (4,5 - штрихпунктиром, 6 - штрихпунктиром, 7,8,9,10,11,12) при повороте вектора Осд на 15, что соответствует...

Номер патента: 1707655

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Автономов, Корсаков, Мишачев, Седунов, Уздовский

МПК: H01L 21/44

Метки: интегральной, схемы, элемент

...образом.На первый металлический электрод 2,расположенный на полупроодниковой подложке 1, подается импульсное напряжениеО, например, значением до 5 В, за счетемкостной связи между электродами 2 и 4подложки 1 и платы 5 на втором металлическом электроде 4 платы 5 возникает импульсное напряжение, значение которогоопределяется отношением емкостей, однаиз которых является паразитной емкостьюэлектродом 4 платы 5 и землей (С 2), а вторая- емкость между электродами 2 и 4 (С). Всостав емкости С", входит и входная емкостьприемника сигала, например затвораМОП-транзистора, подсоединенного к элекРоду 4 платы 5,Значение напряжения на электроде 4платы 5 (О 2) равноЧ 1О 21+В реальных устройствах отношение емкостьюне превышает единицы, поэтомуСО 2...

Номер патента: 1711273

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Гончарук, Сухоставец

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральной, сборки, схемы

...20 статическом поле и без него, а также другие,где создается аэродинамическое воздействие на коммутационные проводники, малопригодны в технологии массовогопроизводства ИС, так как необходимо мак 25 симально локализбвать область распыленияи одновременно исключить давление накоммутационные проводники.В основе способа лежит свободное рассеяние электризованных частиц порошка в30 непосредственной близости над защищаемой поверхностью, Фторопласты, обладаявысоким электрическим сопротивлением,очень хорошо электризуются при интенсивном перемешивании, Для реализации пред 35 лагаемого способа в бункер виброситазагружают тонкодисперсный порошокфторполимера и возбуждают колебания,причем частота и форма колебаний таковы,что обеспечивается...

Номер патента: 1712907

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Жук, Омельченко, Разлом

МПК: G01R 31/04, G01R 31/303

Метки: выводов, интегральной, контактирования, схемы

...ключ:11 не срабатывает, светодиод 12 не выключается, сигнализируя о соответствующей причине отказа, с выхо да элемента И 14 команда начала измерения и установки устройства в исходное состояние не поступает.Генератор имйульсов работает в составе устройства следующим образом.55 ГеНератор, собранный на элементах 1820 и конденсаторе 26, начинает работать, как только на схему устройства подается напряжение питания. Импульсный сигнал подается на один из входов элемента 23 и через элемент 2 И-НЕ 21. выполняющийфункцию инвертора, на один из входов элемента 22, то есть на входах элементов 22 и 23 присутствуют противофазнце импульсные сигналы,После запуска. устройства формирова тель сигналов . правления 5 на вход генератора импульсов 6 подает...

Номер патента: 1714556

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Князев, Репин, Свириденко, Тимонина

МПК: G02B 6/30

Метки: волоконного, интегральной, оптической, световода, соединения, схемы

...конструкцию, содержащую, кроменеобходимых ИОС, ВС и корпуса, дополнительные дорогостоящие детали - опорныеэлементы ВС,35 Известное устройство имеет высокуютрудоемкость изготовления и юстировкиопорных элементов и недостаточнуюточность выполнения.канавок в опорныхэлементах, так как для оборудования, обес 40 печивающего изготовление шаблонов, прецизионные линейные перемещениянармируются только погрешностью шага,т,е, погрешностью от пуска до остановкикоординатного перемещения. Набегающая45 погрешность увеличивается при этом с каждым новым каналом, и изготовление многоканальныхсборок ИОС - ВС таким образомведет к снижению точности стыковки сопрягаемых каналов, Таким образом, высокая50 трудоемкость сложных прецизионныхюстиравочных устройств...

Номер патента: 1723683

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Сконечный, Спокойный, Трофимов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: интегральной, охлаждения, схемы

...ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ(57) Изобретение относится к радиоэлектронной аппаратуре, в частности к устройствам охлаждения интегральных схем, Цель изобретения - повышение эффективности охлаждения - достигается тем, что в устройстве, включающем радиатор с тупиковыми полостями между его ребрами, тупиковые полости выполняются глубиной, не превышающей расстояния между ребрами радиатора. 4 ил,этого из сопл воздуховода происходит истечение струй воздуха в тупиковые полости ребристого радиатора, что обеспечивает отвод тепла, которое поступает к радиатору от интегральной схемы.В устройстве радиатор изготавливается из алюминиевых сплавов литьем под давлением или из проката соответствующего профиля. Воздуховод с соплами может быть изготовлен из жести...

Номер патента: 1742971

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Брискин, Грудников, Синдаловский, Черницкий

МПК: H02M 7/537

Метки: интегральной, источник, питания, схемы, часовой

...18, затвор и сток транзистора 17 объединены и также подключены к выходу ГСТ. а истоки этих транзисторов подключены к общей шине 13, сток транзистора 15 подключен к аноду диода утечки б, а сток транзистора 16 к затвору и-канального транзистора 10,Кварцевый генератор (фиг, 3) содержит р-канальный транзистор 19, и-канальный транзистор 20, резистор обратной связи 21, кварцевый резонатор 22, входной конденсатор 23 и выходной конденсатор 24,Источник питания (фиг.1) работает следующим образом, При включении напряжения питания по шинам 13 и 12 на затвор р-канального транзистора 8 через развязывающий резистор 9 подается опорное напряжение, сформированное на и-канальном транзисторе 10 в диодном включении. Величина этого напряжения определяется...

Номер патента: 1750012

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Бурунин, Московская

МПК: H02P 1/32

Метки: асинхронного, звезда, обмотки, обратно, переключения, статорной, схему, схемы, треугольник, трехфазного, электродвигателя

...входкоторого соединен с входом одновибратораи выходом ключевого элемента.На чертеже приведена блок-схема устройства,Устройство для переключения статорной обмотки трехфазного асинхронногоэлектродвигателя (АД) 1 содержит измерители 2 и 3 активной и реактивной мощностей, два сумматора 4 и 5, два интегрирующих звена 6 и 7, два пороговыхэлемента 8 и 9, логический элемент ИЛИ 10, логический элемент ЗАПРЕТ 11, ключевой элемент 12, одновибратор 13, управляемый переключатель 14. Выходы измерителей 2 и 3 активной и реактивной мощностей соединены с входами сумматора 4, выход которого соединен с входами интегрирующих звеньев 6 и 7 и входом порогового элемента 9, Выходы интегрирующих звеньев 6 и 7 соединены с входами сумматора 6, выходО(1) К 1...

Номер патента: 1803884

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Зинин

МПК: G01R 27/26

Метки: емкости, замещения, конденсатора, напряжение, схемы, трехэлементной

...содержит генератор синусоидального напряжения с частотой, изменяющейся по линейному закону 1, соединенный через резистор 2 с инвертирующим входом операционного усилителя 3; в цепь отрицательной обратной связи которого включен исследуемый двухполюсник 4, содержащий емкость 5, включенную последовательно с параллельно включенными емкостью б и активным сопротивлением 7, Выход операционного усилителя 3 соединен с фазовым детектором 8, который соединен с интегратором 9 и генераторомсинусоидального напряжения с частотой, изменяющейся по линейному закону 1.Интегратор 9 соединен с делительным устройством 10, связанным через преобра зователь переменного напряжения в постоянное 11 с генератором синусоидального напряжения с частотой,...

Номер патента: 1812578

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Александров, Ильюк, Молчанов, Пенцак, Сарапин

МПК: H01L 21/60

Метки: интегральной, коммутационный, проводник, схемы

...дорожек 1, разме- рядка(1.2) 10 Н м . Поэтому предлагается щенных между защитным покрытием 2 и для компенсации этих напряжений пере- изолирующей пленкой 3, расположенной на мычки располагать попеременно с каждой полупроводниковой подложке 4, Соседние стороны токопроводящей дорожки, т.е, в дорожки соединены токопроводящими пе-шахматном порядке,ремычками 5, При количестве дорожек 1 бо- . Предложенную конструкцию прбводнилее двух перемычки 5 расположены в ка целесообразно использовать для комму- шахматном порядке, Токопроводящие дотации наиболее нагруженных элементов рожки 1 соединяюткоммутируемыеэлемен- интегральной схемы. При этом перемычки ты А и В (фиг,2). при наличии дефектных повышают надежность проводника, кото- областей С...

Номер патента: 1819804

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Реентович, Смирнов

МПК: B64C 15/02

Метки: осям, пакетной, ракет-носителей, рыскания, схемы, тангажа

...отмеченные качества управления Рн приобретает при достаточно совершенном бортовом вычислительном комплексе, включенном в логику работы системы управления,Рассмотрим подробное описание способа управления по осям тангажа и рыскания ракет-носителей пакетной схемы на примере его возможной реализации, Способ поясняется фиг, 1 и 2,Ракета-носитель, где реализуют предлагаемый способ, содержйт(см. фиг. 1) центральный блок 1, боковые ракетные блоки 2, ВСП 3 и НСП 4 шестеренчатого типа, причем ВСП 3 имеет силовой желоб 5, по которому перемещают водило 6, связывающее. боковые ракетные блоки 2 с центральным 1, причем боковые ракетные блоки 2 по силовым поясам 3 и 4 перемещают по периметру Рн и параллельно ее продольной оси на одну...

Номер патента: 1831763

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Бурунин, Московская

МПК: H02P 1/32

Метки: асинхронным, звезда, обмоток, обратно, переключения, путем, схему, схемы, треугольник, трехфазным, электродвигателем

...сигнала мисторы 6 - 10 выключены, 3-5 отключены и двигатель1831763 Составитель В. ДроздовТехред М,Моргентал Корректор П, Гереши актор Л, Волкова Тираж Подписноерственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Заказ 2554 ВНИИПИ оизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Г а. 101 Пусть двигатель работает на схеме звезда, что соответствует включенному состоянию симисторов 1 - 2. При подаче сигнала управления на переключение статорной обмотки со схемы звезда на схему треугольник сначала отключают симистор 6 в момент перехода тока в нем через нуль и в момент нулевой разности потенциалов между концом первой 3 и началом третьей 5 фазных обмоток включают симистор 10,...

Номер патента: 1837037

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Колесников, Побежимов

МПК: B64D 27/20, F02K 7/02

Метки: u-образной, аппарат, воздушно-реактивным, двигателем, летательный, пульсирующим, схемы

...относится к авиационной технике, в частности к летательным аппаратам с пульсирующим воздушно-реактивными двигателями,Целью изобретения является снижение аэродинамического сопротивления и улучшение скоростных характеристик двигателя,На чертеже изображен летательный аппарат с пульсирующим воздушно-реактивным двигателем О-образной схемы.Летательный аппарат содержит фюзеляж 1, крыло 2, вертикальное 3 и горизонтальное 4 оперения, воздухозаборник 5 охлаждения, пульсирующий двигатель 6 с аэродинамическим клапаном 7, камерой сгорания 8 и соплом 9. Двигатель 6 расположен таким образом, что воздухозаборник 10 клапана 7 плотно состыкован с фюзеляжем 1, а между соплом 9 и фюзеляжем 1 образован кольцевой зазор для выпуска охлаждающего воздуха....

Номер патента: 2000251

Опубликовано: 07.09.1993

Автор: Краснов

МПК: B64C 39/12

Метки: аппарат, летательный, схемы, утка

...или плаперонов, в результате чего ЛА обладает слишком большой несущей площадью.Целью изобретения является увеличевозможного угла отклонения закрылка флаперонов, за счет чего можно 5 сократить несущую площадь Л,Ю 2000251 С чается в том, что летательный апп мы "Утка" содержит переднее гор ное оперение и монопланное снабженное эакрылком или флам Переднее горизонтальное оперен нено по бипланной схеме. Изобре зволяет увеличить воэможн отклонения закрылка или флапер счет чего можно будет сократить площадь летательного аппарата. 1 Цель достигается тем, что ПГО выполнено по бипланной схеме.На чертеже представлена аэродинамическая компоновка летательного аппарата схемы "утка",ЛА содержит переднее горизонтальное оперение, состоящее из...

Номер патента: 2002200

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Бирюков, Козак, Макарычев, Перельман, Соловьев

МПК: B64G 5/00, F42B 15/00

Метки: пакетной, ракеты-носителя, старта, схемы

...11 еобходимости работ в 11 епасредстве 11 иай близости от подготовленной к ста 1 ту РН,Кроме того, предварительиа 51 расстыковка коммуникаций между РН и наземным оборудованием не позволяет оперативна влиягь иа работу РН вслучае аварийного прекращения ее запуска, например, длл предотвращения аварийной ситуации,Технической задачей, решаемой изобретением, является приближение моме 11 тв расстыковки коммуникаций мекду РН и наземным оборудованием к фактическому моменту старта РН, что позволит оперативно управлять РН в случае аварийного прекращения старта и повысить надежность и безопасность восстановительных работ в случае, когда коммуникации ие рассть 1 каваны. СПОСОБ СТАРТА АКГРЫ-НОСИРЕЛЯ ПАКЕТНОЙ С)(ЕМЫ, включающий расстыковку коммуникаций...

Номер патента: 2003207

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Пырченков

МПК: H01L 27/12

Метки: гибридной, интегральной, схемы

...планарной структуры, охлаждают структуру до затвердевания расплава и отделяют промежуточныйноситель. Затем Формируют .ФотолитограФией многослойную коммутацию.В результате погружения кристаллов МС в эвтектический расплав образуется прочное соединение этих элементов между собой и со сплавом, чем достигается высокая механическая прочность многокристальной структуры и надежнрсть ГИС (гибридная интегральная схема). При погружении кристаллов МС в расплав происходит плотное заполнение зазоров между кристаллами, и на стыках кристалл-металл микрорельеф высокого качества за счет приплавления кристаллов, что также новышает надежность устройства.Кристаллы, смонтированные на подложке в застывшем расплаве, находятся в одинаковых условиях для отвода...

Номер патента: 1759197

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Желтышев, Коннов, Кутырева, Лупал

МПК: H01L 29/73

Метки: входной, интегральной, планарно-эпитаксиальной, схемы, элемент

ВХОДНОЙ ЭЛЕМЕНТ ПЛАНАРНО-ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ, содержащий изолированную область с активным элементом, две изолирующие области первого типа проводимости, между которыми расположена третья изолирующая область второго типа проводимости, внутрисхемные соединения и общая шина, отличающийся тем, что, с целью снижения токов утечки, в третьей изолирующей области сформирована дополнительная область второго типа проводимости с концентрацией, превышающей концентрацию третьей изолирующей области, при этом первая и вторая изолирующие области соединены с дополнительной областью и общей шиной.

Номер патента: 1491262

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Белохвостикова, Дединец, Дубровская, Филатов

МПК: H01L 21/265

Метки: арсенид-галлиевой, интегральной, схемы

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ на структурах n+ - n - i - типа, включающий анодное окисление n+ - слоя по всей поверхности пластины за исключением областей истока и стока полевых транзисторов путем маскирования этих областей слоем двуокиси кремния, создание омических контактов на основе металлизации AuGe, формирование изоляции активных областей транзисторов протонной бомбардировкой с использованием в качестве защитного покрытия над активными областями полевых транзисторов фоторезистивной маски, формирование алюминиевых затворов, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий путем улучшения электрических параметров транзисторов, после проведения анодного окисления...

Номер патента: 1830843

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Власов, Загайнов, Костенко, Наумов, Суханов, Тарасов, Шенфинкель

МПК: B64C 13/04

Метки: движением, крылом, обратной, продольным, самолета, способа, стреловидности, схемы, утка

...щитки работаликал единый орган управления с эффективностью в 2 Ч определяется отношением их эффективностей К = вд ггФв,")" )пц Приуглах атаки а15 переднее горизонтальное оперение теряет эффективность при отклонениях вверх (на калибрование).Поэтому для сохранения прежнего уровня управляемости сигнал управления посредством второго нелинейного блока функционального преобразования 12, соединенного с третьим сумматором 11, подается на сервопривод хвостовых щитков 13, отклоняя их вверх, что вызывает появление момента на кабрирование. Работа второго нелинейногоблока 12 задается соотношением, определяющим его выход д через сигналы отклонения оперения дп, о и угол атаки ад(а, й ) =-й +1 де(а, Бп,г.с 2п.г.о п.г,оп.г.о50где Р/(а, дп.г,о )...

Номер патента: 1093184

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Манжа, Мирошников, Патюков, Чистяков, Шурчков, Щербинин

МПК: H01L 27/02

Метки: изоляцией, интегральной, комбинированной, структура, схемы, элементов

СТРУКТУРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ С КОМБИНИРОВАННОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, содержащая сформированные в кремниевой подложке области с эпитаксиальным и скрытым слоями, боковая изоляция которых выполнена в виде слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный и скрытый слои и часть подложки, а изоляция донных участков скрытого слоя с подложкой в виде p n-перехода, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности компоновки элементов и увеличения быстродействия интегральных схем, слои диэлектрика погружены в подложку на глубину не менее ширины области с объединенным зарядом донной части p - n-перехода между скрытым слоем и подложкой.

Номер патента: 1487703

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Глушан, Калмычек, Курейчик, Рябец

МПК: G06F 17/00

Метки: задачи, плоскости, размещения, решения, схемы, элементов

Устройство для решения задачи размещения элементов схемы на плоскости, содержащее генератор тактовых импульсов, блок памяти топологии графа, блок памяти, элементы И, группу элементов И, группу элементов ИЛИ, блок регистров, элементы задержки, первый буферный регистр, сумматор, два распределителя импульсов, блок формирования перестановок, первый триггер, вычитатель, схему сравнения, элемент ЗАПРЕТ, первый коммутатор, шифратор, дешифратор и блок умножения, входы множимого которого соединены с выходами вычитателя, а вход множителя с выходом дешифратора, вход которого соединен с выходом шифратора, информационный вход устройства соединен с информационным входом блока памяти топологии графа, выход генератора тактовых импульсов соединен с...

Номер патента: 1826819

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Аветисян, Вето, Крюков, Морозов, Степанов

МПК: H01L 21/50

Метки: гибридной, сборки, схемы, фоточувствительной

Способ сборки гибридной фоточувствительной схемы, включающий размещение и крепление на горизонтальной плоскости предметного столика первой кросс-платы с линейкой фотоприемников, платы коммутатора, второй кросс-платы и платы разъема, последовательное соединение микросваркой проволочными проводниками контактных площадок линейки фотоприемников с контактными площадками на первой кросс-плате, контактных площадок на первой кросс-плате с контактными площадками на плате коммутатора, контактных площадок на плате коммутатора с контактными площадками платы разъема, и контактных площадок платы разъема при перемещении предметного столика в двух взаимно перпендикулярных направлениях и вращении его вокруг вертикальной оси, отличающийся тем, что, с целью...