Микросхема
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАЙКЕизоьеитения К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик(22) Заявлено 19.12,72 (21) 1855795/26(51) М. Кл. Н 05 КЗ/ с присоединением заявкиГасударственные комнтет Соната Мннкстраа СССР ао делам кэобретеннй и открмтнй(45) Дата опубликования описания 25.10,76(72) Авторы изобретени Г. Сможсо и Н. М. Чиков 71) Заявител 4) МИКРОСХЕМА мы, содержащие подметалла с анодной поверхности, развопы, резисторы и конден Известны микросхеложку из вентильногоокисной пленкой на ееку, активные элементсаторы.Цель изобретения - повышение плотности монтажа и надежности схемы.Предлагаемая микросхема отличается тем, что все ее элементы сформированы ие - посредственно иа одной анодиой окиснойплеике, причем ь качестве одной из обкладок конденсаторов использована металлическая подложкаМикросхема имеет алюминиевую подложку. Кроме алюминия можно использовать титан, тантал, ниобий, никель, олово и.и сплавы этих металлов, На поверхности подложки с зеркальным классом чистоты (12-14) сформирована толстая, плотная аиодная окисная пленка, а все элементы размещены в одном слое непосредственно иа подложке, что позволяет производить ГИС для устройств, работающих в условиях сильных вибрационных и ударных нагрузок, значительно упрощает технологии и обеспечивает высокую мощность рассеивания тепла,Микросхема приведена на чергеже.Подложка 1 может быгь выполнена, например, из листового алюминия толщинойпорядка 0,5-3,0 мм, оптимально 0,5-1,5 мм,с зеркальной поверхностью (12-14 классчистоты), верхняя поверхность которогопокрыта вакуумплотиой диэлектрической анодО ной окисиой пленкой 2 толщиной не менее10 мкм. На планке сформирована известным путемпассивная микросхема, содержащая ковденса гор, состоящий из нижнего электрода 3, диэлектрика 4 и верхнего электрода 5, резисторы 6, конденсатор 7, транзистор 8, контактные площадки 9 и токоведущие дорожки 10-1 б.Нижней обкладкой конденсатора служит ме таллическая часть подложки, кОторая ОднОвременно является теплоотводом и заземляющей шиной; верхний электрод может быть выпотнен из алюминия, золота и т.п., в качестве диэлектрика используют окисный слой 25 са. Ой подложки,470249 Составитель М. РуденкоРедактор Б, Федотов Техред Л. Демьянова Корректор Б. Юнас Заказ 49821436 Тираж 1 О 29 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5лиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Эта схема представляет собой эмиттерный повторитель, в котором резисторы 6 играют роль нагрузки в цепи эмиттера и базы транзистора 8.Формула изобретения Микросхема, содержащая подложку из вентильного металла с анодной окисной плеи кой на ее поверхности, разводку, активные элементы, резисторы и конденсаторы, о тличающ а я с я тем, что с целью повышения плотности монтажа и ,надежности, все элементы сформированы непосредственно на анодной окисной пленке, причем в качестве одной из обкладок конденсаторов использована металлическая подложка.
СмотретьЗаявка
1855795, 19.12.1972
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4515
СМОЛКО Г. Г, ЧИКОВАНИ Н. М
МПК / Метки
МПК: H05K 3/00
Метки: микросхема
Опубликовано: 05.08.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-470249-mikroskhema.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Микросхема</a>
Предыдущий патент: Управляемый мультивибратор
Следующий патент: Мультивибратор
Случайный патент: Способ измерения параметров угловой модуляции оптического излучения