Способ изготовления интегральной схемы
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(Я)5 Н 05 К 3/00 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ У 2753 Я ИНТЕ несени носодероя иэ спл олитографиодников,участковглубину,ни-ву ится к вычислиастности, к спозобретение отн ной технике, в цилиндо устроиства н нитных доменах бретения являеоминающе ических ся упроесса, что ение технол ческ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Патенткл. 365-39,Патент СШкл. 204-15,(54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН 1 РАЛЬНОЙ СХЕМЫ) включающий на слоя двуокиси кремния на доме жащую структуру, нанесение сл ва алюминий-медь) первую фот для фОрмирования схемы пров оксидирование незащищенных слоя алюминий-медь на всю собам изготовления интегральных с позволяет повысить процент выхода годных схем за счет упрощения процесса формирования планарной поверхности при изготовлении интегральной схемы с доменосодержащей структурой,На фиг,1-8 показана последовательность выполнения операций при изготовлении интегральной схемы, где изображены подложка 1 схемы с доменосодержащей структурой, на которую по.80, 126249 А 1 последовательное нанесение пассивирующего слоя из двуокиси кремнияи слоя пермаллоя, вторую фотолитографию для формирования схемы магнитопленочных аппликаций из пермаллоя и удаление маски фоторезиста,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью упрощения технологическогопроцесса, после нанесения слоя изсплава алюминий-медь выполняют егооксидирование на глубину 0,1-0,15 о)гпервоначальной его толщины с последующей термообработкой слоя при температуре 130-150"С в течение 15 -20 мин, а после оксидирования навсю глубину незащищенных участковслоя алюминий-медь проводят дополтельную термообработку при температуре 200-300 С в течение 1,5-2 ч,следовательно нанесены слои 2 докиси кремния, слой 3 раэвсщки изсплава алюминий-медь, на поверхносткоторого сформирован слой 4 окисиалюминия, маска 5 из фоторезиста,маска 6 из окиси алюминия, схема 7разводки, слой 8 двуокиси кремния,магнитопленочные аппликации 9 иэ пермаллоя.П р и м е р. На подложку 1 с доме. носодержащей структурой наносят слой 2 двуокиси кремния ппаэмохимическим осаждением в ВЧ разряде, На-пыпяют слой 3 разводки иэ сплава алюминий-медь, Проводят пассивирование этого слоя в растворе 2-37-ной щавелевой кислоты при плотности токэ// ( Г г 1 /l 1 Уу У 1 г г едактор Е, Гиринская Техред рректор Н. Ревска якова каз 3128 НИИПИ ГосудТираж. 510 твенного комитета по 113035, Москва, Жоизводственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,1 0,3-0,5 мА/см методом анодного оксидирования в течение времени, когда напряжение (3-5 В) между анодом и катодом достигнет установивщегося значения. Глубина пассивированного слоя, то есть слоя 4 окиси алюминия, составляет 0,1-0,15 первоначальной толщины слоя разводки (Фиг.1-3),Выполняют термообработку слоя окиси алюминия при температуре 130- 150 оС в течение 15-20 мин. Формируют маску 5 из фоторезиста и проводят анодное оксидирование незащищенных участков слоя алюминий-медь на всю глубину в растворе 2-3%-ной щавелевой кислоты при плотности тока 0,30,5 мА/см при напряжении между электродами 3-5 В в течение времени, пока ток в цепи не примет нулевое значение (фиг, 4-5),Удаляют маску из фоторезиста. Проводят дополнительную термообработку 10 при температуре 200-300"С в течение1,5-2 ч, напыляют слой 8 иэ двуокисикремния, на который наносят слой 9пермаллоя, выполняют вторую фотолитографию и формируют магнитопле ночные аппликации. Подписноеобретениям и открытиям при ГКНТ СССРРаушская наб., д, 4/5
СмотретьЗаявка
3691358, 16.01.1984
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5594
ЕЛИН А. Я, КЛЕЙМЕНОВ В. С, САМРОВ Н. П, УСОВ Н. Н
МПК / Метки
МПК: H05K 3/00
Метки: интегральной, схемы
Опубликовано: 23.07.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1202493-sposob-izgotovleniya-integralnojj-skhemy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления интегральной схемы</a>
Способ изготовления термочувствительных элементов из сплавов системы медь алюминий
Номер патента: 1737014
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Бондарь, Данильченко, Коваль, Неганов
Метки: алюминий, медь, системы, сплавов, термочувствительных, элементов
...лучом участков монокристалла,Воэможность формирования температурочувствительного сигнала основана на явлении изменения селективности отражения видимого света сплавов системы медь - алюминий при мартенситном переходе. В 3 -состоянии поверхность сплава отражает видимый свет преимущественного в желтой области спектра, а в мартенситном состоянии - в красной области. Разница цвета поверхности сплава в указанных состояниях оказывается достаточной для фиксирования их по видимому спектру, например, с помощью спектрометра или визуально, Один температурочувствительный элемент может формировать сигнал о достижении температур начала М и конца М прямого мартенситного превращения (при охлаждении) и начала А и конца А, обратного мартенситного...
Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах
Номер патента: 1736304
Опубликовано: 20.03.1998
Авторы: Валеев, Волк, Воротилов, Петровский
МПК: H01L 21/324
Метки: диэлектрического, изолирующего, интегральных, металлизации, многоуровневой, планаризации, слоя, схемах
Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах, включающий нанесение плазмохимическим методом на поверхность интегральной схемы с металлизацией первого слоя диоксида кремния, последующее нанесение пленкообразующего спиртового раствора тетраэтоксисилана, отжиг при 100-150oC при нагревании со стороны подложки с образованием планаризующего слоя диоксида кремния, плазмохимическое травление этого слоя, нанесение второго слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества планаризации за счет устранения растрескивания и отслаивания слоев диоксида кремния, нанесение пленкообразующего раствора производят при температуре подложки 40-60oC, а отжиг...
Способ получения на поверхности меди слоя закиси меди
Номер патента: 22158
Опубликовано: 31.08.1931
Автор: Комовский
МПК: H01L 21/16
Метки: закиси, меди, поверхности, слоя
...для выпрямления переменного тока в по-стоянный является получение на поверх-ности составляющих эти выпрямители медных пластин однородного ровного , слоя закиси меди (Ся 2 О) Нагреванием , пластин в пламени или в печи получить, этот слой одинаковым по всей поверхности не удается. Путем применения 1 предлагаемого способа имеется в видув возможно короткий срок получить намедной пластине достаточно толстый,ровный и прочный слой закиси меди.Способ состоит в следующем. Хорошо очищенные и полированные медные пластинки опускают на 5 - 10 минут в ванну, состоящую из расплавленного азотистокислого калия (ХЛО.) или натрия. Для того, чтобы ванна все время была достаточно активна, к ней время от времени прибавляют в небольшом количестве той же...
Способ предохранения канала огнестрельного оружия от разгара, путем нанесения на поверхность канала защитного слоя из меди или ее солей
Номер патента: 25825
Опубликовано: 31.03.1932
Автор: Гартц
МПК: C23C 18/54, C23F 15/00
Метки: защитного, канала, меди, нанесения, огнестрельного, оружия, поверхность, предохранения, путем, разгара, слоя, солей
...металла канала орудия, согласно изобретению %, предлагается предварительное покрытие у А. А. Гартца, заявл(заяв, свпд,27168). иубликовано 31 марта 1932 слоем меди поверхности канала орудия (например по способу ТЬоора - пульверизация), смазывание канала раствором коллоидной медью или раствор ом ее со лей. Наиболее удобным, по мнени ю автора,является применение коллоидной меди.Процесс обращения меди в коллоидальное состояние может быть воспроизведен различно, но для предлагаемых целей наиболее простым является способ электрического распыления при помощи вольтовой дуги по методу Бредика.Если взять медную проволоку вместо электродов и между ними получить дугу, то медь очень легко распыляется током, Проволочки погружаются в минеральное...
Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия алюминия
Номер патента: 1127466
Опубликовано: 20.06.2000
Автор: Болховитянов
МПК: H01L 21/208
Метки: алюминия, арсенида, галлия, наращивания, слоев, эпитаксиального
Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия-алюминия на подложках бинарного соединения типа AIII - BV из жидкой фазы алюминий-галлий-мышьяк, содержащей 3 - 7 ат.% сурьмы, отличающийся тем, что, с целью улучшения кристаллического совершенства слоев арсенида галлия-алюминия на подложках фосфида галлия, поверхность подложек предварительно приводят в контакт на 5 - 10 мин с насыщенной жидкой фазой индий-сурьма при температуре 723 - 798 К.
Предыдущий патент: Трубчатый инфракрасный излучатель
Следующий патент: Устройство для обнаружения пауз в телефонном сигнале
Случайный патент: Устройство для укладки штучныхизделий b тару