Наращивания алмаза
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
296712 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 05.Ч 1.1968 ( 1262569/23-26)с присоединением заявкиМПК С 01 Ь 31/06 Приорите Комитет по делам зобретений и открытий ори Совете Министров СССРК 666.233(088.8) публиковано 03.111,1971. Бюллетеньата опубликования описания 5.11",1971 Авторызобретеция евицкий, Б. В. Спицын, Д. А. Кочкин титут физической химии АН ССС витель Г"1"щотека рЛ П ОСОБ НАРАЩИ ВА Н И А 1тносится к способу н дукты реакции в ловушке, по- системой. Панад алмазным ас. В результаки с порошком графита в алнагреванием в вием 51 атп и примере 1, но брали тетрамепыте 2,1% (ца ет изобретен и Изобретение о аращиваиия алмаза.Известен способ наращивания алмаза иа алмазные затравки при высокой температуре (выше 1000 С) путем термического разложения углеродсодержащих соединений, например метана, с последующей очисткой продукта.Цель изобретения - повышение качества продукта и увеличение скорости процесса. Для этого в качестве исходного углеродсодержащего материала используют элементоорганические соединения, например тетраэтилсвинец, диметилртуть, Процесс ведут при температуре 400 в 10 С.Пример 1. Образец алмазного порошка дисперсностью 0 - 1 лкл в количестве 51,20 лг помещали в кварцевый реактор, к последнему присоединяли с одной стороны испаритель тетраэтилсвинца, а с другой высоковакуумную откачивающую систему, Реактор откачивали до вакуума 2 10лтлт рт. ст. Затем испаритель охлаждали до температуры - 196 С и с помощью наружной печи образец алмазного порошка разогревали в вакууме до 980 С. Одновременно испаритель нагревали до температуры 23 С и поступающие из испарителя пары тетраэтилсвинца разлагались на затравочных кристаллах алмаза. Свинец оседал в холодных частях кварцевого реактора, водород откачивался вакуумной системой. Неразложившийся тетраэтилсвинец и побочные прогымораживались при " - 196 Смещенной перед откачивающейры тетраэтилсвинца, проходилипорошком со скоростью 0,7 г/чте опыта получен привес пробирв 2,5 лг. Небольшие примесимазцом порошке были удаленыводороде прп 1000 С под давле0 течение 1 - 2 час.Пример 2. То же, что и вв качестве исходного веществатилсвпнец. Прирост в часовом озатравке весом в 50 лтг).5 20 Способ наращивания алмаза ца алмазныезатравки при высокой температуре путем термического разложения углеродсодержащих соединений с последующей очисткой продукта, отлачшощпйся тем, что, с целью повышения 25 качества продукта, увеличения скорости процесса, в качестве исходного углеродсодержащего материала используют элементоорганические соединения, например тетраэтилсвинец, диметилртуть, и процесс ведут при темпера туре 400 в 10 С,
СмотретьЗаявка
1262569
Б. Э. Дзевицкий, Б. В. Спицын, Д. А. Кочкин, Б. В. Дер гин Институт физической химии СССР, эЗСЕл
МПК / Метки
МПК: C01B 31/06
Метки: алмаза, наращивания
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-296712-narashhivaniya-almaza.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Наращивания алмаза</a>
Предыдущий патент: Еиблиотек. а iи. т. соловьев
Следующий патент: Способ регенерации едкого натра
Случайный патент: Способ хирургического лечения контузионных очагов головного мозга