Патенты с меткой «центров»

Номер патента: 1475940

Опубликовано: 30.04.1989

Авторы: Антипов, Блик, Васильковский, Данченко, Игнатьев, Конышев, Мирошниченко, Подольский, Раслин, Токмаков, Шумилин

МПК: C21D 9/34

Метки: колес, локомотивных, термической, центров

...с (вариант ) длительность 50охлаждения центра до температуры отпуска (500 С) увеличивается на 653 по сравнению с оптимальным режимом предлагаемого способа. При уменьшении величины снижения температуры внутренней .поверхности ступицы доо130 С (вариант 8) и соответственном уменьшении общей длительности обработки на ступени до 42 с увеличивается число необходимых ступеней и длительность охлаждения увеличивается на 503 по сравнению с оптимальным режимом. При увеличении указанной величины до 220 С (вариант 9) твердость стали на внутрвнней стороне ступицы достигает 285 НВ со значительным снижением ее обрабатываемостиТаким образом, предлагаемый способ по сравнению с известным обеспечивает сокращение длительности процесса термической обработки...

Номер патента: 1494880

Опубликовано: 23.07.1989

Авторы: Аллахвердиев, Жармухамедов, Климов, Шувалов

МПК: A01G 7/00

Метки: количества, растений, реакционных, фотосистемы-2, центров

...2 - 35 3 с в среде, содержащей 0,35 М МаС 1, 0,02 М трис-НС 1 буфер (РН 7,8) и 2 мг/мп аскорбата натрия. Фильтрат, полученный после отжимания массы через полотно в восемь слоев маРли, 40 центрифугируют в течение 1 мин при 1000 об/мин, осадок отбрасывают, а супернатант вновь центрифугируют при 5000 об/мин в течение 5 мин. Супернатант (обломки хлоропластов) от брасывают, а осадок целых хлоропластов ресуспендируют в среде, содержащей 15 мМ трис-НС 1 буфер (РН 7,8) 35 мМ КаС 1, 2 мМ МС 1 . КОнцентрацию хлорофилла определяют в 803-ном ацетоне, Определение количества РЦ ФСв хлоропластах проводят как в примере 1.Полученные результаты представлены в табл.2.П р и м е р 3. Ввщеление фрагментов хлоропластов, обогащенных ФС, проводят по известной...

Номер патента: 1502290

Опубликовано: 23.08.1989

Автор: Билык

МПК: B25D 5/00

Метки: кернения, осесимметричных, центров

...6,Одна сторона 7 губки 6 параллельнапротивоположной стороне 8 угольника,а другая сторона 9 расположена подуглом 45 к ней и имеет продольныйпаэ 10, пересекающийся с продольнымпазом 4 диагональной направляющей3, Направляющая втулка 1 с керном 2 З 0установлены в окне 11, образованномпересекающимися стенками продольныхпазов 4 и 10.Устройство для кернения центровосесимметричных деталей работает 35следующим образом.Подвижная губка 6 отводится от неподвижной стороны 8 угольника на расстояние, большее диаметра размечаемой детали 12. После этого устройство 40устанавливается плоскостью диагональной направляющей 3 на торец детали12. Одной рУкой угольник прижимаетсясторонами 5 и 8 к цилиндрической поверхности детали 12, а другой подвижная губка...

Номер патента: 1503004

Опубликовано: 23.08.1989

Авторы: Постнов, Юрченко

МПК: G01N 31/22

Метки: кислотных, поверхности, силы, твердого, тела, центров

...течение 2 ч, сушат под вакуумом,помещают на 3 ч в 0,002 1 растворМюйтетрацианэтилена в хлористом мети- Юлене, снова сушат под вакуумом. Изме-ряют спектры диффузионного отражения 14кремнезема и модифицированных кремнеземов в области 40000-15000 смот-носительно соответствующих образцов,не обработанных тетрацианэтиленом(ТЦЭ). Из полученных спектров определяют положение длинноволнового мак 4симума У (см ) н рассчитывают силу фкислотных центров поверхности по формуле,огде ,17, - положение длинноволнового максимума электронногоспектра поглсщения комплек1503004 са ТПЭ с флороглюцином,адсорбированного на исследуемом модифицированномкремнеземе; 5положение длинноволновогоь.о,максимума электронногоспектра поглощения комплекса Т 11 Э с...

Номер патента: 1538279

Опубликовано: 23.01.1990

Авторы: Афоненко, Вагунин, Кочетков

МПК: H04N 7/18

Метки: выделения, интерференционных, полос, центров

...устройства эа счет исключения компаратора и триггера.На фиг, 1 представлена блок-схемапредлагаемого устройства для выделения центров интерференционных полос;на фиг. 2 - временные диаграммы, иллюстрирующие работу предлагаемогоустройства.15Устройство для выделения центровинтерференционных полос (Фиг. 1) содержит передающую телевизионную камеру (ПТК) 1, блок 2, дифференцирования,триггер 3 Шмитта, компаратор 4 и блок о5 совпадения. ределенню окрестности центра (максимума) интерференционной полосы,В результате выполнения операции 0 в блоке 5 совпадения над сигналом с выхода триггера 3 Шмитта и сигналом с выхода компаратора 4 (фиг. 2 в), -соответствующим отрицательному значению производной сигнала на выходе ПТК 1, на выходе блока 5...

Номер патента: 1564190

Опубликовано: 15.05.1990

Авторы: Захарова, Кононенко, Сабо, Успенская, Чаморовский

МПК: C12P 21/00

Метки: препарата, реакционных, содержащих, фотоактивные, фотосинтетических, центров, цитохромы

...0,057 тритона Х. Концентрацию фотосинтетических реакционных центров в исходном материале и конечном продукте определяют с помощью дифференциальной абсорбционной спектроскопии на длине волны 880 нм, Выход продукта рассчитывают по отношению абсолютного содержания фото- синтетических реакционных центров в конечном продукте к таковому в исходном материале. Величины выхода 25 конечного продукта при различных способах экстракции показаны в таблице.П р и м е р 2, Клетки серных бактерий вида ЕсгогМогйойозрдга зйаросЬп 1 . Кочх 1. штамм зр.1 или шт. 111 выращивают фототрофно на среде Ларсена 710 дней, собирают центрифугированием, замораживают. Размороженные клетки35 суспендируют в 10 мМ фосфатном буфере рН 7,0, содержащем 10 ЗМ...

Номер патента: 1571794

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Кочетков, Ярмакович

МПК: H04N 7/18

Метки: интерференционных, полос, центров

...выходе второго элемента И 15 появляется сигнал логической единицы, что вызывает появление сигнала логической единицы на выходе элемента ИЛИ 17. Это соответствует ситуации правильного обнаружения центра интерференционной полосы.В случае, когда выполняются условия С (А," С( В, Р(А; Р( В (фиг.3), на вторых выходах пятого, шестого, седьмого и восьмого блоков 10-13 срав нения появляются сигналы логическойединицы, которые поступают на вход третьего элемента И 16. При этом на его выходе появляется сигнал логической единицы, что вызывает появление сигнала логической единицы на выходе элемента ИЛИ 11.В случае, когда выполняются условия О) А, О В; О) С, 0)Р (фиг. 4), на выходах первого, второго, третьего и четвертого блоков 6-9 сравнения...

Номер патента: 1573556

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Косачев, Степанов, Штермер

МПК: H04N 7/18

Метки: интерференционных, координат, полос, центров

...разностного сигнала на текущую координату, Текущая координата задается координатным "четчиком 12. К моменту очередного срабатывания блока 5 сравнения (момент 1,14 ииг.2 г) в регистрах 21 и 16 записаны величины характеризующие соответственно площадь и момент, фигуры аЬс 1 (фиг,2 а). ПО сигналу с выхода блока 5 Они через первые входы (порты) переписываются в регистры 23 и 19 соответственно, а регистры 2 и 16 очищаются путем записи нулей с второго входа регистров. После этого в регистрах 21 и 16 накопление начинается с нуля, а в регистрах 23 и 19 продолжается накопление разностного сигнала, сдвинутого на величину порога блоком 13 вьЕчитания. Сигнал, накапливаемый в регистрах 23 и.19, показан пунктиром на фиг.2 в. В момент...

Номер патента: 1587317

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Каракулев, Никифоров, Юнин

МПК: G01B 5/25

Метки: отверстий, центров

...М) - искомый центр окружности.Теперь необходимо определить положение данной теоретической точки й относительно реальной системы отсчета в видеточки 0(полюса спирали) и начального положения полярной оси ОР. В устройстве этиэлементы выполнены на пластине 2, Положение центра И определяется величинойрадиуса-вектора ОМ и углом РОМ,Величину радиуса-вектора ОМ находятпо шагу 1-МК между двумя последовательными витками спирали, который являетсяпостоянным. Шаг задается конструктивнымисполнением спирали,Эти параметры связаны зависимостьюОМ = й.= 1/2 л (1)Из геометрических сообращений выт екаетРОМ = У гк+/р, (2)Из треугольника МОИ ММа = агс 1 у -.Р(3)А. р находится из выражения для радиуса кривизны Мй.спирали5 М 1(з + 1)з/2 (Р+ 2) (4)Из...

Номер патента: 1597516

Опубликовано: 07.10.1990

Автор: Кондюрин

МПК: G01B 5/25

Метки: отверстий, центров

...колеса 16, выполненный в виде упругодеформируемого кольца 17, установленного в проточке 2 и обеспечивающего силовое замыкание между зубчатыми колесом 16 и венцами 13-15, Величину осевого перемещения штоков 4 - 6 определяют по формуле 3- -игде п - количество зубьев, на которые поворачивают венцы 13-15;а - количество зубьев на колесе 16;1- шаг резьбы в соединениях резьбовых хвостовиков 7-9 и гаек 10-12.Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии кольцо 17 извлекают иэ проточки 2, зубчатое колесо 16 выводят из зацепления с венцами 13-15, устанавливают корпус,1 на стол 18 внутри эталонной.детали 19 и вращают гайки 10-12 до тех пор, пока не совпадут оси симметрии эталонной детали 19 и корпуса 1. Затем зубчатое колесо 16...

Номер патента: 1599180

Опубликовано: 15.10.1990

Автор: Хамицевич

МПК: B25D 5/00

Метки: отверстий, отверстиями, разметки, центров, шаблонам

...стержней 12 при перемещении устройства по поверхности детали 15. Кернер б притягивается кстержню 12 и устанавливается по осиотверстия 10 шаблона 11, Стальнаявставка 7 замыкает магнитный поток.После обнаружения места установкистержня 12 осуществляют кернение,ударяя по бойку 2. 1 ил. вают раэмечаемую деталь 15, перекрывающую подготовленные к переводке отверстия 10 шаблона 11, и производят ее подготовку до плотного прилегания к шаблону 11 по месту посадки.Боек 2 приводится в рабочее положение путем выворачивания до совмещения его торца с фигурной пластиной 3. При этом кернер 6 находится в периферийной зоне полости 5, что предотвращает его выпадение через от- . верстие 9 пластины 4. При нажатии на подпружиненный в осевом....

Номер патента: 1608551

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Лузан, Орешкин

МПК: G01N 27/22

Метки: глубоких, параметров, полупроводниковых, структурах, центров

...время формирования0 опорного сигнала величина управляющегосигнала и соответственно период импульсовзадающего генератора 8 остаются неизменными. Период импульсов задающего генератора 8 строго пропорционален величине5 управляющего сигнала, поэтому управляющий сигнал можно использовать в качествевеличины, характеризующей период задающего генератора и характеризующей постоянную времени релаксации,0 Выбор арифметической операции (сложение или вычитание) осуществляется триггером 14, Высокий уровень сигнала навыходе триггера соответствует операциисложения, низкий уровень - операции вычи 5 тания, Триггер 14 имеет счетный вход и входустановки. Если управление осуществляется по входу установки, то счетный вход блокируется. Управление по счетному...

Номер патента: 1635287

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Верещагин, Колядинцев, Попов, Савич, Смирнов

МПК: H04N 7/18

Метки: выделения, интерференционных, полос, сигнала, центров

...вход вычитателя 5, на втором(инвертирующем) входе которого действуетсигнал (фиг,Зе, кривая 2) с выхода сумматора 4, представляющий собой сумму сигналов с второй группы отводов (фиг,Зг,д). С выхода вычитателя 5 разностный сигнал (фиг.Зж) поступает на второй вход компаратора 6. При равенстве раэностного сигнала нулю в момент времени то (фиг,З) компаратор 6 срабатывает, формируя перепад 0 -ф 1 выходного сигнала (фиг.З); на фиг.З инерционность компаратора не учитывается и полагается, что после предыдущего срабатывания на выходе компаратора действовал сигнал логического нуля). В результате в момент времени 10 (фиг,З) в устройстве регистрируется равенствоО = О 1где О - величина напряжения на-м отводе первой группы отводов в момент времени 1...

Номер патента: 1664176

Опубликовано: 23.07.1991

Автор: Аллахвердиев

МПК: A01G 7/00, G01N 33/00

Метки: количества, растений, реакционных, фотосистемы-2, центров

...этилендиаминтетраацетата натрия,В аликвоте определяют концентрациюхлорофилла в 80-ном ацетоне для вычисления величины фотосинтетической единиГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ И(71) Институт почвАН СССР(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯВА РЕАКЦИОННЫХ ЦЕНТРОСТЕМЫ ДВУХ РАСТЕНИЙ(57) Изобретение относится к бофизике и физиологии растениспособам определения количе 1664176 А1664176 30 Составите,ль Н.РодоваТехред М.Моргентал Корректор И.Муска Редактор А.Козориз Заказ 2333 Тираж 411 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР ф 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 марли, центрифугируют в течение 1 мин...

Номер патента: 1668983

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Дмитриенко, Сизов

МПК: G06K 9/00

Метки: выделения, изображения, телевизионного, фигур, центров

...7 и 72,4 О тактируемыми теми же импульсами Еэ, что иформирователь 2 апертуры,Выходной сигнал ео блока 4, выходные-1сигналы е 2 и е 4 сумматоров 5 и сигналы е 1е 1, е 1, ез, ез, ез сдвиговых регистров45 71 и 72 используются в блоке 8 для формирования сигнала центра изображения по формулам (4) - (6),В качестве примера (фиг. 5) показаныизображения одного и того же объекта, на 5 О блюдаемого в шести последовательных телевизионных кадрах (к=1,26) в пределахапертуры размером 8 х 8 элементов, Приэтом за счет флуктуационного шума телевизионного канала каждое из последующих55 пяти иэображений отличается от первогокаким-либо одним своим элементом, чтоприводит к флуктуациям размеров их проекций на горизонтальную и вертикальную координатные...

Номер патента: 1681215

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Ромбак, Яновский

МПК: G01N 24/10

Метки: анализатор, концентрации, парамагнитных, центров

...-,и; ГНИ /НОГО ПОЛЯ ОП ИС Ы;-, .гли модуля ции магнитногол:. 0 дее электрическое поле час:(ладывают к;(алибровочномуз, г. . ":Омо.:ью электродов 1 О, что эквиЬ,/Э, , ГОДУПЯЦИИ МВГНИ НОГО ПОЛЯ ТОЛЬЮОво Ном образ,8 по закону:г 8,8 ".Ие резона Сного зна ения магнит;0 и до/.я калибровочного образца при воз"т",и: а неГО электрического пОля,;а-:ал 1 ное значение напряженноОкЧЕСКОГО ПОЛЯ,- , - ам Литуда модуляции электриче;,;.0 ПОД Я,;. ач;. - .,-8 поля Ео Выби)ают Таким, что;Гп:Сстить центры линий ЭПР исследу 8 кого 4 .," КВЛИбрОВОЧНОГО 5 ОбраЗЦОВ;: ; Ри Образом на выходе блока 13 ре,", . 1 и сип алов ЭПР на частоте модуля- .,;Тного поля регистоируется сума"Г 1 Р исследуемого 4 и кэлибровоч ног 5 образцов, а сигнал Э;1 Р калибровочНОГО...

Номер патента: 1702541

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Колядинцев, Перещагин, Попов, Смирнов

МПК: H04N 7/18

Метки: интерференционных, обнаружения, полос, центров

...шумов первый и второй компараторы 30 и 31 переходили бы из нулевого в единичное состояние и наоборот случайным Образом.Таким образом, введение коэффициента К 1 предназначено обеспечить стабильное и надежное формирование сигнала логической единицы при приблизительном равенстве напряжения отсчетов при совпадении направления анализа с продольной осью полосы.Кроме того, коэффициент К " должен обеспечить формирование логической еди 5 10 15 20 25 30 35 4 п 45 50 55 ниць также и при отклонении продольнойоси полосы нэ угол до +.22,.5 от ближайшего направления анализа. Это Обеспечивает надежную работу при любойориентации анализируемого текущего иэображения полосы.При поступлении на входы первого блока 12 (13, 14, 15) определения...

Номер патента: 1718754

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Аллахвердиев, Жармухамедов, Климов, Христин

МПК: A01G 7/00

Метки: выделения, растений, реакционных, фотосистемы-2, центров

...компонентРЦ ФС50 мг по хлорофиллу, содержащуюн 133,9 10 щ РЦ ФС. Затем колонку про. мывают проточным буфером в течение 15 ч35 до получения практически бесцветного элюата. Выходящий из колонки элюат такжекбнтролируют на наличие РЦ ФС(Ь АПю). Далев колонку подвергают дейетвиюлинейного градиента йаО, причем нэчаль 40 ная концентрация йаС составляет 35 мМ.При этом Элюируется всего одна хлорофиллсодержащая фракция и данная фракцияпроявляет фотохимическую активность, характерную для РЦ ФЦ.(Ь А Пба), причем45 элюированив этой хлорофйллсодержащейфракции начинается при концентрациийаС, равной 170 мМ, и достигает максимального значения при концентрации йаС,рабной 180 мМ.50 С цеаью дальнейшей идентификациихлорофиллбелковой фракции...

Номер патента: 1739196

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Гилл, Кадничанский, Тюфлин

МПК: G01C 11/00

Метки: аэрофотоснимков, координат, проектирования, пространственных, центров

...производят из соотношений 5 где хс Ус- плановые координаты носителя:хн, Ун - плановые координаты антенныназемной станции;Н . - й (2) . где . - расстояние между антенной исход ной станции и антенной носителя;В - расстояние от носителя до вертикали, проведенной через антенную систему станции;Н - высота антенны бортовой станции.5 Максимально допустимая величина йможет быть определена из следующих соображений,Средняя квадратическая погрешностьопределения высоты иэ соотношения (2) 0 равнаа затем получить выражение для макси мально допустимого значения радиуса ВОдоп. = к. (4) гдеК= где вн доп - максимально допустимая ср.кв, погрешность определения высоты,Реально можно получить аи = 2 м, е" 0,4 м. Если при этом потребовать,.чтобы вн доп. =...

Номер патента: 1741775

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Бененсон, Винников

МПК: A61B 3/10

Метки: глаз, зрачков, положения, центров

...диафрагм.Линзодержатели 1 перемещаются вручную вдоль направляющей 2 и закрепляютсяна ней винтами 3, Упор 4 для носа регулируется по высоте и углу наклона и закрепляются винтом 5, Направляющая 2 снабженашкалой 6 расстояний (абсцисс) от оси упора4 до центра линзодержателей 1.На фиг. 2 изображена диафрагма 7 срасположенной по ее середине вертикальной щелью 8 шириной около 1,5 мм, Надиафрагме параллельно щели 8 укрепленынаправляющие 9. между которыми размещена подвижная диафрагма 10 (фиг. 3), Правильность установки диафрагмы 7 влинзодержателе 1, а именно соблюдениевертикальности щели 9. контролируется посовпадению риски 11, нанесенной на линзодержатьле 1, с риской 12, нанесенной надиафрагме 7, Одна из направляющих 9снабжена риской 13 для...

Номер патента: 1791777

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Дубовик, Ивченко, Непомнящий, Райхел

МПК: G01N 33/38

Метки: кристаллизации, кристаллов, линейной, максимумов, роста, скорости, температур, центров, числа

...да темпера тур(йо 5 образцов: на каждую температу- . ру), укэ 3 анных в табл, 1-3, в печис сйлитбйь 1 миЙЙРевэтелямй. Прикаждой.последу)ощей темпер; туре образцы выни-.мают иЗ"печи и "охлаж,ают на воздухе,по сле чего производят профилирование полированной поверхностй с помощью профилографэ-йрофилометра мздели 201,- - йключающее запись профилограмм и из-мерение йнтегральной шероховатости. 35 Профилограммы записывают при вертикальном увеличении 2 г 0000 и горизонталь ном - 4000 крат и оп зеделяют количествопиков на единицу длины профилограммы (по 3 участка Йа каждом "образце). После 40 профилирования образцы исследуют методом угольно-платиновой реплика ции, Предварительное травление исследуемой поверхн 6 сти осуществляют в 2,4-ном...

Номер патента: 1816418

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Ивженко, Киселев, Киселева, Филоненко

МПК: A61B 3/04

Метки: линз, оправе, оптических, очков, установки, центров

...5, а на каждой из кассет нанесена линия оси кассеты, по которой на опорном основании установлена метка 6. На каждой кассете установлен подпружиненный упор 7 с У-образными концами, а на корпусе 1 посредине установлен откидной фиксатор 8. Линзы 9 установлены на У-образные ложементы кассет 2 и удерживаются упорами 7 таким образом, что их центры 10 лежат на оси 11 кассет 2. Оправа очков 12 держится фиксатором 8Работает устройство следующим образом.При помощи установочного винта 4 кассеты 2 раздвигаются на требуемое межцентровое расстояние(на фиг 1 - межцентровое расстояние составляет 70 мм), так, чтобы метки 6 на кассетах 2 совпадали с соответствующимицентрами лимба 5.В кассетах 2 с помощью упоров 7 фиксируются линзы 9 таким образом,...

Номер патента: 1795738

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Барышников, Колесникова, Щепина

МПК: G01N 21/62

Метки: кислороди, концентрации, кристаллах, люминесцентный, свечения, фторсодержащих, центров

...меньше на порядок, то есть, 7 нс). затем, выявляются характеристические полосы в.спектре КЛ, Пользуясь табл.1, где приведены сведения по спектральным характеристикам примесных центров в лейкосапфире, осуществляют идентификацию полос с тем или иным видом примеси, В следующей операции способа измеряют интенсивность характеристических полос и определяют количественное содержание примеси по градуировочному графику: .=л,С), где- интенсивность характеристических полос, С - концентрация примесных центров),Для установления этой зависимости необходимы пробы с заранее известным составом - эталоны, С помощью эталонов строится кривая зависимости интенсивности полос от концентрации - так называемый градуировочный график (фиг.1), которым...

Номер патента: 1662294

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Алейникова, Белых, Малахов, Сутырин

МПК: H01L 21/308

Метки: пассивации, полупроводниковых, примесных, структурах, центров

...5 10 15 20 25 30 35 Использование алюминиевого слоя способствует устранению распыления и образования нарушен ного слоя полупроводниковой структуры, а также приводит к повышению плазмостойкости резистов, что очень важно при формировании субмикронной топологии в процессе пассивации примесных центров в субмикронных областях.П р и м е р. При изготовлении структур полевых транзисторов на арсениде галлия, согласно изобретению, необходимо было пассивировать электрически активные центры в эпитаксиальном слое на глубине 0,1 мкм, На пластине арсенида галлия с зпитаксиальным слоем 0,15 мкм с концентрацией и 1,2 10 см создали рисунок методом + . 1 В 1электронолитографии на установке ЕВА. Размер подзатворной области 0,8 мкм. В качестве маски...

Номер патента: 1271155

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Лобанов, Максимова, Смольская

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: kcl-tl, tlva99+, кристаллах, лазерноактивных, окраски, создания, центров

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНОАКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ Tl Va+ В КРИСТАЛЛАХ KCl-Tl, включающий облучение кристаллов ионизирующим излучателем при комнатной температуре и облучение светом, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии создания Tl0 Va+ центров, в качестве ионизирующего излучения используют гамма-излучение, и в качестве источника света кристаллы CsI Tl, которые предварительно приводят в оптический контакт с кристаллами KCl T и одновременно с ними облучают гамма-излучением.

Номер патента: 1009048

Опубликовано: 27.09.1998

Авторы: Боев, Бойко, Пудожгорский, Шварцвальд

МПК: C07D 277/06, G03C 1/06

Метки: 4-тиазолидинкарбоновой, галогенсеребряных, голографии, изображения, качестве, кислоты, производные, скрытого, стабилизаторов, центров

Производные 4-тиазолидинкарбоновой кислоты формулыгде R - винил или n-дипропиламинофенил, в качестве стабилизаторов центров скрытого изображения галогенсеребряных материалов для голографии.

Номер патента: 1009049

Опубликовано: 27.09.1998

Авторы: Боев, Крайнова, Пудожгорский, Шварцвальд

МПК: C07D 277/12, G03C 1/06

Метки: 2-дихлорметил-2-тиазолин-4-карбоновая, галогенсеребряных, изображения, качестве, кислота, скрытого, стабилизатора, фотографических, центров

1. 2-Дихлорметил-2-тиазолин-4-карбоновая кислота формулыв качестве стабилизатора центров скрытого изображения галогенсеребряных фотографических материалов.2. Способ получения 2-дихлорметил-2-тиазолин-4-карбоновой кислоты, отличающийся тем, что цистеин подвергают взаимодействию с ортоэтиловым эфиром дихлоруксусной кислоты при температуре 90 - 110oC.

Номер патента: 1435068

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Копецкий, Мессерер, Омельяновский, Пахомов, Поляков, Шаповал

МПК: H01L 21/223

Метки: активных, арсениде, галлия, кремнии, пассивации, центров, электрически

1. Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия, включающий проведение диффузии атомарного водорода ил тлеющего разряда в кремний или арсенид галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и воспроизводимости пассивации по глубине полупроводника, диффузию атомарного водорода проводят путем выдержки кремния или арсенида галлия при температуре 500 - 670oС соответственно в течение времени, определяемого из формулыгде Nx - концентрация водорода в полупроводнике на глубине x, ат ...

Номер патента: 1009081

Опубликовано: 27.01.2003

Авторы: Боев, Бойко, Пудожгорский, Шварцвальд

МПК: C07F 17/02, G03C 1/06

Метки: 2-тиазолидинкарбоновой, голографических, изображения, качестве, кислоты, производные, скрытого, содержащие, стабилизаторов, ферроценильное, центров, ядро

Производные 2-тиазолидинкарбоновой кислоты, содержащие ферроценильное ядро, общей формулыгде R = H или R = CH3в качестве стабилизаторов центров скрытого изображения голографических материалов.

Номер патента: 1261534

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Васильев, Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Овчинников

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерноактивных, лития, монокристалле, окраски, создания, фторида, центров

Способ создания лазерноактивных -центров окраски в монокристалле фторида лития, включающий охлаждение и облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения величины поглощения неактивных центров окраски при одновременном упрощении создания -центров окраски, перед охлаждением монокристалл облучают при комнатной температуре в интервале доз 5·108 - 5,1·108 P, затем охлаждают его до температуры -20°С - 0°С, ограничивающей подвижность анионных вакансий, и облучают при этой...