Патенты с меткой «диэлектрическому»

Переход от металлического волновода к диэлектрическому

Загрузка...

Номер патента: 333642

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бов, Рожков, Тышев

МПК: H01P 5/08

Метки: волновода, диэлектрическому, металлического, переход

...разъема сжимцой винт 4 можетбыть отпущен, и тогда диэлектрический волновод можно заменить друпп. Переход от металлического волцовода к дцектрическому, содержащий клинообразный резок прямоугольного диэлектрического волвода и отрезок прямоугольцого металличеИзвестные переходы от металлического волцовода и диэлектрическому содержат клицообразный отрезок прямоугольного диэлектрического волцовода и отрезок прямоугольного металлического волцовода с рупором.ъ 1 тобы увеличить жесткость перехода с сохранением разъемцости предлагается верхиою и цижцою стенки рупора выполнить выступаощми цад боковыми стсцкахи грижаты к,дцэлектрическоху волцоводу с помощью хомута.Основная идея состоит в том, чтооы иметь в некотором промсжуточцом сечецпи...

Способ электрохимической обработки во внешнем магнитном поле по диэлектрическому трафарету

Загрузка...

Номер патента: 1118512

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Корчагин, Румянцев, Феоктистов

МПК: B23P 1/04

Метки: внешнем, диэлектрическому, магнитном, поле, трафарету, электрохимической

...(0,5-1 мм ).Приложение максимально возможной напряженности в начале обработки. увеличивает величину бокового растравливания, что ухудшает точность обработки;Таким образом, обработка отверстий по трафатеру с Ферромагнитнымнаполнителем во внешнем магнитномполе в режиме перехода от минимально необходимой напряженности магнитного поля к максимальной напряженности позволяет существенно повысить точность обработки за счет стабилизации размеров и йормы отверстий,25 На фиг.1 изображена электрохимическая ячейка; на фиг,2 - Формообразование отверстия с наложениеммагнитного поля и без него.Проводят электрохимическую обра 30 ботку тонкостенного листа Х 18 Н 10 Тв электрохимической ячейке (Фиг.1),состоящей из коллектора сбора и распределения...

Способ лазерной пайки вывода полупроводникового прибора к металлизированному диэлектрическому основанию

Загрузка...

Номер патента: 1697991

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Беляев, Кужель, Петровский, Савичев

МПК: B23K 1/005

Метки: вывода, диэлектрическому, лазерной, металлизированному, основанию, пайки, полупроводникового, прибора

...медного слоя от окисления и коррозии. Последним слоем был припой толщиной 12 мкм. Этот слой обеспечивает получение паяного соединения. В качестве припоя был выбран сплав ОЛОВО - Висмут.Медный вывод был предварительно отформован и имел следующие конструктивные размеры:ширина паза (Ь) 0,5 мм; толщина дна паза вывода ( д 1) 100 мкм, толщина слоя- припоя из сплава олово-висмут (д 2) 12 мкм; угол скоса кромок паза вывода ( а 1 ) 60 О; длина паяного шва1,5 мм; диаметр медного вывода(бв) 0,4 мм, коэффициент шага паяного соединения (К) 1,0. Число точек для образования паяногосоединения определяли по формуле:1,5и =К -- 1 =1,0- 1 =2 точкис.0,5Для получения сравнительных данных проводилась пайка лучом лазера медного вывода к металлизации...