Способ изготовления интегрального полупроводникового тензопреобразователя

Номер патента: 1530952

Авторы: Белозубов, Жучков, Косогоров, Тельпов

ZIP архив

Текст

ране 3 методом интегральной технологии тензорезисторов, измеряют величину нелинейности выходного сигналапри номинальном давлении Ч ива иомтензочувствительность схемы Бм и терморезистора Бя, Определяют величину сопротивления терморезистора Е. Затем подготавливают рабочий образец (элемент) преобразователя по аналогичной технологии, но термореэистор располагают в зоне, где вь 1- полняется условиеБ Чом 13 вык =ЧНОм где К - масштабный коэффициент.Измеряют выходное сопротивление и вь 1 ходной сигнал при воздействии температуры в крайних точках диапазона. Определяют величину добавочного сопротивления кТенэопреобразователь при сохранении количества структурных звеньев обладает повышенной точностью преобразования эа счет устранения нелинейности преобразователя, Это достигается тенэочувствительностью термореэистора К включенного в выходную цепь, и выбором его рас.положения на чувствительном элементе в соответствии с величиной и знаком нелинейнос ти мостовой иэмерительной цепи тензопреобразователя давления,Способ изготовления. интегрального полупроводникового тенэопреобразователя, включающий подготовку рабочего элемента путем формирования на полупроводниковой мембране методом интегральной технологии тенэорезисторов, соединенных в мостовую схему, добавочного резистора и терморезистора, последующего измерения тензочувствительности схемы Б, а также тензочувствительности терморезистора Б , выходного сигнала и его обработки, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения точности, предварительно производят подготовку опытного элемента, дополнительно измеряют нелинейность его выходного сигнала 1. , при номинальном давлении Ч , а при подготовкенемрабочего элемента терморезистор формируют в зоне, где выполняется условиеБмЧ нем 1 ь 1 й ЧнОм 1где К - масштабный коэффициент,1 О 20 25 5 Формула изобретения530952 орректор М. Самборская едакто ГКНТ ССС я Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,Заказ 7ВНИИПИ Составитель О, Слюсаобкова Техред М.Дидык 5/43 Тираж 789 Подписное сударственного комитета по изобретениям и открьгг 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д,

Смотреть

Заявка

4197929, 10.12.1986

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1891

ЖУЧКОВ АНАТОЛИЙ ИВАНОВИЧ, БЕЛОЗУБОВ ЕВГЕНИЙ МИХАЙЛОВИЧ, ТЕЛЬПОВ СЕРГЕЙ ЕВГЕНЬЕВИЧ, КОСОГОРОВ ВАЛЕРИЙ МИХАЙЛОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01L 9/04

Метки: интегрального, полупроводникового, тензопреобразователя

Опубликовано: 23.12.1989

Код ссылки

<a href="https://patents.su/4-1530952-sposob-izgotovleniya-integralnogo-poluprovodnikovogo-tenzopreobrazovatelya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления интегрального полупроводникового тензопреобразователя</a>

Похожие патенты