Способ определения парциальных толщин многокомпонентных пленок

Номер патента: 684299

Опубликовано: 05.09.1979

Авторы: Конев, Любецкий, Пунько

МПК: G01B 11/06

Метки: пленок, подложках, толщины, тонких

...индекс. Кроме того, установка содержит анализатор 7, приемник 8 излучения, усилитель 9 и синхродетектор 10. Эллиптичность определяется по индикатору 11.Способ осуществляется следующим образом.Излучение от генератора 1 проходит фокусируюшую линзу 2, модулятор 3, врашатель 4 плоскости поляризации, анализатор 5 и под р попадает на контрольную подложку 6 с пленкой. Отраженное деполяризованное излучение, пройдя через анализатор 7 попадает на приемник 8, сигнал с которого усиливается усилителем 9 и детектируется на синхродетекторе 10.Эллиптичность определяется по настройке индикатора 11 по минимуму показаний детектора путем вращения анализатора 7, это соответствует измерению величины малой оси эллипса поляризации, при этом по лимбу...

Номер патента: 947640

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Мокеров, Петрова

МПК: G01B 11/06

Метки: пленки, подложке, толщины

...падения излучения на,60 образец, близкого к нормальному, эти величины вычисляют по Формулам)3/оЛЬ4 вЬаИнтервал толщин Ь, измеряемыхданным способом, составляет от0,001 мкм до Л /2 (граничение, обусловленное теоретической модельюрасчета 1), т.е. при использованииНе-Ме лазера с длиной волны Л:0,63 мкм верхний предел Ь равенн0,3 мкм. Точность измерений величины Ь при использовании лазера состабилизированной мощностью излучения не хуже 10.Технологический процесс формирования отражательной Фазовой дифракционной решетки на подложке 3(фиг.2-6) сводится к нанесениюотражающего покрытия 7 из того жематериала, что и пленка, на подложку 3 (фиг.2); нанесению слоя 8 материала, обладающего свойствомселективного травления по отношению к материалу...

Номер патента: 989317

Опубликовано: 15.01.1983

Автор: Улозас

МПК: G01B 7/06

Метки: масляной, непрерывного, пленки, подшипнике, скольжения, толщины

...скольжения.На чертеже представлено описываемое устройство.Устройство содержит вал 1, в кото"ром расположен электрод 2 измерительного конденсатора, второй электрод 3 которого образован вкладышем контролируемого подшипника, измерительную схему 4, ко входу которой подключены электроды 2 и 3, сФерическое ккнеитическое звено 5 и агрегат 6 силового нагружения, связанный с вкладоаем подшипника через сФерическое кинематическое звено 5.Устройство работает следующим образом.При вращении вала 1 изменяется толщина масляной пленки в смазочном клине и тем самьи емкость койденса-, тора, образуемого электродами 2 и 3. Характер распределения масляной плен кк по окружности вала определяется измерением емкости конденсатора прк различных положениях вала,...

Номер патента: 1322086

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Леус, Шевелева

МПК: G01B 11/06

Метки: водоема, дистанционного, нефтяной, пленки, поверхности, толщины

...нефтяную пленку 4, след5 судна 3, по периферии которого находится нефтяная пленка 4, отрезок ОКмонотонного изменения толщины пленки6, расположенный перпендикулярно следу 5 судна 3, начало которого распо Оложено в центре следа, где еще существует чистая вода 7, а конец - запериферией пятна (следа) в областиневозмущенной неоднородной пленки,интерференционные полосы 8 равнойтолщины,Предлагаемый способ осуществляетсяследующим образом.Источником 1 излучения, напримерсолнцем, облучают нефтяную пленку 4. 40Спектрограф 2 устанавливают на бортусамолета (не показан), Судно 3 пересекает нефтяную пленку 4, образуяполосу чистой воды, по периферии которой находится нефтяная пленка 4. 45Ориентируют входную щель спектрографа2 вдоль отрезка,...

Номер патента: 1566204

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Воробьев, Кац, Марков, Усик

МПК: G01B 11/06

Метки: многослойной, пленки, слоев, толщины

...части можно записать в видеЗ Л = 1 ОЛ " )1 2 Л ПЕхр- КХх Ь;Ээ(8)56620 Ьх 17 лгде 1 ол ф "л фл8, К.1 / интенсивность излучения в формируемой источникомвспышке оптиче- .ского излучения,коэффициенты пропускания первого6 и второго 7 све- Отоводов и коэффициент ослабленияизлучения материалом э.-го слоя 15 Аии= ехр Полученные на каждом э-м фотоприемнике сигналы поступают в блок 4преобразования сигналов, где находится отношение видал(14) 50 для длины волныВ соответственно,В результате, одновременно каждым из фотоприемникон 3 фиксируется импульс, амплитуда которого 1 о,л; ю,л;2 ал,ПекрЕ К 1,л хо,ио,л. "л" л. ф э,л П "213э э 3.К 1 +кл. +1 Система (14) разрешима относительно Е. только в том случае, если все уравнения в ней линейно...