G02B 27/42 — дифракционная оптика

Номер патента: 253407

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Астрономии, Лайго, Сте

МПК: G01J 3/18, G02B 27/42

Метки: библиотека, патентно11, техническая

...выходному пучку коллиматора, и далее на диффракционную решетку б, Диффракционная решетка б установлена в кинематическом механизме 7 так, что центр заштрихованной,площади находится в точке пересечения главной оси объектива 9 камеры с центральным лучом отраженного от зеркала 5 светового потока. Направление главной оси объектива 9 выбрано совпадающим с направлением, которое является зеркальным отражением центрального луча светового потока, отраженного от плоского зеркала 5 плоскости, перпендикулярной к нормали блеска диффракциоцной решетки б. Таким, соединением плоского зеркала 5 с диффракционной решеткой б достигается одновременное выполнение условий диффракции и блеска, обеспечивающее высокий коэффициент пропускания спектрографа при...

Номер патента: 643747

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Владимиров, Котлецов, Савин, Туркевич, Шац

МПК: G01B 11/02, G01B 11/24, G02B 27/42, G03F 1/00 ...

Метки: размеров, рисунка, тестовых, фотошаблонов, элементов

...вфокальной плоскости,Устройство содержит когерентныйисточник света 1, который освещаетконтролцруеый фГтошаблон 2 с тестовым элементом рисунка 3, объектив4 преобразования Фурье который вУ8 ГЯ Е4 Яввуйнваа 1 рвидьт плвстщ Составитепь ЛобзоваРедактор Т, Шагова Техред 3.Фанта Корректор С. Шекмар Заказ 8009/38 Тираж, 865НИИПИ Государственного комипо делам изобрете113035, Москва, Ж,Подписноета СССРий и открытийаушская наб филиал ППП фПатентд, г, Ужгород, уп, Проектна своей задней фокальной плоскости 5формирует распределение света, точ но соответствующее преобра зованиюфурье от рисунка. В этой плоскостиустановлены прямоугольные щели 6, вырезающие из пространственного спектрасветовые потоки в разных порядкахспектра. Фотоумножители 7,...

Номер патента: 968778

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Василевский, Павлов, Романов, Садов, Шестаков

МПК: G02B 27/42

Метки: периодических, структур

...обработка светочувствисветочувствительный образец 4,под .тельного образца 4, проводимая по вижное основание 5, систему зеркал известным методикам.6-9 и эк ан 1 Таким образом, предлагаемый споСпособ изготовления периодичес-соб позволяет повысить точн ость из -руктур может быть осуществлен готовления периодических структур. ,например, следующим образом, 10 Кроме того, при использовании этого. Участок эталонной структуры 3 , . способа можно с помощью одной этаосвещают прошедшим через коллима- лонной структуры с достаточно боль. тор 2, пучком когерентного света от шим периодом изготавливать круговые лазера 1. Из: дифрагированных на эта. и линейные периодическиеаеские структуры лоиной структуре 3 пучков выделяют 15 практически...

Номер патента: 1076739

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Бернштейн, Воробьев, Потапов, Смирнова, Хирунцев

МПК: G01B 11/00, G02B 27/42

Метки: линейного, перемещения

...5, на электрический вход которого поступает сигнал от генератора б. Ультразвуковая волна в модуляторе распространяется в направлении,перпендикулярном плоскости цертежаот наблюдателя, Далее следует оптический блок 7, выполненный в видесветоделителя-компенсатора 8, установленного по ходу. светового пучка, зеркала 9 и призмы 10 Дове,установленных по ходу отклоненногосветового пучка, измерительныйрастр 11 и фотоприемное устройство12, в состав которого входят линзы(конденсоры) 13, 14 и фотоприемники1, 16. Крестиком и точкой в световых пучках 17 и 18 обозначены направления движения акустооптического растра перпендикулярно плоскости чертежа от наблюдателя и кнаблюдателю соответственно,Устройство работает следующимобразом.,Свет от...

Номер патента: 1076859

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Коломиец, Кривошлыков, Остафьев, Румбешта, Тымчик

МПК: G02B 27/42, G05B 19/00

Метки: процессом, резания

...между указанными инструментом и Фотоприемным Уст ройством, введены целевая узкопольная диафрагма и опорная полуплоскость, причем последняя размещена в одной плоскости с вершиной режущего клина инструмента, центр проекции щелевой узкопольной диафрагмы на укаэанную плоскость совмещен с центромщели, образованной опорной полуплоскостью и упомянутой вершиной,большая сторона этой проекции ориен-.тирована по нормали к рабочей кромке спорной полуплоскости, обращеннойк вершине режущего клина инструмента, источник излучения выполнен когерентным, а входная апертура Фотоприемного устройства совмещена с задней фокальной плоскостью объек 1 ива,На чертеже представлена оптическая схема предлагаемого устройства.Устройство управления...

Номер патента: 1089541

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Романов, Садов, Шестаков

МПК: G02B 27/42

Метки: линейных, периодических, структур

...8, Выделенные пучки спомощью призм 5 и б направляют насветочувствительный образец 7 и совмещают на его поверхности, причемнаправление пучков на образец 7 устанавливают параллельным направлению их дифракции, имеющей место.принормальном падении освещакщего пучка на эталонную структуру 4, В результате проведения укаэанных операций на поверхности образца 7 формируется интерференционная картина,соответствующая эталонной структуре 4. Период картины равенТ= -а(2) При одновременном перемещении структуры 4 и образца 7, установленных на общем подвижном основании 9, периодическая картина остается неподвижной относительно поверхности образца 7. В результате на образце 7 в направлении перемещения формируется периодическая структура, В...

Номер патента: 1185303

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Блинов, Кравцов, Телешов, Шац

МПК: G02B 27/42

Метки: дифракционных, линз

...СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к устройстваи для изготовления дифракционных оптических элементов и может быть использовано в частности при изготовлении дифракционных линз.Цель изобретения - увеличение производительности путем уменьшения времени экспозиции при повы" шении разрешающей, способности,На чертеже представлена оптическая схема устройства.Устройство включает источник 1 когерентного излучения, коллимационную систему 2, интерферометр и дергатель 3 фотопластины. При этом ипт.рферометр выполнен в виде склейки плоско-вогнутой 4 и плоско- выпуклой 5 линз с одинаковыми коэфВщиентами преломления. Поверхность 6 скчейки...

Номер патента: 1216756

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Пилипович, Романов, Ярмолицкий

МПК: G02B 27/42

Метки: периодических, структур

...способа изготовления периодических структур заключается в следующем. Участок эталонной структуры 3 освещают прошедшим через коллиматор 2 пучком когерентного света от лазера 1; Из дифрагировавших на эталонной структуре 3 пучков выделяют пару, имеющую одинаковый порядок дифракции, за исключением нулевого, но раэные знаки, Нулевой порядок и порядки, кроме выделенных, перекрывают экраном 10, Выделенные пучки с помощью системы зеркал 6-9 направляют через оптические элементы 11 и 12, которые оборачивают волновые фронты пучков на 180 относительно их осей, на светочувствительный образец 4. При этом направление падения пучков на образец 4 устанавливают параллельным направлению их дифракции, Совмещают пучки на поверхности образца 4, В результате...

Номер патента: 1278778

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Пилипович, Романов, Ярмолицкий

МПК: G02B 27/42

Метки: периодических, структур

...полосы остаются неподвижными относительно светочувствительной поверхности заготовки 5, Врезультате на заготовке в направленииперемещения формируется периодическаяструктура. В заключение осуществляется фотохимическая обработка заготовки, проводимая по известным методикам.Благодаря использованию двух идентичных структур, развернутых на 180о,период изготавливаемой структуры пос"тоянен по всей ее длине и структуране имеет накопленной погрешности, Приизвестном способе изготовления периодических структур накопленная погрешность изготавливаемой структуры равнапогрешности эталона,Способ может быть осуществлен, например, следующим образом.Выбирают две идентичные периодические структуры, например две штриховые шкалы с И = 500 мм, Т = 10 мкм, где...

Номер патента: 1280560

Опубликовано: 30.12.1986

Авторы: Корольков, Полещук, Чурин

МПК: G02B 27/42

Метки: дифракционных, оптических, элементов

...Вт/см - кри 6 % вая 19; 3 О Вт/см - кривая 20), нормированные по отношению к коэффициенту отражения В неэкспонированной пленки.Из приведенных кривых 19 и 20 следует, что наибольшее изменение коэффициента отражения наблюдается в коротковолновой области спектра. На 488 нм (длина волны записи) уменьшение составляет 5-107 в зависимости от плотности мощности светового потока. Измерение коэффициентов отражения В и В производится с помощью вспомогательных световых пучков 16 и 17 (фиг. 2), которые после отражения от поверхности пленки проходят элементы 4-6 устройства (Фиг. ) и поступают соответственно на входы фотоприемников 10 и 11. Напряжение на выходах последних составляет11 о То Вз( )К д з(1)Ц =Т,-В(1-т)К ,где 1 - интенсивность светового...

Номер патента: 1280561

Опубликовано: 30.12.1986

Авторы: Богданович, Пилипович, Романов, Ярмолицкий

МПК: G02B 27/42

Метки: периодических, структур

...мкм. Расстояние между осямк пучков вдоль структуры равно 45 мм. За эталонной структурой 4 распространяются две группы дифракционных порядков. На пути + 5 порядков, угол диф 0ракции которых равен 18 , установлены телескопические системы 5,6 с1увеличением Г щ 1/Г1/8. Фокусаюе расстояния первой и второй линз те" лескопических систем 40 и 5 мм, диаметры 35 и 6 мм соответственнд, Телескопические системы оборачиваютофронты пучков на 180 и сужают выходные. пучки до диаметра 3 мм. Кро" ме того, в фокусе первых линз телескопических систем установлены диафрагмы, перекрывающие все порядки, кроме пятых. Диаметр дкафрагм 10 мкм. Выходящие из телескопических систем 5 и 6 пучки совмещаются на поверхности заготовки 8 со светочувствительным слоем с...

Номер патента: 1345154

Опубликовано: 15.10.1987

Авторы: Пилипович, Романов, Ярмолицкий

МПК: G02B 27/42

Метки: периодических, структур

...следующим образом.Выходящий из источника 1 когерентного излучения пучок расширяется системой 2 и, пройдя светоделительныйблок 3, разделяется на два параллельных пучка, которые падают нормально на эталонную структуру 4. Врезультате дифракции двух освещающих пучков на эталонной структуре заней распространяютсядве группы дифракционных порядков, В телескопических системах 5 и 6 диафрагмами,установленными н Фокусе первых линз,отфильтровываются все порядки, кро 20 25 30 35 40 45 50 55 ме выбранных. Кроме того, телескопические системы сужают и оборачиваютих на 180", После прохождения телескопических систем пучки совмещаются на заготовке 8 с образованиеминтерференционной картины, При перемещении каретки .7 с эталонной структурой 4 и заготовкой...

Номер патента: 1359765

Опубликовано: 15.12.1987

Авторы: Бойчук, Гнатовский, Логинов, Погорецкий, Романенко

МПК: G02B 27/42

Метки: прямолинейных, световых, структур, формирования

...светового квадрата преобразователь состоит из двух пространственно разнесенных зон 3 и 4, ориентированных друг относительно друга под углом90 (фиг,З)дифракционная структура (штрихи) преобразователя 1 (фиг,2) образована дугами окружностей с одинаковыми радиусами К, центры которых расположе 597652ны эквидистантно с периодом Й напрямой, направление которой условновыбрано совпадающим с направлениемкоординатной оси ОХ, Концы отрезковокружностей заключены между образующими АА и ВВ, параллельными осиОХ, что обеспечивает их одинаковуюдлину, Период дифракционного преобразователя 1 изменяется по сечениювдоль координаты ОУ по закону дЙ,созе, где уголь определяет направление дифракции, ортогональноештрихам дифракционного преобраэова...

Номер патента: 1420585

Опубликовано: 30.08.1988

Авторы: Баранов, Богданович, Пилипович, Романов, Ярмолицкий

МПК: G02B 27/42

Метки: периодических, структур

...плоскостях которых формируются двесистемы дифракционных порядков. Диафрагмы 7 и 8 пропускают два симметричных порядка (по одному от каждой системы), которые попадают в объектив 6. За объективом 6 под углом друг к другу распространяются два коллимированных пучка, которые формируют интерференционную картину в плоскости заготовки 10, Пространственная частота интерференционной картины равна= 2 т) 12)Условием формирования такой картины является выражение (1).Одновременно система объективов 4 - 6 осуществляет оборачивание волновых фронтов дифрагировавших на эталонной структуре 3 пучков на 180. При перемещении каретки 9 с эталонной структурой 3 и заготовкой 10 в направлении, перпендикулярном оси освещающего пучка, полосы в...

Номер патента: 1430741

Опубликовано: 15.10.1988

Авторы: Вайль, Паненко

МПК: G01B 11/02, G01B 11/24, G02B 27/42 ...

Метки: анализатор, геометрических, параметров, френелевский

...обозначена), имеющей воэмойностьперемещения вдоль всей плоскости дифракционной картины и приводимой в движение приводом 8, микровинта 9, милли-)5метровой шкалы 10, нониусной линии11, фотоумножителя (ФЭУ) 12, а такжеблок регистрации, выполненный в видеграфопостроителя 13, электрически связанного с выходом сканирующего устройства.Оптический анализатор работаетследующим образом,Когерентный источник 1 излученияформирует поток излучения, которыйпри прохождении через микрообъектив2 и точечную диафрагму 3 становитсярасходящимся, При помещении контролируемой детали 14 в этот расходящийся поток на неподвижной щели 5 об- АОразуется дифракционная картина исследуемой детали, 11 ель 5 выделяетучасток дифракционной картины длясканирования,...

Номер патента: 1451540

Опубликовано: 15.01.1989

Авторы: Арефьев, Илюхин, Старостенко

МПК: G01B 11/24, G02B 27/42

Метки: объекта, отклонений, прямолинейности

...Кирхгофа выражение для первого дифракционного минимума имеет видЬ ялп ч= Л,где Ь - ширина щели;Ц - фиксированный угол дифракции;1 - длина волны излучения.Следовательно, разность хода лучей, сходящихся в первом дифракционном минимуме, составляет 1, поэтомуЛК+КБ-Р 1,Ширина плоского фронта волны света для полуплоскости 5 равна Р 1 а следовательноРМ=ЛэЛК + КБ + РМ - В 1. = 2 ЛРМ+КМ= 2 Л,Учитывая, что РМ = Ь, яз.п У, аКИ = (Ь,-Ьс 84 ялп , получим условие первого минимума дифракции:2 Ъ, яхп г Ь, ялп Ф с 8 ц= 21.Б общем виде условие минимумов диФракции на щели с разнесенными полу- плоскостями определяют по формуле2 Ь ялпц - Ь ялпся= 2 шЛ,где ш =+1, +2, +3При поперечном смещении первойполуплоскости 4 щели, закрепленнойна измерительной марке 3,...

Номер патента: 1522039

Опубликовано: 15.11.1989

Авторы: Гнатовский, Логинов, Медведь, Плевако

МПК: G02B 27/42

Метки: виде, дифракционный, линии, прямой, пучка, светового, формирования

...единственного рабочего дифракционного порядка может быть осуществлено либо применением фазовой 50 дифракционной структуры (прямоугольные ступеньки, эшеллет), имеющей один порядок дифракции, либо экранированием нерабочих порядков, С учетом выражения (1) угол дифракции 55КЪ аХ6 = агс зхп ------- . (3) Из этого выражения следует, чтоугол дифракции различен для различных,участков дифракционного преобразователя 1, Формирование линии н плоскости 2 наблюдения происходит за счетнепрерывного изменения угла дифракции вдоль направления ОХ, что является следствием плавного изменения пространственной частоты дифракционногопреобразователя, Если штрихи дифракционного преобразователя выполненыпрямолинейными (т.е. дифракционныйпреобразователь является...

Номер патента: 1525662

Опубликовано: 30.11.1989

Автор: Ильин

МПК: G02B 27/42

Метки: линейных, перемещений

...дифракционной решеткой 3 в дифрагированном пучке установлен световод 4, продольная ось которого перпендикулярна падающему пучку и параллельна штрихам дифракционной решетки 3. Результатом взаимодействия дифрагированного на дифракционной решетке 3 пучка и пространственного растра от световода 4 является муаровые комбинационные полосы которые посредством объектива 5 передаются в плоскость двухщелевой диафрагмы 6, щели которой смещены друг относительно друга на 0,5 перио да муаровой полосы, При перемещении1525662 обеспечивает повышение точности измерений. д с и ны н у( в о Ц ( п л н и пр Ьс 2 и /9 (Л/2) ,где- длина волны излучения в вапериод измерительной решетки. Составитель А,ШмалькоРедактор А.Ревин ТехредМ,Дидык КорректорТ.ИалеЮ Щ е ж...

Номер патента: 1569788

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Кит, Чобанюк

МПК: G02B 27/42

Метки: дифракционных, линз, цилиндрических

...выделенной части Фотошаблона на слое Фоторезиста, нанесенного на подложку,и экспонируют слой фоторезиста, перемещая подложку в направлении, перпендикулярном оси симметрии выделенной полосы фотошаблона, на величину, равную образующей изготавливаемой линзы, с последующей химическойобработкой слоя Фотореэиста, Приэтом ширину выделенной полосы фотошаблона выбирают равной 2 1 2 Я,где Г - фокусное расстояние Фотошаблона, Л - рабочая длина водны излучения для изготавливаемых линз,Установленная из приведенногоусловия ширина выделяемой полосыфотошаблона обеспечивает распределение величины экспозиции в пределах каждой зоны по несимметричномузакону, поскольку величина экспозиции в каждой точке на оси, перпендикулярной направлению движения...

Номер патента: 1601600

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Балашова, Лукашевич, Неофитный, Покормяхо, Сафиуллин, Свич

МПК: G02B 27/42

Метки: выполнения, излучения, интегральных, преобразований, пучка

...фазовых объектов,Цель изобретения - расширение функциональных возможностей путем формирования Гильберт-образа пучка 1 О в заданном дифракционном порядке1при сохранении Фурье-образов в остальных порядках, а также выполненИе преобразования Фуко.На фиг.1 и 2 представлены конструкции фазовых дифракционных структур с различной и равной глубиной шустриков на двух участках.Устройство выполнено в виде фазоной дифракционной структуры 1 с прямоугольным профилем штрихов - канаок 2, которая представляет собойва участка 3 и 4 с одинаковой шириНой и различными значениями отношений поперечных размеров ди д25штрихов к периодам Т и Т их расположения, определяемым из соотно пе- нийФормула изобретения 1. Устройство для выполнения интегральных...

Номер патента: 1617398

Опубликовано: 30.12.1990

Автор: Минин

МПК: G02B 27/42

Метки: зонная, пластина

...с условием 2. уИаЕВ ( + вее ее ее ) - в2 2 С где С = А + К +В + К +К%,/2А - расстояние от осевого источника излучения до центра зон"ной пластины;К - радйус первой зоны Френеля;В - фокусное расстояние;15К = 2,3. ,М - номер зоны Френеля;9 - расчетная длина волны;ш = 1,2И - количество уровней квантования Фазы.При этом относительное отверстие /В зонной пластины определяется из словия 025 О/В 2, где О - ее диаетр, а радиус первой зоны - из усовия К/О/ (0,1 - 0,3)к В целях преобраэования плоского падакицего волнового фронта в сходящийся сферический радиусы зон Френеля выполнены в соответствии с условием- К- Оф)Нгк 2 г В (ф) - ККф а глубина резкостизонной пластиныопределяется выражениемВ +К/ У +К - Ь к б= - ( 2%,(К + 1) Формула изобретения...

Номер патента: 1620972

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Богданович, Пилипович, Романов, Ярмолицкий

МПК: G02B 27/42

Метки: периодических, структур

...нормально на эталонную структуру 3, Испытав дифракцию на структуре 3, пучок проходит объек1620972 50 2,405 4с7(п-",)т или 2 Ь ( 4,8 мкм. 55Выбираем световод с диаметром сердте о цевины 2 Ь=4 мкм. Для эффективного вводаУВ излучения в световод необходимо, чтобыж были равны числовые апертурь световода.г тив 4, в фокальной плоскости которогоформируется система дифракционных порядков. Два симметричных порядка проходят световоды 6 и 7 и попадают в5объектив 5. За объективом 5 под угломдруг к другу распространяются два коллимцрованных пучка, которые формируютинтерференционную картину в плоскостизаготовки 9. Пространственная частотао интерференционной картины равна)10 = 2 щ Я. (2)При перемещении каретки 8 с эталонной структурой 3 и заготовкой...

Номер патента: 1640663

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Гнатовский, Логинов, Медведь, Плевако

МПК: G02B 27/30, G02B 27/42

Метки: излучения, коллимации, коррекции, лазера, полупроводникового, пучка

...равную диаметру спекл-неоднородностей, при этом, если50 55 5 10 20 25 30 35 40 45 спекл-неоднородности круглые, то форма дифракционной картины не искажается,При дифракции светового пучка с несимметричным сечением, каким обладает . полупроводниковый лазер, дифракционная картина искажается, Это искажение вызва. но изменением формы спекл-неоднородностей, которая соответствует форме тела свечения полупроводникового лазера 1; размеры спекл-неоднородностей ай и а в плоскости р - и-перехода и ортогональной ей плоскости, соответственно, связаны с размерами тела свечения аи и а следующими соотношениями;а й= 2 аи/1 ьа = 2 аЛь (3) С учетом размеров спеха-неоднородностей (3) выражение для сечения дифракционной картины (2) переходит вОи = Л 2/би+ аи...

Номер патента: 1663599

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Богданович, Пилипович, Романов, Ярмолицкий

МПК: G02B 27/42

Метки: периодических, структур

...оптическими осями объективов 4 и 5,Оптическая ось объектива 6 параллельна оптическим осям объективов 4 и 5, является их осью симметрии и пересекает эталонную структуру 3 в точке пересечения последней с осью расширителя 2, Передняя фокальная плоскость объектива 6 совмещена с общей задней фокальной плоскостью объективов 4 и 5. Эталонная структура 3 размещена на каретке 9, которая установлена с возможностью перемещения в направлении, . перпендикулярном штрихам эталонной структуры 3. На подвижной ка ретке 9 за объективом 6 установлена такжезаготовка 10.Устройство работает следующим образом.Выходящий из источника 1 когерентно го излучения пучок расширяется системой 2и падает на эталонную структуру 3 подуглом О к ее нормали. Величина угла...

Номер патента: 1674049

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Балашова, Лукашевич, Неофитный, Сафиуллин, Свич

МПК: G02B 27/42

Метки: гильберт-образа, излучения, пучка, формирования

...Данная свертка и представляет собой преобразование Гильберта от 0(аф где знак уголок над функцией обозначает преобразование Фурье этой функции по частоте в = - в . Необ 2 лх ходимое условие формирования Гильбертобраээ не выполняется при значениях гр, хре, отличных от указанных дискретных множеств значений. Так, например, вблизи плоскостей наблюдения ар дифрэкционное изображение является слабоконтрастным и не отображает Гиль- берт-образа. За пределами координат хрп поля, рассеянные канавками 2 структуры 1, имеют разность хода, отличную от Л/2, что приводит к искажению картины формируемого изображения, При этом в плоскостях наблюдения ар возможна реализация других интегральных преобразований, например, при синфазном сложении рассеянных...

Номер патента: 1697040

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Пилипович, Романов, Ярмолицкий

МПК: G02B 27/42

Метки: периодических, структур

...2 расположен на пути пучка от источника 1 излучения. За расширителем установлен оптически связанный с ним светоделительный блок 3, Светоделительный блок 3 имеет коэффициент деления 2 и его выходные оси параллельны оптической оси расширителя 2, В выходящих из свето- делителя пучках под углом а к его выходным осям установлены плоскопараллельные пластинки 4, 5. толщиной д, которые оаз1697040 составитель В,Кравчеедактор Г.Наджарян Техред М,Моргентал орректор В,Гирняк каз 4305 ВНИИПИ Госу Тираж ственного ко 113035, МоПодписноениям и открытияя наб., 4/5 и ГКНТ СССР итета по изобре ва, Ж, Раушс Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 устройства перемещения с аэростатическими направляющими. При перемещении...

Номер патента: 1727106

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Аксенчиков, Недужий, Павлов

МПК: G02B 27/42

Метки: интерференционного, растра

...потока по фронту волны, образующего прямой двугранный угол с плоскостью материала и установленный с возможностью вращения вокруг его ребра в пределах 0-90 относительно направления распространения светового потока (фиг. 1), В качестве источника излучения используют лазер ЛГ с длиной волны экспонирования А = 0,63 мкм при соотношении энергии в сходящихся пучках в плоскости экспонирования сенситограммы 1;1. Для модуляции величины экспозиции используют ступенчатый нейтрально-серый клин с 20 полями и константой К = 0,15, Устанавливают угол поворота системы зеркало - материал относительно направления светового потока р = 1,7. Производят последовательно экспонирование полей сенситограммы, ориентированных по ширине образца, при...

Номер патента: 1730606

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Абрамочкин, Волостников, Лосевский

МПК: G02B 27/42

Метки: излучения, кольцо, фокусировки

...чтов устройстве для фокусировки излучения вкольце, выполненном в виде дифракционного оптического элемента, изофазные линии выполнены в виде одно- илимногозаходной спирали, функция Т (г, а)комплексного пропускания которой определяется из соотношенияТ(г, а) = ехрр (г, а,где Р(г я) 2 ++па;Кг Кгго2 йо Йог - текущий поляоный радиус;а - текущий азимутальный угол;2 лК - волновое число, равное К = вв ,А - рабочая длина волны;го - заданный радиус фокусируемогокольца;ео = ъ 9 а . Ги1 с - заданное фокусное расстояние;п = 1,2,3 - число заходов спирали,На фиг,1 представлена форма изофазных линий известного фокусирующего элемента (без квадратичного фазовогомножителя); на фиг,2 - то же, предлагаемогофокусирующего элемента; на фиг,3 -...

Номер патента: 1526413

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Валявко, Осипов

МПК: G02B 27/42, G02B 5/18

Метки: нанесения, оптическую, поверхность, шкал

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ШКАЛ НА ОПТИЧЕСКУЮ ПОВЕРХНОСТЬ, включающий напыление одного или нескольких разрушаемых записывающих слоев на оптическую поверхность подложки с последующей обработкой этой поверхности импульсным лазерным излучением, промодулированным по интенсивности в соответствии с заданным законом распределения штрихов шкалы, и имеющим в максимумах интенсивности плотность мощности, превышающую пороговую плотность мощности разрушения записывающих слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, снижения требований к виброизоляции и увеличения резкости наносимых шкал, внешний напыляемый разрушаемый слой выполняют отражающим, подложку с напыленными слоями помещают в лазер, используя ее в качестве одного из зеркал...