Мдп-интегральная микросхема пс-союзная., . -. -, v” lt; й5: j. n. ui4. ru. л1ч. б1ьл;: о.: на

Номер патента: 1345976

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/82

Метки: затвором, интегральных, мдп-транзисторов, микросхем, поликремниевым

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ, включающий создание на монокремниевой подложке полевого окисла, подзатворного окисла и поликремниевого затвора, формирование областей истока и стока, создание межслойной изоляции, вскрытие контактов и создание металлизации, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе, после создания поликремниевого затвора проводят его окисление при 800 - 900oС, травление окисла кремния по всей поверхности структуры до удаления его над участками формирования областей истока и стока и через полученную маску проводят ионное легирование монокремния для...

Номер патента: 1322929

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/8232

Метки: интегральных, мдп-транзисторов, микросхем

...Фотолитографическим споП р и м е р 1, Кремниевую монокристал- собом формируют поликремниевые здтооры 8. лическую подложку 1 р-типа проводимости После травления поликремния е хромо- КДВ 12 Ом см ориентации (100) окисляют вом трдеителе через слой подзатеорного диопри 1000 Свсредекислородасдобаелени- электрика проводят совместное ионное ем хлористого водорода до толщины пред легироеание областей 9 истока и стокд и верительного окисла кремния 2 - 60 нм, эатворое мышьяком с энергией 130 кэР и методом пиролизадихлорсилана в аммиаке дозой 1000 мкКл/см и фосфором с знерпри давлении 100 Па и температуре 800 С гией 100 кэВ и дозой 7 мкКл/см . Здтем наносят на слой 2 слой 3 нитрида кремния проводят разгонку имплантировднной притолщиной 100...

Номер патента: 1059626

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Глушков, Жемейцев, Журова

МПК: G11C 8/10

Метки: дешифратор, дополняющих, мдп-транзисторах

...из параллельно соединенных транзисторов р-типа2, управляющего транзистора И-типа3 транзистора обратной связи И -типа 4 и элемента ИЛИ-НЕ 5, инвертор 6, адресные элементы И-НЕ 7, 6причем выход инвертора 6 подключенк затворам управляющих транзисторов 3 логических ячеек 1, а еговход соединен с первыми входамиадресных элементов И-НЕ 7 и явля 60 ется управляющим входом 8 дешифра"тора, вторые входы каждой пары адресных элементов И-НЕ 7 являются:соответственно прямыми и инверсными адресными входами 9 дешифра 65 тора, затворы каждого из транзисторов 2 логических ячеек 1 подключены к одному из выходов пары адресных элементов И-НЕ 7 в соответствии с двоичным .кодом номера ячейки 1. Истоки транзисторов 2 подсоединены к шине 10 питания, а истоки...

Номер патента: 1798916

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Гавзов, Дрейман, Нагайцева

МПК: H03K 19/02

Метки: выходе, исключающее, логический, логическое, ложный, сигнал

...полярности, логическому "О" - импульсные сигналы положительной полярности, Повреждение элементов устройства приводить лишь к пропаданию логического сигнала на выходе(отсутствию импульсов или появлению постоянного напряжения), что является сигналом аварии и от которого последующие элементы не работают.На фиг,2 представлена принципиальная схема логического элемента, состоящего из оптоэлектронных ключей 4-7, входы которых являются входами устройства, а выходы соединены с входами выпрямителей 8 - 11, выходы выпрямителей 8, 10 соединены с входами первого управляемого генератора 12, выходы выпрямителей 9, 11 соединены друг с другом и с входом второго управляемого генератора 13. выходы 37 и 39 соответственно первого генератора 12 и...

Номер патента: 292220

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Берлииков

МПК: H03K 3/12

Метки: индуцированным, каналом, полевых, транзисторах, триггер

...на вход 11 импульса высокого напряжения фронт его передается через конденсатор 7 на затвор транзистора 1. Уровень напряжения, до которого за рядится конденсатор 18, определяется емкостцым делителем (7, 18). Прн емкости конденсатора 7, зна штельцопревышающей емкость конденсатора 18, ца15 затворе транзистора 1 окажется высокий уровень напряжения, Благодаря большой постоянной времени разряда конденсатора 18 (через сопротивление обратно смещенного диода17) высокий уровень на затворе транзистора20 1 сохранится в течение времени, достаточногодля перехода схемы из одного состояния вдругое,По окончании действия входного импульса срез его аналогичным образом передается25 на вход транзистора 1, и на его затворе устанавливается исходный...