Дымшиц

Номер патента: 1507030

Опубликовано: 27.05.2003

Авторы: Амельянец, Дымшиц, Пчельников, Яворский

МПК: G01N 22/00

Метки: концентрации, пульпы

Способ определения концентрации пульпы, заключающийся в воздействии на исследуемую пульпу высокочастотным электромагнитным полем и измерении его параметров, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем измерения распределения концентрации пульпы в поперечном сечении круглого металлического трубопровода, высокочастотное электромагнитное поле возбуждают в круглом металлическом трубопроводе в виде линейно поляризованной волны типа Н11 с вращающейся плоскостью поляризации, в качестве измеряемого параметра выбирают коэффициент затухания линейно поляризованной волны, измеряют зависимость коэффициента затухания линейно поляризованной волны от положения...

Номер патента: 1839232

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Дымшиц, Иванов, Калинина, Пчельников, Яворский

МПК: G01F 1/00

Метки: массового, пульпы, расхода

...г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 Изобретение относится к измерительной технике, например к измерению массового расхода двухфазных сред.Цель изобретения - повышение точности измерения.На чертеже показана схема устройства для осуществления способа,Мерный участок цилиндрического металлического волновода 1 длиной 2 Е содержит на концах устройства 2 и 3 электромагнитной связи. В центре мерного участка установлено устройство связи 4, подключенные к выходу генератора 5. Устройства 2 и 3 соединены соответственно с детекторными головками 6 и 7, выходы которых подключены к входам коррелометра 8, выход которого соединен с входом микропроцессора 9.Способ осуществляют следующим образом. СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАССОВОГО РАСХОДА ПУЛЬПЫ, включающий излучение...

Номер патента: 1640995

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Адаричев, Дымшиц, Калачиков, Салганик

МПК: C07H 21/00, C12Q 1/68

Метки: гибридизации, дезоксирибонуклеиновых, кислот

...и сравнивают соптической плотностью калибровочного авторадиографа, по которому определяют количество сгибридиэовавшейся15 радиоактивно меченной ДНК.Чувствительность способа, т,е. минимальное количество специфической ДНК,определяемой в образце данным способом,составляет 0,1 - 0.5 пг ДНК мишени при ис 20 пользовании ДНК зондов, меченых до удельной активности 5 х 10 - 10 имп/мкг мин,9Таким образом, данное изобретение позволяет повысить эффективность .способагибридизации деэоксирибонуклеиновых25 кислот, а кроме того, использование в качестве гибридизационных фильтров микропористых капроновых мембран производствазавода "Химфил" р/к "Хийу Калур" позволяет расширить ассортимент микропористых30 мембран, которые могут быть...

Номер патента: 1803717

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Дымшиц, Клиндухов, Криничный

МПК: G01B 7/00

Метки: датчик, емкостный, перемещений

...подвижной пластины 4 относительнонеподвижной 1 емкости между гребенчатыми 25электродами 2-5,2-6, и 2-7 будут изменяться,как показано кривыми С 1, С 2 и Сз соответст. венно на фиг.З, При полном совмещении первого гребенчатого электрода 5 подвижнойпластины 4 с гребенчатым электродом 2 не- ЗОподвижной пластины 1 емкость С 1 между ними будет максимальной и такое положениеможно принять за точку отсчета.При этом емкости второго б и реьеО7 гребенчатых электродов. будут минималь- З 5ными, так как штыри этих электродов непересекаются со штырями электрода 2 неподвижной пластины 1, При движении вправо подвижной пластинь 4 через полшага1 П Ь равного ширине штыря второго б и 40третьего электродов 7, емкость С 2 будетОставаться минимальной, д...

Номер патента: 1801512

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Дымшиц, Пчельников, Розовская, Шпитальный

МПК: A61N 1/06

Метки: вч-терапии, электрод

...типа, содержащую основную часть электрической энергии, беспрепятственно пропускать попе волны магнитного типа, энергия электрического поля которой по крайней мере в квадрат замедления раз меньше энергии магнитного поля. При этом проводник 9 находится под потенциалом внешнего проводника 4 ввода 3 и между ним и обрабатываемым участком тела не возникает дополнительного напряжения. Отсутствие магнитных свойств тканей тела приводит к отсутствию влияния на резонансную частоту электрода и необходимости соответствующей подстройки. Необходимые для обеспечения заданной резонансной частоты 1 размеры замедляющей системы, образованной проводниками 7 и 9, могут быть рассчитань 1 из следующих соображений, Как известно замедление и волны в...

Номер патента: 1781657

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Дымшиц, Листратова, Фабро

МПК: G02B 5/18

Метки: отражательной, решетки, фазовой

...Р = 50 х 50 мм, толщиной 1,5 мм, Посажена на оптический контакт на подложку из стекла К 8. Наружную поверхность шайбы полируют на плоскость под углом к "внутренней" поверхности так, что Н = 1 мм, а и "0,75 мм, Сборку погружают на 1 чэс в 0,15 М-раствор соляной кислоты при температуре 50 С, Для равномерного протравливания канавок в шайбе ее опускают в кислоту постепенно, начиная с толстого края, со скоростью 4 мм/мин, После окончания травления шайбу промывают и высушивают, а затем в вакуумной камере на систему в сборке напыляют со стороны шайбы слой алюминия толщиной 10 мкм, Изготовленное таким образом устройство закрепляют в оправе-держателе,На фиг. 1 схематически изображено устройство в сборке до протравливания; на фиг, 2 - то же...

Номер патента: 1774526

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Дымшиц, Мамонтов, Мицкис, Пчельников

МПК: H05B 6/64

Метки: диэлектриков, плоских, термообработки

...другого соседнего проводника.На фиг.1 представлено сечение предложенного устройства; на фиг. 2 - вид А на фиг.1; на фиг. 3 - зависимости замедления и электромагнитной волны от частоты 1,Устройство содержит металлическую камеру 1 с коаксиальным вводом 2 электро 1774526магнитной энергии, замедляющие системы 3 и 4, идентичные геометрическим размерам, но сдвинутые друг относительно друга в продольном направлении на половину периода. Входной конец замедляющей систе мы 3 соединен с внутренним проводником коаксиального ввода 2, а входной конец замедляющей системы 4 - со стенками камеры 1 перемычкой 5, Выходные концы замедляющих систем 3 и 4 соединены пе ремычками 6 и 7 со стенками камеры 1, Если генератор электромагнитных колебаний (на...

Номер патента: 1764020

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Дымшиц

МПК: G02B 26/06, G02B 5/10

Метки: адаптивное, зеркало

...от внешнего источника, Оно распределено между слоями 2, 3 и подлОжкой 4-5 в соответствии со значениями их толщин, диэлектрических проницаемостей и проводимостей. (Распределение напряжения может быть задано также с помощью внешнего делителя, не показанного на чертеже), Положим, для иллюстративных целей, что диэлектрические проницаемости и проводимости слоев и подложки одинаковы, Тогда падение напряжения на этих элементах оказывается пропорциональным их толщинам. Пусть например, толщины слоев 2 и 3 равны 0,5 мкм, толщина подложки - 100 мкм и величина внешнего напряжения от источника - 1 кВ, При этом практически все напряжение приходится на подложку и электрическое поле в слое 2 составляет 10 В/см. Такое поле не оказывает заметно 5го...

Номер патента: 1762226

Опубликовано: 15.09.1992

Автор: Дымшиц

МПК: G01N 29/06

Метки: акустических, визуализации, колебаний

...к выходу источника электрического потенциала, усилитель электронного потока выполнен в виде микроканального умножителя, расположенного между управляющей сеткой и люминесцентным экраном.Источник электронов может быть выполнен в виде автоэмиссионного катода или фотокатода, причем в последнем случае он может быть снабжен источником подсветки,На чертеже приведена общая схема устройства для визуализации акустических колебаний,Устройство содержит вакуумированный корпус 1 с входным окном 2, перекрытым пластиной 3 из пьезоэлектрического материала и установленные в корпусе 1 источник 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 4 электронов и усилитель 5 электронного потока и люминесцентный экран 6, управляющую сетку 7, размещенную между источником 4...

Номер патента: 1756852

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Голов, Дымшиц, Румянцев, Тарасенко

МПК: G02B 27/10

Метки: мультиплексор

...может быть выполнена в видеЗ 0 усеченного конуса или пирамиды с решеткой, помещенной в вершине, и угломрп,г при вершине, выбранным из условиярп, г Агсэи (пгЯlб)35причем размеры секторов и бленды выбраны из условияОг /Ь (19 фп +1, г - тд фи, г ),40рп +1,1 =Агсзпп+1) Л И.На фиг,1-4 представлены варианты устройства мультиплексора,Мультиплексор содержит дифракционную решетку 3, помещенную в корпус 2 изакрепленную гайкой 4, бленду 1 и рассекатель 5, разделяющий бленду на продольныесекторы, отражающее покрытие 15; колпа 0 чок 16; оптическую систему 8; обьект 7,изображение которого мультиплицируется пофрагментамрадающее излучение 6, излучение 9,10 с длинами волн Аг и л 2, соответственно, направленное в дифрагкционныймаксимум нулевого...

Номер патента: 1745218

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Дымшиц, Марин, Пчельников

МПК: A61B 17/32, A61N 5/02

Метки: микроволновый, скальпель

...щелевая меандр-линия, заглушенная с одного конца и соединенная с коаксиальным вводом с другого конца.Недостатком известного микроволнового скальпеля является то, что концентрация электромагнитного поля в нем равномерна по ширине меандр-линии, т,е, одинаковая как непосредствейно у режущей кромки, так и на расстоянии, равном ширине меандр - линии, что снижает эффективность коагуляции и увеличивает требуемую мощность генератора.Целью изобретения является повышение коагулирующего эффекта.Цель достигается тем, что замедляющаясистема выполнена в виде двух идентичных штыревых гребенок, сдвинутых одна относительно другой в продольном направлении на половину периода и нанесенных на боковые Микроволновый скальпель содержит корпус 1,...

Номер патента: 1744686

Опубликовано: 30.06.1992

Автор: Дымшиц

МПК: G02B 26/00

Метки: зеркальный, модулятор, пространственно-временной, света

...схема эмиттера электронов в предложенном ЗПВМС,ЗПВМСсодержит корпус 1, прозрачный электрод 2, гибкую отражающую мембрану 3, нанесенную через диэлектрическую подложку 4 на торец МКП (МКЭУ) 6, с электродами 6 и 7, входной торец МКП закрыт тонкой фольгой 8, между МКП 6 и прозрачным для управляющего излучения 13 авто- эмиссионным катодом 12 размещена фотопроводящая пластина (9, 10 и 11). Она представляет собой диэлектрическую, например, лейкосапфировую или бериллиевокерамическую пластину 11, выполненную в виде матрицы-решетки со сквозными каналами. Стенки каналов покрыты слоем фотопроводящего материала, например, кремния или германия, легированного золотом. На противоположный катоду 12 торец пластины нанесен электрод 9. Между ним и...

Номер патента: 1733688

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Гельман, Дымшиц, Лифшиц, Станишевский

МПК: F04B 37/14

Метки: вакууме, высоком, исследования, процессов, физических

...к, которым присоединены средства откачки с вентилями, оси патрубков расположены в одной плоскости поперечного сечения вакуумпровода в радиальном направлении, при этом д метр вакуумпровода выбирают удовлет ряющим следующему выражению е Ов - диаметр вакуумпровода, см 0 - максимальный газовый пото л тор. щий из рабочей камеры сОси патрубков 5 расположены в плоскости поперечного сечения вакуумпровода 3, диаметр которого Ов связан с параметрами установки указанной зависимостью 5 Ов =1114я +иЗависимость позволяет рассчитать оп тимальную величину диаметра вакуумпровода при проектировании установки с учетом максимальной величины потока газа, который необходимо откачать при проведении физических процессов в той или иной 15 области...

Номер патента: 1728643

Опубликовано: 23.04.1992

Автор: Дымшиц

МПК: G01B 9/02

Метки: интерферометр

...на всю поверхность,Между пластиной и отражающими элементами дифракционной решетки может быть нанесено поглощающее покрытие, а на пропускающие элементы решетки - просветляющее покрытие. Это позволяет устранить блики, возникающие при многократном отражении излучения внутри пластины, и связанное с ними появление дополнительных дифракционнь 1 х максимумов, Тем самым повышается контрастность интерференционной картины.На фиг,1 изображен интерферометр; на фиг.2 - наложение волновых фронтов в двух дифракционных максимумах.Интерферометр содержит неплоскопараллельную прозрачную пластину 1, нанесенную на одну ее поверхность отражательно-пропускающую дифракционную решетку 2, отражатель 3 в виде сплошного слоя, покрывающего противоположную...

Номер патента: 1719973

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Дымшиц, Пчельников, Яворский

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрической, жидкости, потока, сплошности

...фиг, 1 изображено положение контролируемого потока диэлектрической жидкости в поле электромагнитной волны на фиг. 2 - схема, иллюстри. рующая предлагаемый способ, на фиг. 3 - эпюра распределения квадратов продольной составляющей электрического 40 поля Е и радиальной составляющейэлектрйческого поля Ег.Предлагаемый способ осуществляют следующим образом.Поток контролируемой диэлектричес-кой жидкости 1 проходит через диэлектрическую трубу 2 цилиндрической формы. Снаружи диэлектрической трубы 2 располагают диафрагмированный волновод 3 в котором с помощью генератоЭ50 ра 4 электромагнитных колебаний возбуждают эдектромагнитную волну аксиально-симметричного типа. Прошедшая через диафрагмированный волновод 3 электромагнитная волна падает...

Номер патента: 1695237

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Брыкин, Дымшиц, Мицкис, Пчельников, Синютина

МПК: G01R 22/02

Метки: металлической, поверхности, чистоты

...металлической поверхности заключается в том, что контролируемую поверхность помещают в электромагнитное поле, возбужденное в виде гибридной поверхностной волны в отрезке замедляющей системы. Контролируемую поверхность размещают параллельно поверхности замедляющей системы на расстоянии, менее одной шестой длины замедленной волны, Измеряют потери в отрезке замедляющей системы, по величине которых судят о шероховатости контролируемой металлической поверхности, 1 ил,системуволны, прпри устанповерхноР/Р 0 и поляют отлмой поввоз буждевыбираю, и сравнивают ееошедшей замедловке на расстоянсти, и по отношкалибровочномуичие шероховатоерхности от эталния электромагнт из условия1 р / 4 л 210маг где/ю - относительнаямость;Р - удельное...

Номер патента: 1691799

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Баскир, Дымшиц, Лимаренко, Маргания, Палатник

МПК: G01R 33/12

Метки: величине, коэрцитивной, магнитомягкого, силы

...очередного импульса генератора 27,В случае отсутствия измеряемой детали 20 в соленоиде 1 переключающий контакт 38, который управляется датчиком 19, является замкнутым с контактом 40, а не с контактом 39, в результате чего в момент появления сигнала "единица" на выходе "Восемь" дешифратора 30 схема блока 16 устанавливается в исходное состояние и описанные выше сигналы "единица" на первом и четвертом выходах блока 16 не выдаются,В случае неосуществления компенсации разбаланса усилителей или внешнего магнитного поля. т,е. при поступлении сигнала "единица" на второй вход блока 16, прекращается прохождение импульсов генератора 33 через элемент 32 на счетный вход счетчика 31, В этом случае счетчик 31 и, таким образом, дешифратор 30...

Номер патента: 1682948

Опубликовано: 07.10.1991

Автор: Дымшиц

МПК: G02B 5/10

Метки: зеркало

...ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Изобретение относится к оптическому приборостроению и может быть использовано в оптических приборах в качестве диагностического элемента для анализа волнового фронта и как выходное зеркало лазера.Цель изобретения - улучшение условий охлаждения дырчатых зеркал,На чертеже представлено зеркало, разрез.Зеркало содержит стеклянное основание 1, выполненное в виде микроканальной пластины, на которое нанесен теплопроводящий слой 2 и отражающее покрытие 3. При этом отражающеепокрытие 3 нанесено на торцовую поверхность пластины 1 поверх теплопроводящего слоя 2.Зеркало работает следующим образом.При облучении его со стороны...

Номер патента: 1674037

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Дымшиц, Палто, Юдин

МПК: G02B 5/00, G02F 1/00

Метки: зеркало, управляемое

...2 и 4, электронный поток 9. На соответствующих участках диэлектрического слоя 5 накапливается заряд, в результате чего между этими участками и прозрачным электродом 8, к которому приложено смещающее напряжение от источника(не показан), Возникает дополнительное (управляющее) локальное электрическое поле. В этом поле резонансные энергетичеСкие уровни (или узкие полосы поглощения) Смещаются, а в случае вырождения расщепляются (эффект Штарка), 8 результате изменяется величина поглощения в слое 7 6 читывающего монохроматического резонансного излучения 10, Поэтому при отражении луча 10 от экспонированных участков Слоя 6 интенсивность луча меняется. Изменение величины коэффициента отражения от зеркала определяется экспозицией.При...

Номер патента: 1672210

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Амельянец, Дымшиц, Пчельников, Синютина

МПК: G01B 15/02

Метки: диаметра, диэлектрических, формы, цилиндрической

...замедля ющую систему 2 цилиндрической формы, фазометр 3, конт 2(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДИАМЕТРА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ ЦИЛИНДРИЧЕСКОЙ ФОРМЫ(57) Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения - увеличение точности измерений за счет обеспечения высокой стабильности зависимости фаэовой скорости поверхностной волны от диаметра контролируемой детали и несущественности влияния изменений диэлектрической проницаемости материала детали на фазовую скорость вышеуказанной поверхности волны. Деталь цилиндрической формы устанавливают по оси замедляющей системы, возбуждают в замедляющей системе аксиально-симметричную поверхностную волну и измеряют фазовое время запаздывания, по величине которого судят о диаметре контролируемой...

Номер патента: 1670393

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Дымшиц, Палто, Юдин

МПК: G01B 11/26

Метки: прибор, угломерный

...1 пропускают через датч выполненный в виде слоя анизо поглощающего красителя 3, нанес подложку 4 и предназначенного ления с контролируемым объектом вороте обьекта изменяется угол излучения на аниэотропный слой к в результате чего изменяется его к ент поглощения излучения, Пр анизотропный слой излучение пр приемником 5 и по изменению сигнала с приемника судят об угле обьекта. 1 с.п, и 4 з,п, ф-лы, 5 ил. ик 2 угла, тропного енного на для скреп, При по- падения расителя,оэффици ошедшееинимдют величины поворота1 б 70393 2 фИГ 1 прошедшего сквозь слой 3, от величины угла О,Повышению чувствительности прибора служит и нанесение на поверхности слоя 3 электродов 7. При подаче на них переменного или частотно-импульсного напряжения от...

Номер патента: 1648504

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Дымшиц, Кретлова, Никитин, Пчельников

МПК: A61N 5/02

Метки: вч-терапии, излучатель

...энергии. Далее электромагнитная волна возбуждается и распространяется между проводниками 3 и 4 двухзаходной спиральной замедляющей системы, Отношение шага и каждого из проводников 3 и 4 к их ширине Р выбирается исходя из получения необходимого волнового сопротивления для согласования с генератором. Абсолютное значение шага и выбирается исходя из требуемой глубины проникновения энергии электромагнитного поля в тело. Так как двухзаходная спиральная замедляющая система представляет собой свернутую двухпроводную линию, то замедление волны в ней близко к геометрическому, т,е. к отноше Формула изобретенияИзлучатель для ВЧ-терапии, содержащий диэлектрический каркас и намотаннуюна него спиральную замедляющую систему,30 соединенную с...

Номер патента: 1648503

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Дымшиц, Кретлова, Никитин, Пчельников

МПК: A61N 5/02

Метки: излучатель, микроволновой, терапии

...водником 4 коаксиального ввода эл магнитной энергии. Наружный право коаксиального ввода электромагн энергии соединен с экраном 3 иэлучаУстройство работает следующим зом. а СВЧ-мошности по коакю (не показаны) через коаклектромагнитная энергия кую замедляющую структубраэованную проводника- а а меандра излучающего сота Ь меандра, шаг меанс между соседними проводние б между излучающим экраном 3 выбираются эксисходя из условия получесопротивления, равного отивлению коаксиэльного От генераторсиальному кабелсиальный ввод эподается на плосру типа меандр, оми 2 и 3. Ширинпроводника 2. выдра й, расстояниениками и расстояпроводником 2 ипериментально,НИЯ ВОЛНОВОГОволновому сопр1648503 Формула изобретения Составитель О, Ле Текред М.Моргента...

Номер патента: 1648502

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Дымшиц, Кретлова, Никитин, Пчельников

МПК: A61N 5/02

Метки: вч-терапии, излучатель, органов, полостных

...Снаружи внешнего проводника 3 устанавливается съемный диэлектрический кожух 5, Внутренний проводник 1 соединен с одним из концов симметричного разъема 6, а внешний проводник 3 - с другим концом симметричного разъема 6. Разъем 6 закреплен в кожухе 5 с помощью стопорной гайки 7. При работе резонатора в режиме короткого замыкания проводники 1 и 3 замкнуты на конце перемычкой 8.Устройство работает следующим образом. От ВЧ-генератора (не показан) через стандартную симметричную линию электромагнитная энергия подается на симметричный разъем 6, Далее электромагнитная волна возбуждается между внутренним проводником 1 и внешним проводником 3, Благодаря противоположному направлению намотки шпилей, образующих проводники 1 и 3, основная часть...

Номер патента: 1647307

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Амельянец, Дымшиц, Пчельников, Яворский

МПК: G01L 9/10

Метки: давления

...спиралей 11 и 12 для поверхностной электромагнитной волны противофазного типа.Устройство работает следующим образом.Электрическое напряжение с выхода усилителя 17 через кабели 15 и 16 прикладывается в противофазе к периФерийным концам спиралей 11 и 12 и возбуждает в иих поверхностную элек" тромагнитную волну противофазного типа, После прохождения по спиралям 11 и 12 волна возбуждает в кабелях 13 и 14 электрическое напряжение, поступающее на вход усилителя 1 7. Это напряжение усиливается и вновь поступает на спирали 11 и 12. В результате система: усилитель - спирали 11 и 12 - кабели 13-16, - самовозбуждается и генерирует стационарные автоколебапия, частота которых определяется временем запаздывания Фазы волны в спиралях 11 и...

Номер патента: 1640529

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Дымшиц, Желтов, Калугин, Листратова, Прохоров, Фабро, Шехтман

МПК: G01B 9/02

Метки: интерферометр

...порядка определяется выражением в 1 п а 2 = и л, /б, где б - шаг решетки, 1640529длина волны излучения. Излучение, отразившееся от решетки 3 в максимум того же и-го порядка, направлено под углом а 1, определяемым выражением зи а= (п- -2 Ь)/О, где Л- разность глубин друх соседних полостей. Видно, что аа р, Кроме того, из сопоставления выражений для гхоз и а 2 следует, что разность а 2 - адля различных дифракционных максимумов различна, Следовательно, различна и величина смещения волновых фронтов, отраженных от решеток 2 и 3. Таким образом, в максимумах разных порядков одновременно образуются интерференционные картины с различной величиной сдвига.Величина сдвига волновых фронтов в максимумах в интерферометре задается заранее самой...

Номер патента: 1638693

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Дымшиц, Палто, Штыков, Юдин

МПК: G02B 5/10

Метки: зеркало, управляемое

...электроды 3 и 4соответствующие участки многослойноймембраны 5-8 прогибаются под действием поля внутрь.,полости 4. При отражении считывающего излучения 9 от данных участков появляется набег фазы.Кроме того, при деформации пьезооптического споя 8 в нем происходит изменение оптической анизотронии. Поэтому 10при отражении считывающего луча 9от деформированной мембраны вследствие двукратного прохождения слоя 8имеет место как дополнительный набегфазы, так и изменение амплитуды, Глуби на модуляции при этом для естественного света не вьпве 5 ОХ. В случае широкополосного излученияпропорциональность изменения амплиту,ды и фазы дает возможность напрямую 1. Управляемое зеркало, содержащее гибкую отражающую мембрану, натянутую на перфорированную...

Номер патента: 1627841

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Дымшиц, Мицкис, Пчельников

МПК: G01F 1/34

Метки: газа, массового, потока, расхода

...8 и сетками 11 и 12, На резоцлцсцых частотах каждого из участков резко возрастает поглощение электромагнитных колеблций, что Аиксируется устройством б регистрации резоцлцсцых частот. ИАормлц 11 я о резоцлцсцых частотах поступает в микропроцессорное устройство 7, в котором в соответствии с заложецой программой определяются зцачеция отцосителгп 1 ой диэлектрической прсьцицлемостью С;с, потока газа ца участке 9 трубопровода 5 и относительной диэлектричес.кой проницаемости Я ца участке 10 трубопроволя 5 и пл (оотошециюгде 5 - ксэААпиецт проплрциоальсцлстп,лирееляют массовый расход О , Велимчиназависит от сечеия трубопровода и отверстия пилЬрсзгмн.Способ измеряив массоого расходапотока газа сеоли цл (ом, что диэлектрическая...

Номер патента: 1626082

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Дымшиц, Пчельников, Фадеев, Федичкин

МПК: G01B 7/14

Метки: металлической, поверхности, расстояния

...в диэлектрической пластине 2 и в диэлектрической плате 11. т е, в зоне между спиралями 3 и 4 и в области между спиралью 3 и экраном 12. Благодаря отсутствию аэимутальной проводимости экрана 12 основная часть магнитного поля электромагнитной волны беспрепятственно проходит в область снаружи экрана 12 и наводит азимутальные токи в металлической поверхности объекта 13, Магнитное поле наведенных в поверхности контролируемого объекта 13 тоов вычитается иэ магнитного поля, создаваемого токами в спиралях 3 и 4, что приводит к уменьшению погонной индуктивности Ь этих спиралей. Благодаря наличию экрана 12, закрепленного на поверхности платы, радиальные токи в объекте 13 не возбуждаются, вследствие чего расстояние д до его поверхности не влияет на...

Номер патента: 1618451

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Бугаец, Галяпа, Дымшиц, Петьков, Шиманович

МПК: B04B 11/02

Метки: центрифуги, электроприводом

...генератора тактовые импуль(счетчик 21, ешиф ато 22устройство 23 в исходное состояние, В этом сы О частотой 1 Гц.случае на входах запоминающего устройст- В этом случае с выхода третьего элеменва 23 (памяти). кроме первого (01), устанав та И - НЕ 20 проходят тактирующие импульливаются "Лог,0", которые поступают на .сы с интервалом 1 с на счетный вход (С 1)входы составного по набору элемента И - НЕ счетчика 21 импульсов. Если в процессе рата 24 к ом ио у на выходах логического элемен- боты центрифуги в электродвигателта, кроме первого 24.1, устанавливаются . кает ток, что происходит при разгоне или"Лог. 1" и транзисторные ключи 25, кроме 40 торможении, когда величина тока превыша 25. 1, закрыты. ет установку срабатывания нуль-индикатоПри...