Способ получения слоев селенида кадмия

Номер патента: 497047

Авторы: Атакулов, Афузов, Билялов, Мирзаахмедов

ZIP архив

Текст

п 1 497047 Союз Ссеетскик Социалистический Республик) П оритст Совета Министров СССРоо делам изобретенийи открытий бликовано 30.12.75, Бюллетеньа опубликования описания 15.04,76(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ СЕЛЕН М Предварительно подложку обра баты раствором азотной кислоты в течение 15 при 40 С, затем промывают дистиллнрова водой и спиртом. В качестве подложки м 5 быть использована слюда, стекло и др. Для осаждения камеру откачивают 10 - 4 мм рт. ст., исходный селенид кадмия ревают до 700 - 760 С и испаряют 10 - 15 его веса, Получают слои толщиной 0,1 - 0 о Максимальное фотонапряжение 5000 в на длины слоя получают при испарении 10 от веса исходного селенида кадмия.ми но ожет Ндг- % от 3 мм, 1 см - 15% обретения е получения м их в ва исходного с лекулярным к поверхно тем, что, ний, генери адмия загр шка и при т его веса. Способ оса ждение испарении ч 0 рителя мо под углом ющи йся тонапряже селенид к 25 виде поро 10 - 15% оИзобретение относится к способу полученияслоев селенида кадмия, генерирующих фотонапряжение и используемых в оптоэлектронике,Известен способ получения слоев селенидакадмия осаждением их в вакууме на подложки при испарении исходного селенида кадмияиз испарителя молекулярным пучком, направленным к поверхности подложки под углом60. Способ не обеспечивает высоких генерационных свойств получаемых слоев.С целью увеличения фотонапряжений, генерируемых слоем, предложено загружать исходный селенид кадмия в испаритель в видепорошка и при осаждении испарять 10 - 15%от его веса.В результате получают слои, генерируемоефотонапряжение которых в 50 раз больше,чем в слоях, полученных известным способом,П р и м е р. Исходный селенид кадмия в видепорошка особой чистоты, имеет следующиепараметры: концентрацию носителей и 104 -10" см - з, подвижность 500 - 800 см г/в сек.Этот порошок (40 - 60 г) загружают в испаритель вакуумной установки, в которой размещают диэлектрическую подложку. слоев селенида кадмия кууме на подложке при еленида кадмия из испапучком, направленным сти подложки, о т л и ч ацелью увеличения форуемых слоем, исходный ужают в испаритель восаждении испаряют

Смотреть

Заявка

1911455, 20.04.1973

АФУЗОВ АСАН ЯГЬЯЕВИЧ, БИЛЯЛОВ ЭМИН ИСМАИЛОВИЧ, АТАКУЛОВ БАННОБ, МИРЗААХМЕДОВ АНВАР

МПК / Метки

МПК: B01J 17/30

Метки: кадмия, селенида, слоев

Опубликовано: 30.12.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-497047-sposob-polucheniya-sloev-selenida-kadmiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения слоев селенида кадмия</a>

Похожие патенты