H01T 21/06 — регулировка искровых разрядников

Номер патента: 1636908

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Агейков, Каттель, Мальцев

МПК: H01T 21/06

Метки: включения, восстанавливающегося, емкостного, источника, накопителя, синтетической, схемы, энергии

...искрового зазора Б, Эта величина принимается такой, при которой суммарный межэлектродный промежуток А + Б исключает возможность образования самопроизвольного электрического разряда в нем при наивысшем рабочем напряжении в схеме.Для облегчения и упрощения конструкции привода поворота изолятора 3 использован кривошипно-шатунный механизм, имеющий два фиксированных "мертвых" положения. В данной конструкции можно было бы использовать и кулисный механизм, Благодаря наличию двух "мертвых" положений в кривошипно-шатунном механизме обеспечивается четкая фиксация конечных положений подвижного электрода 1.Синтетическая схема (фиг.3) содержит источник27 испытательного тока, состоящий, как правило, из ударного синхронного генератора 28,...

Номер патента: 1828356

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Кирушев, Цветков

МПК: H01T 21/06

Метки: вакуумного, заданное, напряжение, разрядника, сверхширокополосного, срабатывания

...импульса (при известной длине резистивного слоя критическая напряженность поля также фиксирована), Критическая напряженность поля в резистивной пленке в воздухе может быть определена и другим известным способом, например по измерению изменения сопротивления резистивного элемента. Затем резистивный элемент помещался в вакуумнчю камеру при давлении от 10 до 10 мм Ня и определялась-з -баналогично критическая напряженность поля в резистив ной пленке, находящейся в вакууме, Отношение измеренных амплитуд импульсов (или критических напряженностей полей) в воздухе и в вакууме - коэффициент К. Экспериментально для разных образцов он составлял 1,2 - 1,4, т.е. в среднем 1,3.При требованиях к разряднику по срабатыванию при амплитуде импульса...