Патенты с меткой «тензопреобразователя»

Номер патента: 1232968

Опубликовано: 23.05.1986

Авторы: Бушланов, Евдокимов, Котляревская, Хасиков

МПК: G01L 9/04

Метки: тензопреобразователя

...по интегральной полупроводниковой технологии. Далее прикрепля"ют подложку 2 к поверхности мембраны1, например, пайкой,Затем в мембране 1 создается нарастающая деформация от нуля. Получить требуемый процесс деформации вмембране 1 можно, например, подачейжидкости или газа под давлением вподмембранную полость, образованнуюмембраной 1 и кольцом 7. Давление вподмембранной полости увеличивают дообразования трещин 4 в подложке 2под тензорезисторами 3, что можноопределить, например, визуально илипо скачкообразному изменению сопротивления тензорезисторов 3.Изменения сопротивления тензорезистора можно контролировать с помощью самопишущего омметра, подключенного к соответствующему тензорезистору 3.Для того, чтобы надежно...

Номер патента: 1290110

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Бондарь, Ваймер, Козеев, Ноздреватых

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, тензопреобразователя

...предприятие, г,ужгород, ул.Проектная,4 Изобретение относится к измерительной технике, а именно к датчикам механических величин, и может быть использовано в преобразователях механических и акустических давлений в электрический сигнал.Целью изобретения является упрощение технологии изготовления.Способ изготовления тензопреобразователя осуществляют следующим образом.Вырезают полупроводниковую пластину, ориентированную в плоскости 1100), Производят определение базового кристяллографического направления 1103, например, методом скола, или по геометрии фигур травления, или методом световых фигур. Наносят сначала сплошной металлический слой, затем слой фоторезиста. После этого поворачивают ось фото- шаблона, параллельную созданному...

Номер патента: 1493890

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Бондарь, Козеев

МПК: G01L 9/04

Метки: питания, полупроводникового, раздельными, тензопреобразователя, цепями

...меньшими 1-2 мкм, связано с большими трудностями, т.е, необходимо очень сложное и дорогостоящее оборудование для создания фотошаблонов и металлической разводки.Толщина диэлектрической подложки 1, например сапфировой, определяется толщиной исходной КНС пластины, изготавливаемой промышленностью, и составляет от 0,2 до 0,4 мм.Затем к токовым контактам 3,4 подключают источник 7 постоянного тока (фиг.4). Выходной сигнал, пропорциональный величине прикладываемой механической нагрузки, должен измеряться вольтметром 8 на выходных контактах 5,6.При пропускании тока через контакты 3,4 при нулевой механической на - груэке на выходных контактах 5,6 возникает начальный сигнал. Этот сигнал обусловлен либо не перпендикулярным расположением...

Номер патента: 1530952

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Белозубов, Жучков, Косогоров, Тельпов

МПК: G01L 9/04

Метки: интегрального, полупроводникового, тензопреобразователя

...точностью преобразования эа счет устранения нелинейности преобразователя, Это достигается тенэочувствительностью термореэистора К включенного в выходную цепь, и выбором его рас.положения на чувствительном элементе в соответствии с величиной и знаком нелинейнос ти мостовой иэмерительной цепи тензопреобразователя давления,Способ изготовления. интегрального полупроводникового тенэопреобразователя, включающий подготовку рабочего элемента путем формирования на полупроводниковой мембране методом интегральной технологии тенэорезисторов, соединенных в мостовую схему, добавочного резистора и терморезистора, последующего измерения тензочувствительности схемы Б, а также тензочувствительности терморезистора Б , выходного сигнала и его...

Номер патента: 1827533

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Дец, Куликов

МПК: G01B 7/16

Метки: дискретного, тензопреобразователя, чувствительности

...в делитель 2 дополнительного резистора 7 (Й 9) позволяет без увеличения количества и дискретно-управляемыхрезисторов 9 дополнительно увеличить коэффициент использования шкалы регистратора 16 при О = сопи или, наоборот,дополнительно расширить диапазон 0 присохранении заданного значения коэффициента использования шкалы регистратора. Практически подключение резистора 89 к делителю 2 осуществляется контактами 8 переключателя 10 в тех случаях, когда все резисторы 9 (Я 2, ВЗ,., Вп) отключены от цепи,Устройство работает следующим образом.Под воздействием измеряемой относительной деформации г: сопротивление каждого тензорезистора тензопреобразователя 14 изменяется на величину ЬЯ, вследствие чего при использовании источника...