Микросхема

ОП, И С А Н И Е 365869ИЗОБРЕТЕН ИЯ Сова Соеетонна Соцналнстнческна Роспублна.Ч, Кл, Н 051 с 5/06 явки Ъ присоединением Комитет ло делам наабретеиий н отирытн орн Сонете Мнииотроа СССР, Лейкин и Б. Б. Лейкина явител МИКРОСХЕМА мостабцлцзацией (кри Изобретение относится и ооласти микроэлектроники и может быть использовано в радиоэлектронной аппаратуре.Известны микросхемы, выполненные в виде расположенной в корпусе подложки с размещенными ца ней активными и пассивными элементами,Однако известные микросхемы обладают низкой температурной стабильностью пара. метров,С целью повышения температурной стабильности параметров в предлагаемой микросхеме между подложкой и корпусом расположен терморезистор с положительным температурным коэффициентом сопротивления. На фиг, 1 показана предлагаемая микросхема, выполненная в плоском металло-стеклянном корпусе с торцевым расположением выводов; на фиг. 2 - предлагаемая микросхема, выполненная в пластмассовом корпусе с торцевым расположением выводов; на фиг. 3 - график зависимости температуры подложки от температуры окружающей среды; на фиг, 4 - графики зависимости величины относительной температурной нестабильности частоты следования импульсов генератора прямоугольных импульсов, выполненного в виде микросхемы, от температуры окружающей среды без термостабилизации(крцвая А) ц с тервая Б).Подложка микросхемы 1 (фиг. 1 и 2),склеенная с пластинкой терморезистора 2 с 5 положительным ТКС (позистор) по всей поверхности соприкосновения, образует термоблок с хорошим тепловым контактом. Пластинка терморезистора 2 имеет выступ 3, к верхней кромке которого припаяц провода ник 4, соединенный с одним из внешних выводов 5 микросхемы. Нижняя поверхность терморезистора 2 припаяна мягким припоем к донышку корпуса по всей поверхности соприкосновения (фцг. 1), образуя второй вы вод б терморезистора 2. Если корпус изготовлен из пластмассы (фцг, 2), то второй вывод б терморезцстора 2 образуется с помощью проволочной илц ленточной перемычки, соединяющей нижнюю поверхность тер морезцстора 2 с одним из внешних выводовмикросхемы, Для повышения механической прочности конструкции между термоблоком и корпусом микросхемы наносится слой клея 7; если корпус металло-стеклянный, то слой 25 клея наносится по боковым поверхностям,если же корпус пластмассовый, то термоблок склеивается с донышком.Примененный терморезистор 2 с положительным температурным коэффициентом созо противления (позистор) представляет собой3пластинку из полупроводниковой керамики, изготовленной на основе твердого раствора титаната бария, легированного редкоземельными элементами. Пластинка терморезистора 2 имеет металлизированные поверхности для подпайки выводов. Температурная зависимость сопротивления терморезистора 2 имеет резко релейный характер с ТКС, равным 15 - 207 О/С, в узком интервале температур. Этот интервал может быть смещен технологическим путем в обе стороны по температурной шкале в зависимости от заданных требований. В частности, для терморезисторов типа СТ 6 - 5 Б область резкого увеличения сопротивления лежит в диапазоне 70 - 90 С,При подаче на терморезистор 2 (позистор) фиксированного напряжения он выполняет функции саморегулирующего нагревательного элемента. Под действием приложенного напряжения терморезистор 2 (позистор) нагревается до температуры, соответствующей приблизительно точке сегнетоэлектрического фазового перехода - точке излома характеристики. При достижении температуры перехода сопротивление позистора резко повышается, и рассеиваемая мощность падает до незначительной величины,При изменении температуры окружающей среды устанавливается термодинамическое равновесие между мощностью, потребляемой позистором, температурой микросхемы и температурой окружающей среды, при этом значительному изменению температуры окружающей среды соответствует небольшое изменение температуры позистора и подложки микросхемы,График, приведенный на фиг. 3, иллюстрирует изменение температуры подложки микросхемы из ситалла марки СТ 50 - 1 размером 8 Х 10 мм, скленной с пластинкой терморезистора типа СТ 6 - 5 Б, помещенной в плоский металло-стеклянный корпус типа 252 МС 15 - 1, при изменении температуры окружающей среды от 60 до +100 С. Температура подложки измеряется при помощи миниатюрного термодатчика типа СТЗ - 19, приклеенного к подложке микросхемы эпоксидным компаундом. Микросхема находится в спокойной атмосфере в условиях свободного тедлообмена с окружающим воздухом. Из графика видно, что температура подложки 4микросхемы меняется лишь на 45 С - от +55 до +100 С при изменении температуры окружающей среды и от - 60 до +100 С.Графики, приведенные на фиг. 4, показы вают изменение частоты следования импульсов генератора прямоугольных импульсов в микросхемном исполнении при изменении температуры окружающей среды.Микросхема изготовлена по гибридно-пле О ночной технологии методом термовакуумногонапыления через свободную маску. Генератор представляет собой автоколебательный мультивибратор с коллекторно-базовыми связями и встроенными эмиттерными повторите лями, На подложке напылена пассивнаячасть схемы - пленочные резисторы на основе сплава МЛТ-ЗМ, пленочные конденсаторы на основе двуокиси кремния, соединительные пленочные проводники и контактные площад ки. Активные элементы (бескорпусные диодытипа КД 901 А и транзисторы типа 2 Т 307 Б) размещенные на подложке, присоединяются к контактным площадкам методом термокомпрессии. Подложка с элементами поме щается в плоский металло-стеклянный корпусразмером 24 Х 24 Х 4,2 мм с планарным расположением выводов. Кривая А показывает относительную нестабильность частоты мультивибратора без термостабилизации, кривая З 0 Б - с термостабилизацией, осуществленнойв соответствии с настоящим предложением.Из графиков видно, что относительная нестабильность частоты следования в диапазоне температур от - 60 до +100 С составля ет 12,4 о для схемы без термостабилизациии 2,74 для той же схемы, выполненной в соответствии с настоящим предложением.Таким образом температурная стабильность частоты повышается почти в пять раз.40Предмет изобретеп ия Микросхема, выполненная в виде расположенной в корпусе подложки с размещенными 45 на ней активными и пассивными элементами,отличаюи 1 аяся тем, что, с целью повышения температурной стабильности параметров микросхемы, между подложкой и корпусом расположен терморезистор с положительным 50 температурным коэффициентом сопротивлепия.-2 оставитель Ю, Ерк Тсхрсд Л. Грачева 1 зд. М 1092 Тиранделам изобретений и открытийМосква, Ж.35, Раушская нао., д Загорская типографи гО +ФО бо +до 0огр, С Корректор Е. Талалае