Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора

(ц)5 Г 06 НИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ коллек- нзисто диода также первого усили одклнчен к ба ного транзистъединены льного т е второго 2 ил. здейстройства, ия темпера Устройство ты полупровод жит первый 1 митирующегоры,и у ств аналогово именно к электронно которойпирования рабоприбора содер 2 усилительные икового второй ервый 3 торы, о ширение и второй 4 перазующие делиающий диод 5, следующим транзисторы,ременные резитель напряженУстройствоббразом,Регулиро чет моделиикового ной темпе- разброса я, эапи работае ции осущетором 3,билиэации схема уст -амперные илизатора ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ НОМИТЕТпО изОБРетениям и ОткРьпиямПРИ ГКНТ СССР ТОРСКОМУ СБИДЕТЕЛЬС(56) Авторское свидетельство СССР Р 982030, кл. Г Об Г 7/48, 1982,Авторское свидетельство ССГР1251123, кл. Г Об 0 7/48, 1985.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РОУТЕЛИРОВАИИЯ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА (57) Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике, а именно к исследованиям радиоэлектронной апапаратуры, в состав которой входят стабилитронь, Цель изобретения - расширение класса решаемых задач за счет моделирования работы полупроводникового прибора в условиях повышенной температуры и технологического Изобретение относится квычислительной технике, аобласти исследования радиоаппаратуры (РЭА), в составвходят стабилитроны,Цель изобретения - раскласса решаемых задач за срования работы полупроводнприбора в условиях повышенратуры и технологическогонапряжения стабилизации.На Лиг. 1 представленаройства; на Аиг, 2 - вольтхарактеристики (ВАХ) стаб 8015998 разброса напряжения стабилизации.Достигают возможность моделированияработы стабилитрона при воздействиитемпературы и технологическом разбросе параметров эа счет того, что дваусилительных транзистора имеют различную проводимость. В устройствовводят второй переменный резистор, образующий с первым переменным резистором делитель, включенный в базовуюцепь первого усилительного транзистора, эмиттер которого, второй выводпервого переменного резистора, коллекто 1 второго усилительного транзистора и катод запирающего диода объединены, второй вывод второго переменного резистора, эмиттер второго усилительного транзистора и анод звпираювка напряжения стабилизавляется переменным резисвеличина напряжения стапределяется соотношениемноминалов резисторов 3 и 4. При уменьшении величины сопротивления резистора .4 увеличивается ток через транзистор 1, который, в свою очередь, является базовым током транзистора 2,5 при этом выходное сопротивление транзистора 2 также уменьшается, что соответствует меньшему значению напряжения стабилизации устройства, ВАХ модели стабилитрона в прямом направлении определяется диодом 5.1С помощью модели стабнлитрона можно устанавливать напряжение стабилизации от 0,7 до 15 В.Измерение ВАХ устройства осущест" вляется с помощью прибора Л 2-56. Регулировка устройства для моделирования работы полупроводникового при.бора под определенный тип стабилитрона осуществляется прибором Л 2-5 б по, виду ВАХ, Напряжение стабилизации выставляется путем изменения сопротивпения резистора 4 и получения необходимого соотношения номиналов сопротивлений резисторов 3 и 4. Динамическое сопротивление г устройства опре 9деляется по крутизне (наклону) ВАХ, После этого гуточняется по схеме измерения г йа переменном токе и снимается зависимость г = Г(Туст 3 .сг ройства, которая должна соответствовать типовой зависимости. Одновременно осуществляется контроль 1 с .по" 5 мощью цифрового вольтметра В 7-27, Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора, например, дпя моделирования стабилитрона 2 С 133 А позволяет изменять 1 . (в пре О делах температурных уходов или технологических разбросов) при неизменном г и изменять г при неизвестном, анное свойств позволяет исеть45 пользовать устройство для определения коэдмЪициентов чувствительности стабилитрона на выходные параметра РЭА (при оценке их параметрической надежности) по параметрам Ц и г независтсимо друг от друга.Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора может быть использованори исследовании параметрической надежности РЭА для имитации 3и г серийных стабилитронов с напряжейием стабилизации от О,б до 15 В, а также для исследо" вания работы стабистора, При использовании устройства для имитации работы стабистора диод ) необходимо исключить из схемы (Б устанавливается от 0,7 до 2 В),Формула и э обретенияУстройство для моделирования работы полупроводникового прибора, содержащее первый и второй усилительные транзисторы и первый переменный резистор, первый и второй выводы которого подключены соответственно к эмиттеру и базе первого усилительного транзистора, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения класса решаемых задач эа счет моделирования работы полупроводникового прибора в условиях повышенной температуры и технологического разброса напряжения стабилизации, в него введены второй переменный резистор и запирающий диод, причем первый вывод первого переменного резистора подключен к коллектору второго усилительного транзистора и к катоду запирающего диода и является катодным выводом устройства, второй вывод первого переменного резистора соединен с первым выводом второго переменного резистора, второй вывод которого подключен к эмиттеру второго усилительного транзистора и к аноду запирающего диода и является анодным выводом устройства, коллектор первого усилительного транзистора подключен к базе второго усилительного транзистора.